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    截至目前，硅纳米化的方法较多，如cna公开了一种将微米粗硅粉通过球磨机研磨制备纳米硅粉的方法、cna中使用的化学气相沉积法、cna中使用等离子发生器分解硅烷法、cna中使用的镁热还原法等。其中，传统的机械研磨法较为简单、成本低，但由于高速砂磨过程中，局部颗粒碰撞温度较高，造成纳米硅氧化，纯度低，晶体缺陷多，颗粒分布不均匀等缺点，并且产品的粒径小为80nm，很难做到更小尺寸；而化学气相沉积法(cvd)采用硅烷为原料，制备粒径10-150nm范围，氧化程度低，但该方法产率较低，无法量产，且硅烷易燃易爆，使用其大规模制备存在安全问题；此外，镁热还原法可以控制产品的粒径与形貌，然而产品中的反应残余物较多，有氧化镁、二氧化硅等较难剔除，产品纯度不高，无法量产。 国产纳米硅磨石地坪哪家好？国产纳米硅磨石地坪

    为了解决上述问题，本发明针对现有纳米硅制备方法存在产率低、成本高、产品颗粒尺寸较大、颗粒不均匀、产生的副产物难以去除导致纳米硅产品纯度不高等不足，提供了一种新的纳米硅的制备方法，该方法在催化剂的存在下，利用还原剂将硅化物进行还原，制备纯度高、产率高、尺寸均匀且可控的纳米硅。本发明所提供的方法成本备工艺简单，易放大进行工业化生产。6.为了达到上述目的，本发明提供了一种低温还原制备纳米硅的方法，该方法由硅化物、还原剂和催化剂在一定条件下按照一定的比例反应后通过后处理制备成纳米硅。7.在本发明提供的一些技术方案中，所述硅化物为卤化硅，选自sicl4、sibr4、sii4中的至少一种；所述还原剂为金属还原剂，选自li、na、k、mg、al、ca、al、rb、cs、sr、ba、y中的至少一种或多种。 宁波什么是纳米硅磨石地坪供应商绍兴本地纳米硅磨石地坪材料区别？

    纳米硅硅纳米线:硅纳米线可以作为纳电子器件的结构单元，也可以用于制作太阳电池、化学和生物传感器等器件。硅纳米线可以利用物理蒸发、物理溅射、物理刻蚀、化学气相沉积、化学腐蚀(化学刻蚀)和溶液法等多种技术制备，其中化学气相沉积和化学腐蚀是主要采用的技术方法。利用CVD制备硅纳米线时，一般利用SiH4和SiCl4,等硅源气体在高温下分解，然后在置有Fe/Co/Ni/Au等金属催化剂的硅片上形成;通过控制SiH4等硅源气体的浓度和流量、反应温度、反应时间和金属催化剂的颗粒大小等因素，可以控制硅纳米线的直径和长度，其生长机理是气一固一液(VSL)生长模型。化学腐蚀(刻蚀)则是将硅片放置在含有贵金属离子(如银离子)的氢氟酸溶液中，或者将表面沉积金属(金，银)薄膜的硅片浸入含有氧化剂(如硝酸铁、双氧水等)的氢氟酸溶液中进行刻蚀，从而在硅表面产生选择性腐蚀，形成大面积定向排布的硅纳米线阵列。

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