IPM 的功率器件（如 IGBT）工作时会产生大量热量，若散热不良会导致结温过高，触发过热保护甚至损坏。因此，散热设计需与 IPM 匹配：小功率 IPM（如 1kW 以下）可通过铝制散热片自然冷却（散...

新能源领域的小型光伏逆变器、储能变流器，以及低速电动车、电动工具等，正逐渐采用 IPM 简化设计。在小型光伏逆变器（5kW 以下）中，IPM 将 DC-AC 逆变电路集成，减少能量转换环节的损耗（转换...

IPM（智能功率模块）的保护电路通常不支持直接的可编程功能。IPM是一种集成了控制电路与功率半导体器件的模块化组件，它内部集成了IGBT（绝缘栅双极型晶体管）或其他类型的功率开关，以及保护电路如过流、...

IPM（Intelligent Power Module）是集成 IGBT、驱动电路、保护电路及传感器的高度集成化功率器件，被誉为电力电子的 “智能心脏”。其**价值在于将分立器件的复杂设计简化为...

特定应用领域的测试标准工业自动化领域：对于应用于工业自动化领域的IPM模块，可能需要遵循特定的电磁兼容性测试标准，如IEC60947-5-2等。这些标准通常针对工业环境中的特定电磁干扰源和干扰途径，对...

IPM的电磁兼容（EMC）设计是确保其在复杂电路中正常工作的关键，需从模块内部设计与系统应用两方面入手，抑制电磁干扰。IPM内部的EMC设计主要通过优化布线与集成滤波元件实现：缩短功率回路长度，减少寄...

IPM 全称 Intelligent Power Module，即智能功率模块，是一种将功率半导体器件（如 IGBT、MOSFET）、驱动电路、保护电路（过流、过压、过热保护）及散热结构集成在一起的模...

IGBT 的关断过程是导通的逆操作，重心挑战在于解决载流子存储导致的 “拖尾电流” 问题。当栅极电压降至阈值电压以下（VGE<Vth）时，栅极电场消失，导电沟道随之关闭，切断发射极向 N - 漂移区的...

IGBT 的关断过程是导通的逆操作，重心挑战在于解决载流子存储导致的 “拖尾电流” 问题。当栅极电压降至阈值电压以下（VGE<Vth）时，栅极电场消失，导电沟道随之关闭，切断发射极向 N - 漂移区的...

在5G通信领域，MOSFET（尤其是射频MOSFET与GaNMOSFET）凭借优异的高频性能，成为基站射频前端的主要点器件。5G基站需处理更高频率的信号（Sub-6GHz与毫米波频段），对器件的线...

IPM的封装材料升级是提升其可靠性与散热性能的关键，不同封装材料在导热性、绝缘性与耐环境性上差异明显，需根据应用场景选择适配材料。传统IPM多采用环氧树脂塑封材料，成本低、工艺成熟，但导热系数低（约0...

热管理是MOSFET长期稳定工作的关键，尤其在功率应用中，散热效率直接决定器件寿命与系统可靠性。MOSFET的散热路径为“结区（Tj）→外壳（Tc）→散热片（Ts）→环境（Ta）”，每个环节的热阻需尽...