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  • SMC瞬态抑制二极管

    TVS的封装类型有:2)SMA/DO-214AC封装:SMAJ系列(400W)、P4SMA系列(400W)、TPSMAJ系列(400W)、SMA6J系列(600W);3)SMB/DO-214AA封装:SMBJ系列(600W)、P6SMB系列(600W)、TPSMBJ系列(600W)、SMB10J系列(1000W)、SACB系列、SACA系列;5)SOD-123封装:SMF系列(200W)、TPSMF系列(200W)、SMF4L系列(400W);6)DO-41封装:P4KE系列(400W);7)DO-15封装:SA系列(500W)、P6KE系列(600W)、SAC系列;。。。。对于数据接口电路的...

  • 陕西200W瞬态抑制二极管厂家

    TVS是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应速度快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点,被广泛应用于各类电子电路中浪涌保护或静电保护。DO-15封装的TVS一般有SA系列(500W)、P6KE系列(600W)、SAC系列。陕西200W瞬态抑制二极管厂家来明电子成立于2010年,是一家致力于电子元器件服务的供应链整合...

  • 上海贴片瞬态抑制二极管功率计算

    要减少TVS短路失效,首先应加强TVS制造工艺过程的控制,尤其是对烧焊、台面成型、碱腐蚀清洗、掺杂等工艺过程的控制,以减少或消除TVS的固有缺陷。例如:国际上采用先进的烧焊工艺已能将空洞面积控制在10%以下,采用离子注入掺杂能对掺杂过程进行更好的控制,这些都**提高了TVS的可靠性。其次,做到TVS的正确选型与安装,比较好对TVS进行降额使用,这样可使TVS承受的功率较小,使用可靠性**增加。此外,为使TVS发生短路失效时对被保护电子设备的影响降到比较低,通常可在TVS前串接一条与之匹配的保险丝。TVS是一种二极管形式的高效能保护器件。上海贴片瞬态抑制二极管功率计算TVS是一种二极管形式的高效...

  • 河南插件瞬态抑制二极管选型

    反向击穿性PN结加反向电压时,空间电荷区变宽,区中电场增强。反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种,即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿,前者击穿电压小于6V,有负的温度系数,后者击穿电压大于6V,有正的温度系数。雪崩击穿:阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时,其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子—空穴对,新产生的载流子在强电场作用下,再去碰撞其它中性原子,又产生新的自由电子—空穴对,如此连锁反应,使阻挡层中的载流子数量急剧增加,像雪崩...

  • 河南400W瞬态抑制二极管电压

    参数①最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。VWM是TVS比较大连续工作的直流或脉冲电压,当这个反向电压加入TVS的两极间时,它处于反向关断状态,流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。②**小击穿电压VBR和击穿电流IRVBR是TVS**小的雪崩电压。25℃时,在这个电压之前,TVS是不导通的。当TVS流过规定的1mA电流(IR)时,加入TVS两极间的电压为其**小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度,可把TVS分为±5%VBR和±10%VBR两种。对于±5%VBR来说,VWM=0.85VBR;对于±10%VBR来说,VWM=0.81VBR。常用电路保护器件的主要失...

  • 甘肃200W瞬态抑制二极管原理

    TVS是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应速度快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点,被广泛应用于各类电子电路中浪涌保护或静电保护。DO-201封装的TVS有1.5KE系列(5000W)、LCE系列。甘肃200W瞬态抑制二极管原理电压及电流的瞬态干扰是造成电子电路及设备损坏的主要原因,常给人们带来无法估量的损失。...

  • 甘肃8000W瞬态抑制二极管电压

    上海来明电子有限公司成立于2010年,是一家致力于电子元器件服务的供应链整合管理机构,专注为客户提供电子元器件产品及一站式供应链解决方案,包括长期成本降低、急需元器件交货供应解决方案、物料清单供应解决方案等,致力于成为全球**的电子元器件服务商。我们拥有丰富的电子元器件行业上下游产业资源及渠道,为客户提供***增值服务,持续为客户创造价值。我们拥有团队丰富的经验、海量质量货源、系统的供应链、完善的质量保证体系,可满足客户个性化方案定制。细分时代的到来,我们携手借助互联网的力量与用户互动并产生价值,以不断创新和服务价值输出,成为电子器件行业“立体多维方案品牌服务运营商”。DO-41封装的TVS一...

  • 山东SMB瞬态抑制二极管测试

    TVS主要用于对电路元件进行快速过电压保护。它能"吸收"功率高达数千瓦的浪涌信号。TVS具有体积小、功率大、响应快、无噪声、价格低等诸多优点,它的应用十分较多,如:家用电器;电子仪器;仪表;精密设备;计算机系统;通讯设备;RS232、485及CAN等通讯端口;ISDN的保护;I/O端口;IC电路保护;音、视频输入;交、直流电源;电机、继电器噪声的抑制等各个领域。它可以有效地对雷电、负载开关等人为操作错误引起的过电压冲击起保护作用,下面是几个TVS在电路应用中的典型例子。单向TVS一般适用于直流电路,双向TVS一般适用于交流电路中。山东SMB瞬态抑制二极管测试高效灵活的仓储物流管理,长期降低供应...

  • 山西30000W瞬态抑制二极管封装

    比较大箝拉电压VC和比较大峰值脉冲电流IPP当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP流过TVS时,在其两极间出现的比较大峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为箝位因子,一般在1.2~1.4之间。电容量C电容量C是TVS雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比,C过大将使信号衰减。因此,C是数据接口电路选用TVS的重要参数。一般在高速接口中需要考虑TVS的结电容问题。DO-201封装的TVS有1.5KE系列(5000W)、LCE系列。山西30000W瞬态抑制二极管封装...

  • 山东30000W瞬态抑制二极管分析

    选用技巧编辑播报1、确定被保护电路的比较大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“**”容限。2、TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低,器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压,并行连接分电流。3、TVS的比较大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。4、在规定的脉冲持续时间内,TVS的比较大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定比较大箝位电压后,其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。TVS发生短路失效,释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏,这是TVS我们极力减少或避免的情况。山东30000W...

  • 广东400W瞬态抑制二极管封装

    齐纳击穿:齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压(5V以下),结层中的电场却很强(可达2.5×105V/m左右)。在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿。显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5~8V之间两种击穿可能同时发生。TVS若按封装及内部结构可分为:轴向引线二极管、双列直插TVS 阵列。广东400W瞬态抑制二极管封...

  • 山东600W瞬态抑制二极管电压

    PN结构成了几乎所有半导体功率器件的基础,常用的半导体功率器件如DMOS,IGBT,SCR等的反向阻断能力都直接取决于PN结的击穿电压,因此,PN结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围。在PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下,一般认为除superjunction之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有比较高的击穿电压。实际的功率半导体器件的制造过程一般会在PN结的边缘引入球面或柱面边界,该边界位置的击穿电压低于平行平面结的击穿电压,使功率半导体器件的击穿电压降低。由此产生了一系列的结终端技术来消除或减弱球面结或柱面结的曲率效应,使实际制造出的PN结的击穿电压接近或等于理...

  • 天津SMC瞬态抑制二极管选型

    引发TVS短路的**典型的原因是管芯与内引线组件、底座铜片烧结不良,在烧结界面出现大面积空洞,空洞可能是由于焊料不均匀或粘结界面各层材料玷污、氧化使焊料沾润不良,造成烧焊时焊料与芯片或金属电极没有良好的熔合焊接引起的。空洞面积较大时,电流在烧结点附近汇聚,管芯散热困难,造成热电应力集中,产生局部热点,严重时引起热奔,使器件烧毁。对这些烧毁的器件。进行解剖分析,可以看到有芯片局部较深的熔融:空洞面积较小时,可加速焊料热疲劳,使焊料层会产生疲劳龟裂,引起器件热阻增大,**终导致器件。过热烧毁。常用电路保护器件的主要失效模式为短路,瞬变电压抑制器(TVS)亦不例外。天津SMC瞬态抑制二极管选型TVS...

  • SMC瞬态抑制二极管功率计算

    瞬态电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor)简称TVS广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流 器、家用电器、仪器仪表(电度表)、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF 耦合/IC 驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速 器、工控回路、继电器、天线,防雷模块,USB接口,HDMI接口,接触器噪音的抑制等各个领域。多线保护选用TVS 阵列更为有利。SMC瞬态抑制二极管功率计算热电击穿:当pn结施加...

  • 江西6600W瞬态抑制二极管

    在规定的反向应用条件下,当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时,其工作阻抗能立即降至很低的导通值,允许大电流通过,并将电压箝制到预定水平,从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦,其箝位响应时间*为1ps(10^-12S)。TVS允许的正向浪涌电流在T=25℃,T=10ms条件下,可达50~200A。双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率,并把电压箝制到预定水平,双向TVS适用于交流电路,单向TVS一般用于直流电路。TVS和齐纳稳压管都能用作稳压,但是齐纳击穿电流更小,大于10V的稳压只有1mA。江西6600W瞬态抑制二极管实际产品中,**常用的浪涌测...

    发布时间:2022.12.16
  • 陕西瞬态抑制二极管厂家

    5、对于数据接口电路的保护,还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。6、根据用途选用TVS的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理;多线保护选用TVS阵列更为有利。7、温度考虑。瞬态电压抑制器可以在-55~+150℃之间工作。如果需要TVS在一个变化的温度工作,由于其反向漏电流ID是随增加而增大;功耗随TVS结温增加而下降,从+25℃到+175℃,大约线性下降50%雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此,必须查阅有关产品资料,考虑温度变化对其特性的影响。当TVS 器件工作温度超过其比较大允许工作温度时,易发生短路失效且通常发生在pn 结表面。陕西瞬态抑制二极管厂家反向击...

  • 河北3000W瞬态抑制二极管厂家

    来明电子成立于2010年,是一家致力于电子元器件服务的供应链整合管理机构,专注为客户提供电子元器件产品及一站式供应链解决方案。我们在业内拥有二十多年的经验,整合了质量的供应链资源,产品包含各类电容产品、二极管、桥堆、场效应管、气体放电管、压敏电阻、保险丝、继电器、晶振、国产芯片等。我们严格筛选生产供应商,制定供应商评估体系,在产品质量、发货速度、售后服务、交货方面进行严格考核,持续为客户提供***产品。所有合作伙伴均通过相关国际质量管理体系认证,拥有专业生产基地和实验室、**的自动化设备生产线,保证产品高标准、高质量、批量化生产。当瞬态脉冲能量大于TVS所能承受能量时会引起TVS器件过电应力损...

  • 河北5000W瞬态抑制二极管参数

    来明电子成立于2010年,是一家致力于电子元器件服务的供应链整合管理机构,专注为客户提供电子元器件产品及一站式供应链解决方案。我们在业内拥有二十多年的经验,整合了质量的供应链资源,产品包含各类电容产品、二极管、桥堆、场效应管、气体放电管、压敏电阻、保险丝、继电器、晶振、国产芯片等。我们严格筛选生产供应商,制定供应商评估体系,在产品质量、发货速度、售后服务、交货方面进行严格考核,持续为客户提供***产品。所有合作伙伴均通过相关国际质量管理体系认证,拥有专业生产基地和实验室、**的自动化设备生产线,保证产品高标准、高质量、批量化生产。TVS 器件可以按极性分为单极性和双极性两种。河北5000W瞬态...

  • 北京3000W瞬态抑制二极管

    1、将TVS二极管加在信号及电源线上,能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲,如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。2、静电放电效应能释放超过10000V、60A以上的脉冲,并能持续10ms;而一般的TTL器件,遇到超过30ms的10V脉冲时,便会导至损坏。利用TVS二极管,可有效吸收会造成器件损坏的脉冲,并能消除由总线之间开关所引起的干扰(Crosstalk)。3、将TVS二极管放置在信号线及接地间,能避免数据及控制总线受到不必要的噪声影响。TVS应用领域:仪器仪表(电度表)I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、PDAS、GP。北京3000W瞬态抑制二极管高温当TVS...

  • 河南SMA瞬态抑制二极管应用

    根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管,利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管;利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管;利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管;利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器;利用光生伏***应可制成太阳电池。此外,利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大,振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型...

  • 上海瞬态抑制二极管测试

    TVS台面缺陷造成的失效常常是批次性的。TVS制造工艺过程中造成芯片台面损伤的原因主要有两个:1)芯片在酸蚀成型时,由于氢氟酸、硝酸混合液配方过浓或温度过高而反应剧烈。2、烧焊过后进行碱腐蚀清洗时,腐蚀液浓度过大、温度过高而造成碱腐蚀清洗过重。台面缺陷或损伤的TVS器件经过温度循环和箝位冲击等筛选试验后,进行电参数测试时通常表现为短路或击穿特性异常,从而被剔除。但轻微台面损伤的TVS器件在筛选后电参数测试时不易被发现,可能被列为良品出厂。这些TVS器件在使用过程中经受长时间热、电、机械等应力的作用后,台面缺陷加剧,在缺陷处形成载流子产生-复合中心,使表面反向漏电流**增加。大的表面反向漏电流使...

  • 1000W瞬态抑制二极管功率计算

    TVS的瞬态功率一般以8/20us或10/1000us的波形来衡量。8/20us是雷击浪涌的一种波形通常以内阻2欧姆的一个短路电流波形,上升前沿在8uS,峰值电流下降沿1/2处保持在20uS.即充电1KV输出500A的电流波形.现在较多的已经是组合波模式,即短路电流波形为8/20uS,开路电压波形为1.2/50uS..10/1000uS也是一种浪涌波形,以现在执行的标准是短路电流波形与开路电压波形都需要符合前沿时间10uS半值时间1000uS,内阻10欧姆.即充电1KV输出100A的电压及电流波形。SOD-123封装的TVS一般有SMF,TPSMF,SMF4L等。1000W瞬态抑制二极管功率计...

  • 北京30000W瞬态抑制二极管封装

    瞬态电压抑制二极管(TransientVoltageSuppressor)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压钳位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。TVS应用领域:仪器仪表(电度表)I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、PDAS、GP。北京30000W瞬态抑制二极管封装过电应力当瞬态脉冲能量...

  • 安徽8000W瞬态抑制二极管应用

    TVS和稳压管的区别表现在一些方面,***分类不同:TVS管:按极性,可分为单、双极性;按用途,可分为通用型、**型;稳压管:按稳压高低,可分为低压二极管和高压稳压二极管;按材料,可分为N型和P型。用途不同:TVS管:用于瞬态电压保护;TVS管电压精度是在一定范围内;TVS管通流能力能达到几百安;在稳压值当方面,TVS管6.8v-550V;稳压管:对漏极和源极进行箝位保护;精确度方面较高;稳压管的耐浪涌电流小;稳压管电压范围一般为3.3V-75V。TVS和齐纳稳压管都能用作稳压,但是齐纳击穿电流更小,大于10V的稳压只有1mA。安徽8000W瞬态抑制二极管应用1、将TVS二极管加在信号及电源线...

  • 安徽8000W瞬态抑制二极管参数

    选用技巧编辑播报1、确定被保护电路的比较大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“**”容限。2、TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低,器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压,并行连接分电流。3、TVS的比较大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。4、在规定的脉冲持续时间内,TVS的比较大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定比较大箝位电压后,其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。当瞬态脉冲能量大于TVS所能承受能量时会引起TVS器件过电应力损伤。安徽8000W瞬态抑制二极管参数常用电路保护器...

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