WPM3407是一款使用先进沟槽技术制成的器件，其特点是在低门极电荷下提供出色的RDS(ON)。这种器件非常适合用于DC-DC转换应用。 特点： RDS(ON)出色：R...

WNM6001：单N沟道、60V、0.50A功率MOSFET 产品描述： WNM6001是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的槽型技术和设计，以提供出色的RDS(...

WL2803E：极低压差、500mA、CMOSLDO（低压差线性稳压器 产品描述 WL2803E系列是一款具有极低压差、低静态电流和高电源抑制比（PSRR）的CMOSLDO。...

WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这款器件适用于D...

BLM3400是一款n通道增强模式电源MOSFET管，采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。它适用于电池保护和其他开关应用程序。 BL...

BL4054B-42TPRN是一款由上海贝岭（Belling）公司生产的锂电池充电管理芯片。这款芯片具有多种特性和优势，适用于锂电池的充电管理。 BL4054B-42TPRN支持4....

ESD5305F：四通道单向低电容瞬态电压抑制器 产品描述：ESD5305F是一款专为保护高速数据接口设计的低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列。它特别用于保护连接到数据和传输线的...

ESD56151Wxx：电源保护新选择 ESD56151Wxx双向瞬态电压抑制器，是为现代电子设备中的电源接口设计。它的反向截止电压范围是4.5V至5V，有效保护电路免受过高电压的...

BL9193-ADBAPRN是一款由上海贝岭（Belling）公司生产的稳压器（恒压变压器）。该设备采用了SOT-23-5封装形式，具有多种特性和优势，适用于广泛的应用场景。 BL9...

BL1555MM是一种模拟开关芯片，由上海贝岭（Belling）公司生产。这款芯片是表面贴装型（SurfaceMountDevice，SMD），采用MSOP10_3X3MM封装规格，具有小型化...

WS4665是一个单通道负载开关，提供可配置的上升时间以极小化涌流。该设备包含一个N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作，并支持连续电流上线为6A。开关由开/关输入...

ESD5471X1线双向瞬态电压抑制器 产品描述： ESD5471X是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它特别设计用于保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子组件，免受...