PCB/PCBA绝缘失效失效机理绝缘电阻是表征PCB绝缘性能的一个简单而且容易测量的指标,绝缘失效是指绝缘电阻减小。一般,影响绝缘电阻的因素有温度、湿度、电场强度以及样品处理等。绝缘失效通常可能发生在PCB表面或者内部,前者多见于电化学迁移(ECM)或化学腐蚀,后者则多见于导电阳极丝(CAF)。1、电化学迁移(ECM)电化学迁移是在直流电压的影响下发生的离子运动。在潮湿条件下,金属离子会在阳极形成,并向阴极迁移(见图6.1),形成枝晶。当枝晶连接两种导体时,便造成了短路,而且枝晶会因电流骤增而发生熔断。1、电化学迁移(ECM)电化学迁移是在直流电压的影响下发生的离子运动。在潮湿条件下,金属离子会在阳极形成,并向阴极迁移(见图6.1),形成枝晶。当枝晶连接两种导体时,便造成了短路,而且枝晶会因电流骤增而发生熔断。2、导电阳极丝(CAF)目前公认的CAF成因是铜离子的电化学迁移随着铜盐的沉积。在高温高湿条件下,PCB内部的树脂和玻纤之间的附力劣化,促成玻纤表面的硅烷偶联剂产生水解,树脂和玻纤分离并形成可供离子迁移的通道。实现多通道电流同时采集,实时监控测试样品离子和材料绝缘劣化过程。浙江电阻测试以客为尊
测量电阻。采用50V的直流偏置电压,用100V的测试电压测试每块板的菊花链网络的绝缘电阻前至少充电60S的时间。偏置电压的极性和测试电压的极性必须随时保持一致。4、在初始的绝缘电阻测量后关闭测试系统,使样品在65±2℃或85±2℃、相对湿度为87+3/-2%RH、无偏压的环境下静置96个小时(±30分钟)。96个小时(±30分钟)的静置期后,在每个菊花链网络和地之间测试绝缘电阻。5、确认所有的测试样品的连接是有效的,每个测试电路对应适当的限流电阻。然后将测试板与电源相连开始进行T/H/B部分的CAF测试。广州维柯信息技术有限公司的高低阻(CAF/TCH)测试系统可以做到浙江电阻测试以客为尊精度高:优于同业产品。
几十年来,行业标准一直认为SIR测试是比较好的方法。然而,在实践中,这种方法有一些局限性。首先,它是在标准梳状测试样板上进行的,而不是实际的组装产品。根据不同的PCB表面处理、回流工艺条件、处理工序等,需要进行**的测试设置。而且测试方法的选择,可能需要组装元器件,也可能不需要。由于和助焊剂分类有关,这些因素的标准化是区分可比较的助焊剂类别的关键。另一方面,工艺的优化和控制可能会遗漏一些关键的失效来源。其次,由于组件处于生产过程中,无法实时收集结果。根据测试方法的不同,测试时间**少为72小时,**多为28天,这使得测试对于过程控制来说太长了。从而促使制造商寻求能快速有效地表征电化学迁移倾向的测试方法,以控制组装工艺。
表面绝缘电阻(SIR)IPC-TM-650方法定义了在高湿度环境下表面绝缘电阻的测试条件。SIR测试在40°C和相对湿度为90%的箱体里进行。样板的制备和ECM测试一样,都是依据方法制备(如图1)。***版本的测试要求规定每20分钟要检查一次样板。在七天的测试中,不同模块之间的表面绝缘电阻值衰减必须少于10Ohms,但是要排除**开始24小时的稳定时间。电压是恒定不变的。这和ECM测试在很多方面不一样。两者的不同点是:持续时间、测试箱体条件和频繁测量数据的目的。样板同样需要目测检查枝晶生长是否超过间距的20%和是否有任何腐蚀引起的变色问题。提高失效分析效率,满足客户测试需求。
确认适当的偏置电压已经被加载在样品上进行周期性测试。为了比较不同内层材料和制程的耐CAF性能,使用100V直流偏压的标准CAF测试条件。为了确认测试结果与实际寿命之间的关系,第二个偏置电压条件需要选择给定的最高工作电压的两倍。当一个较小的偏置电压不能有效地区别更多不同的耐CAF材料和制程时,更高的偏置电压由于会线性地影响失效时间,应该被避免采用。这是因为过高的偏置电压会抵消掉相对湿度的影响,而相对湿度由于局部加热的原因是非常重要的失效机制部分。广州维柯信息技术有限公司导通电阻测试低阻测试系统。浙江离子迁移绝缘电阻测试系统解决方案
GWHR-256多通道 SIR/CAF实时监控测试系统适用于IPC-TM-650标准,测试速度 20mS/所有通道。浙江电阻测试以客为尊
有数据统计90%以上的电阻在大气环境中使用[1],因此不可避免地受到工作环境中的温度、湿度、灰尘颗粒及大气污染物的影响,很容易发生电化学迁移。电化学迁移被认为是电阻在电场与环境作用下发生的一种重要的失效形式,会导致产品在服役期间发生漏电、短路等故障。1失效分析某一批智能水表上的电路板使用大约2年后其内部电阻存在短路失效的情况。1.1机械开封机械开封后1#电阻样品表面形貌如图1所示,可明显发现电阻表面有一层金属光泽异物粘附,异物呈树枝状结晶,由一端电极往另一端电极方向生长,并连接了电阻两端电极;一端电表表面发生溶解,且溶解的端电极表面存在黑色腐蚀产物。浙江电阻测试以客为尊
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