DDRII新增特性,ODT( On Die Termination),DDR匹配放在PCB电路板上,而DDRII则把匹配直接设计到DRAM芯片内部,用来改善信号品质,这使得DDRII的拓扑结构较DDR简单,布局布线也相对较容易一些。说明:ODT(On-Die Termination)即芯片内部匹配终结,可以节省PCB面积,另一方面因为数据线的串联电阻位置很难兼顾读写两个方向的要求。而在DDR2芯片提供一个ODT引脚来控制芯片内部终结电阻的开关状态。写操作时,DDR2作为接收端,ODT引脚为高电平打开芯片内部的终结电阻,读操作时,DDR2作为发送端,ODT引脚为低电平关闭芯片内部的终结电阻。ODT允许配置的阻值包括关闭、75Ω、150Ω、50Ω四种模式。ODT功能只针对DQ\DM\DQS等信号,而地址和控制仍然需要外部端接电阻。PCB设计的整体模块布局。襄阳常规PCB设计
规则设置子流程:层叠设置→物理规则设置→间距规则设置→差分线规则设置→特殊区域规则设置→时序规则设置◆层叠设置:根据《PCB加工工艺要求说明书》上的层叠信息,在PCB上进行对应的规则设置。◆物理规则设置(1)所有阻抗线线宽满足《PCB加工工艺要求说明书》中的阻抗信息,非阻抗线外层6Mil,内层5Mil。(2)电源/地线:线宽>=15Mil。(3)整板过孔种类≤2,且过孔孔环≥4Mil,Via直径与《PCBLayout工艺参数》一致,板厚孔径比满足制造工厂或客户要求,过孔设置按《PCBLayout工艺参数》要求。◆间距规则设置:根据《PCBLayout工艺参数》中的间距要求设置间距规则,阻抗线距与《PCB加工工艺要求说明书》要求一致。此外,应保证以下参数与《PCBLayout工艺参数》一致,以免短路:(1)内外层导体到安装孔或定位孔边缘距离;(2)内外层导体到邮票孔边缘距离;(3)内外层导体到V-CUT边缘距离;(4)外层导体到导轨边缘距离;(5)内外层导体到板边缘距离;◆差分线规则设置(1)满足《PCB加工工艺要求说明书》中差分线的线宽/距要求。(2)差分线信号与任意信号的距离≥20Mil。随州哪里的PCB设计规范PCB设计中FPGA管脚的交换注意事项。
布线优化布线优化的步骤:连通性检查→DRC检查→STUB残端走线及过孔检查→跨分割走线检查→走线串扰检查→残铜率检查→走线角度检查。(1)连通性检查:整板连通性为100%,未连接网络需确认并记录《项目设计沟通记录》中。(2)整板DRC检查:对整板DRC进行检查、修改、确认、记录。(3)Stub残端走线及过孔检查:整板检查Stub残端走线及孤立过孔并删除。(4)跨分割区域检查:检查所有分隔带区域,并对在分隔带上的阻抗线进行调整。(5)走线串扰检查:所有相邻层走线检查并调整。(6)残铜率检查:对称层需检查残铜率是否对称并进行调整。(7)走线角度检查:整板检查直角、锐角走线。
ICT测试点添加ICT测试点添加注意事项:(1)测试点焊盘≥32mil;(2)测试点距离板边缘≥3mm;(3)相邻测试点的中心间距≥60Mil。(4)测试点边缘距离非Chip器件本体边缘≥20mil,Chip器件焊盘边缘≥10mil,其它导体边缘≥12mil。(5)整板必须有3个孔径≥2mm的非金属化定位孔,且在板子的对角线上非对称放置。(6)优先在焊接面添加ICT测试点,正面添加ICT测试点需经客户确认。(7)电源、地网络添加ICT测试点至少3个以上且均匀放置。(8)优先采用表贴焊盘测试点,其次采用通孔测试点,禁止直接将器件通孔管脚作为测试点使用。(9)优先在信号线上直接添加测试点或者用扇出的过孔作为测试点,采用Stub方式添加ICT测试点时,Stub走线长不超过150Mil。(10)2.5Ghz以上的高速信号网络禁止添加测试点。(11)测试点禁止在器件、散热片、加固件、拉手条、接插件、压接件、条形码、标签等正下方,以防止被器件或物件覆盖。(12)差分信号增加测试点,必须对称添加,即同时在差分线对的两个网络的同一个地方对称加测试点PCB设计中电气方面的注意事项。
工艺、层叠和阻抗信息确认(1)与客户确认阻抗类型,常见阻抗类型如下:常规阻抗:单端50欧姆,差分100欧姆。特殊阻抗:射频线单端50欧姆、75欧姆隔层参考,USB接口差分90欧姆,RS485串口差分120欧姆。(2)传递《PCBLayout业务资料及要求》中的工艺要求、层叠排布信息和阻抗要求至工艺工程师,由工艺工程师生成《PCB加工工艺要求说明书》,基于以下几点进行说明:信号层夹在电源层和地层之间时,信号层靠近地层。差分间距≤2倍线宽。相邻信号层间距拉大。阻抗线所在的层号。(3)检查《PCB加工工艺要求说明书》信息是否有遗漏,错误,核对无误后再与客户进行确认。PCB布局布线设计规则。十堰哪里的PCB设计走线
PCB典型的电路设计指导。襄阳常规PCB设计
SDRAM各管脚功能说明:1、CLK是由系统时钟驱动的,SDRAM所有的输入信号都是在CLK的上升沿采样,CLK还用于触发内部计数器和输出寄存器;2、CKE为时钟使能信号,高电平时时钟有效,低电平时时钟无效,CKE为低电平时SDRAM处于预充电断电模式和自刷新模式。此时包括CLK在内的所有输入Buffer都被禁用,以降低功耗,CKE可以直接接高电平。3、CS#为片选信号,低电平有效,当CS#为高时器件内部所有的命令信号都被屏蔽,同时,CS#也是命令信号的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号,低电平有效,这三个信号与CS#一起组合定义输入的命令。5、DQML,DQMU为数据掩码信号。写数据时,当DQM为高电平时对应的写入数据无效,DQML与DQMU分别对应于数据信号的低8位与高8位。6、A<0..12>为地址总线信号,在读写命令时行列地址都由该总线输入。7、BA0、BA1为BANK地址信号,用以确定当前的命令操作对哪一个BANK有效。8、DQ<0..15>为数据总线信号,读写操作时的数据信号通过该总线输出或输入。襄阳常规PCB设计
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