名称:Bga植球工艺的制作方法技术领域:本发明涉及一种BGA植球工艺,属于微电子技术领域。背景技术:随着球栅阵列结构的IC(以下称BGA)封装的发展和广泛应用,其将成为高密度、高性能、多功能封装的比较好选择。由于BGA特殊的封装形式,焊点位于封装体底部并且为呈半球状的锡球,锡球的成分一般为Sn/Ag/Cu,熔点为°C,在焊接过程中,锡球会和锡膏熔为一体,将封装体和PCB板焊盘连在一起。但如果焊接出现不良,则需将其拆卸下来返修,拆卸后的BGA锡球会被PCB板剥离,留下大小不一的焊点,因此,想二次使用BGA,就必须对其进行植球处理,也就是再次在焊点上加入焊锡,使焊点上的锡球大小一致。现有的植球方法有以下两种,方法一是用的植球夹具先把锡膏印刷在BGA的焊盘上,再在焊盘上面加上一定大小的锡球,锡膏起到黏住锡球的作用,在随后的加温过程中,锡球与锡膏就熔融在一起,从而在BGA焊盘上形成新的焊点。其具体操作过程是、先准备好的植球夹具,用酒精清洁并烘干,以免锡球在植球夹具上滚动不顺畅;把需要植球的芯片放在植球夹具上固定;把锡膏自然解冻并搅拌均匀,然后均匀涂到刮片上;向定位基座上套上锡膏印刷框并印刷锡膏。BGA植球机多少钱一台,泰克光电为您服务!长沙涩谷植球机
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光刻技术和离子刻蚀技术利用光刻技术和离子刻蚀技术,保留下栅隔离层上面的氮化硅层。湿法氧化生长未有氮化硅保护的SiO2层,形成PN之间的隔离区。生成SIO2薄膜热磷酸去除氮化硅,然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2,并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。氧化LPCVD沉积多晶硅层,然后涂敷光阻进行光刻,以及等离子蚀刻技术,栅极结构,并氧化生成SiO2保护层。形成源漏极表面涂敷光阻,去除P阱区的光阻,注入砷(As)离子,形成NMOS的源漏极。用同样的方法,在N阱区,注入B离子形成PMOS的源漏极。沉积利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层,保护元件,并进行退火处理。沉积掺杂硼磷的氧化层含有硼磷杂质的SiO2层,有较低的熔点,硼磷氧化层(BPSG)加热到800oC时会软化并有流动特性,可使晶圆表面初级平坦化。深处理溅镀层金属利用光刻技术留出金属接触洞,溅镀钛+氮化钛+铝+氮化钛等多层金属膜。离子刻蚀出布线结构,并用PECVD在上面沉积一层SiO2介电质。并用SOG(spinonglass)使表面平坦,加热去除SOG中的溶剂。然后再沉积一层介电质,为沉积第二层金属作准备。(1)薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同,厚度通常小于1um。
由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成,此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过切段,滚磨,切片,倒角,抛光,激光刻,包装后,即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片,这就是“晶圆”。晶圆基本原料编辑晶圆硅是由石英砂所精练出来的,晶圆便是硅元素加以纯化(),接着是将这些纯硅制成硅晶棒,成为制造集成电路的石英半导体的材料,经过照相制版,研磨,抛光,切片等程序,将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圆。硅片用于集成电路(IC)基板、半导体封装衬底材料,硅片划切质量直接影响芯片的良品率及制造成本。硅片划片方法主要有金刚石砂轮划片、激光划片。激光划片是利用高能激光束聚焦产生的高温使照射局部范围内的硅材料瞬间气化,完成硅片分离,但高温会使切缝周围产生热应力,导致硅片边缘崩裂,且只适合薄晶圆的划片。超薄金刚石砂轮划片,由于划切产生的切削力小,且划切成本低,是应用的划片工艺。由于硅片的脆硬特性,划片过程容易产生崩边、微裂纹、分层等缺陷,直接影响硅片的机械性能。同时,由于硅片硬度高、韧性低、导热系数低,划片过程产生的摩擦热难于快速传导出去。全自动晶元植球机作为关键的制造设备,在电子元件的生产中发挥着重要的作用。
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