在耐火材料领域的表现:在耐火材料领域,氧化铝凭借其高熔点、良好的热稳定性和化学稳定性成为重要原料。α -Al₂O₃含量高的氧化铝材料具有优异的耐火性能,可承受高温而不软化、不熔融。然而,杂质的存在会严...
α-Al₂O₃是氧化铝**稳定的晶型,具有六方紧密堆积结构:氧离子(O²⁻)按六方密堆积方式排列,形成紧密的晶格骨架,铝离子(Al³⁺)则有序填充在氧离子构成的八面体间隙中,占据间隙总量的2/3。这种...
γ-Al₂O₃是低温亚稳相,属于立方尖晶石型结构变体:氧离子形成面心立方堆积,铝离子部分填充四面体和八面体间隙,但存在约7%的阳离子空位(未被Al³⁺占据的间隙)。这种结构疏松,原子堆积系数只61%,...
电子级氧化铝(纯度99.9%-99.99%),技术指标:纯度99.9%-99.99%,总杂质含量0.1%-0.01%,关键杂质控制严格:Na₂O≤0.02%、Fe₂O₃≤0.01%、SiO₂≤0.01...
在航天领域,航天器重返大气层时需承受高温(1800℃)和等离子体腐蚀,采用的氧化铝基陶瓷需满足:α相含量≥99%,确保高温化学稳定性;总杂质≤0.1%,避免杂质熔融导致强度下降;致密度≥98%,减少等...
在先进陶瓷制备中,γ-Al₂O₃粉末经成型后烧结,通过控制相变(γ→α)可制备细晶α-Al₂O₃陶瓷(晶粒尺寸<1μm),力学性能优于直接用α相粉末制备的产品(抗弯强度提升20%)。α-Al₂O₃在6...
在散热领域,氧化铝陶瓷基板结合了高导热(25W/m・K)和高绝缘特性,被广阔用于LED芯片散热——与传统FR-4基板相比,可使芯片工作温度降低20-30℃,寿命延长3倍以上。通过调控Al₂O₃含量(从...
净化后的粗液(偏铝酸钠溶液)需通过分解工序生成氢氧化铝沉淀,这是拜耳法的关键逆向反应,重点是通过降低溶液温度、加入晶种等方式破坏偏铝酸钠的稳定性:晶种添加:将净化后的粗液(温度80-100℃)送入分解...
因此,烧结法的适用原料主要是铝硅比低、杂质含量高的低品质铝土矿,具体可从铝硅比、主要杂质含量、矿床类型三个维度明确界定。铝硅比(Al₂O₃与SiO₂的质量比)是判断铝土矿是否适配烧结法的重点指标,烧结...
烧结法氧化铝的晶型以α-Al₂O₃为主(含量≥90%),这一特点与拜耳法形成鲜明对比(拜耳法产品以γ-Al₂O₃为主,含量≥90%),主要原因是烧结法的煅烧温度更高(1200-1400℃),足以使过渡...
烧结法的流程为:将铝土矿与碳酸钠(Na₂CO₃)混合,在1200-1300℃下高温烧结,使一水硬铝石与碳酸钠反应生成偏铝酸钠,同时杂质二氧化硅与碳酸钠反应生成硅酸钠,氧化铁与碳酸钠反应生成铁酸钠(Na...
普通氧化铝的晶体结构以α-Al₂O₃为主,这是氧化铝较稳定的晶型,其晶体结构特点是氧离子紧密堆积,铝离子有序填充:α-Al₂O₃属于六方晶系,氧离子按六方紧密堆积方式排列(堆积密度高达74%),铝离子...
氧化钙(CaO):0.1%-0.3%,与石灰用量正相关:产品中的钙杂质主要来自烧结工序添加的石灰,通过控制石灰用量(理论用量的 1.05-1.1 倍)可将 CaO 含量控制在 0.1%-0.3%。石灰...
铝硅比普遍偏低:全球一水硬铝石型铝土矿的铝硅比多为3-8,如我国山西铝土矿的平均铝硅比为5-6,河南铝土矿为4-5,恰好处于烧结法的适用范围;而三水铝石型铝土矿(主要分布在澳大利亚、几内亚)的铝硅比普...
颗粒尺寸对表面性能影响明显:纳米级氧化铝(粒径<50nm)的表面原子占比超过20%,表面活性极高,在陶瓷烧结中可降低烧结温度300-400℃。但纳米颗粒容易团聚,需要通过表面改性(如硅烷处理)来稳定分...
化学稳定性与耐腐蚀性:Al₂O₃本身具有较高的化学稳定性,在常温下不与水、大多数酸和碱发生反应。这是由于其晶体结构中铝离子与氧离子通过强烈的离子键结合,结构稳定。然而,杂质的存在会破坏这种稳定性。Si...
在散热领域,氧化铝陶瓷基板结合了高导热(25W/m・K)和高绝缘特性,被广阔用于LED芯片散热——与传统FR-4基板相比,可使芯片工作温度降低20-30℃,寿命延长3倍以上。通过调控Al₂O₃含量(从...
活性氧化铝的催化性能还可通过改性进一步优化:通过掺杂硅(Si)、钛(Ti)等元素调整表面酸碱性,或通过调控孔径分布改善反应物扩散效率,使其适用于不同类型的催化反应(如氧化还原反应、酸碱催化反应)。硬度...
氧化铝,从化学定义上看,是铝和氧通过化学键结合形成的化合物,其化学式为Al₂O₃。依据其来源,可分为天然氧化铝与人工合成氧化铝。天然氧化铝常见于刚玉矿物中,因含不同杂质呈现丰富颜色,如含铬的红宝石、含...
γ-Al₂O₃的电阻率略低(10¹²-10¹³Ω・cm),但因比表面积大,常作为绝缘涂层的基料。β-Al₂O₃则表现出特殊的离子导电性,在300℃以上时钠离子电导率可达0.1S/cm,这使其成为钠硫电...
电绝缘性与光学性能:纯净的氧化铝是良好的绝缘体,常温电阻率达 10¹²Ω・m ,这主要得益于 Al₂O₃的晶体结构中离子键的稳定性,电子难以在其中自由移动。但杂质的引入会严重影响其电绝缘性能,如 Na...
从整体框架来看,氧化铝纯度分级可分为三个重点层级:工业级氧化铝(纯度98.0%以下)、高纯氧化铝(纯度99.0%-99.99%)、超高纯氧化铝(纯度99.99%以上,常以“N”表示纯度等级,如4N99...
密度与热膨胀系数:氧化铝的密度因晶型而异,一般在 3.5 - 4.0g/cm³ 之间,Al₂O₃的晶体结构决定了其基本密度范围。杂质的加入会改变氧化铝的密度,如一些密度较小的杂质(如 H₂O)以吸附或...
碱是氧化铝溶出的重要辅料,作用是将铝矿物转化为可溶性铝酸钠:氢氧化钠(NaOH):用于拜耳法,与铝土矿中的Al(OH)₃反应生成NaAlO₂溶液(Al(OH)₃+NaOH=NaAlO₂+2H₂O)。每...
粉末粒度决定烧结活性:细粉(1-3μm)比表面积大(5-10m²/g),烧结驱动力强(颗粒表面能高),但流动性差;粗粉(5-10μm)流动性好,但需更高烧结温度。实际生产中采用“粗细搭配”:3μm粉末...
在先进陶瓷制备中,γ-Al₂O₃粉末经成型后烧结,通过控制相变(γ→α)可制备细晶α-Al₂O₃陶瓷(晶粒尺寸<1μm),力学性能优于直接用α相粉末制备的产品(抗弯强度提升20%)。α-Al₂O₃在6...
工艺步骤,包套:将粉末装入弹性模具(橡胶或聚氨酯,厚度2-5mm),密封后放入高压容器;加压:液体介质注入容器,升压至100-200MPa(升压速率5MPa/分钟),保压10-30分钟(大尺寸坯体延长...
β-Al₂O₃并非严格化学计量的氧化铝,其化学式可表示为Na₂O・11Al₂O₃(含碱金属离子),实际是铝酸盐化合物。其晶体结构为层状堆积:由Al-O四面体和八面体构成的“尖晶石层”与含Na⁺的“导电...
熔点方面:α-Al₂O₃熔点较高(2054℃),β相约1900℃,γ相较低(1750℃,且熔融前已转化为α相)。热导率在室温下差异明显:α-Al₂O₃为29W/(m・K),γ相因多孔结构降至3-5W/...
α-Al₂O₃莫氏硬度高达9(仅次于金刚石),维氏硬度2000-2200HV,抗压强度>3000MPa,是所有晶型中力学性能较好的。γ-Al₂O₃莫氏硬度6-7,维氏硬度800-1200HV,因结构疏...