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作用及分类编辑作用1、维持发电机端电压在给定值，当发电机负荷发生变化时，通过调节磁场的强弱来恒定机端电压。2、合理分配并列运行机组之间的无功分配。3、提高电力系统的稳定性，包括静态稳定性和暂态稳定性及动态稳定性,分类按整流方式可分为旋转式励磁和静止式励磁两大类。其中旋转式励磁又包括直流交流和无刷励磁；静励磁止式励磁包括电势源静止励磁机和复合电源静止励磁机。一般我们把根据电磁感应原理使发电机定子形成旋转磁场的过程称为励磁.励磁分类方法很多，比如按照发电机励磁的交流电源供给方式来分类：电子线圈选哪家，无锡东英电子为您服务！期待您的来电！黑龙江电子线圈值得推荐

    本实用新型涉及电磁线圈技术领域，具体为一种阵列电磁线圈盘。背景技术：磁线盘是一种运用电磁感应原理进行加热的技术，主要应用于电磁炉。目前，市面上常见的电磁炉的其工作原理是通过给线圈通电以产生交变磁场，当用含铁质锅具底部放置炉面时，锅具即切割交变磁力线而在锅具底部金属部分产生交变的电流(即涡流)，涡流使锅具铁分子高速无规则运动，分子互相碰撞、摩擦而产生热能，使铁质锅具本身自行高速发热，用来加热和烹饪食物，从而达到煮食的目的。目前市场上常见的电磁线圈盘主要针对功能性进行发展，其中对电磁炉方面有大量的使用，其具有发热速度快，使用简单，结构合理且安全等优势，但是在实际使用过程中，发热效果相对不够均匀，且电磁线圈发热时可能产生大量的辐射，对孕妇等特殊人群产生伤害，防辐射性能相对不够好，为此我们提出一种阵列电磁线圈盘来解决上述问题。技术实现要素：(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种阵列电磁线圈盘，具备发热效果均匀且防辐射效果好等优点，解决了在实际使用过程中，发热效果相对不够均匀，且电磁线圈发热时可能产生大量的辐射，对孕妇等特殊人群产生伤害，防辐射性能相对不够好的问题。 重庆电子线圈质量保证电子线圈推荐，无锡东英电子值得信赖，期待您的光临！

    二)技术方案为实现上述发热效果均匀且防辐射效果好的目的，本实用新型提供如下技术方案：一种阵列电磁线圈盘，包括安装板，所述安装板的正面开设有安装槽，所述安装槽的内部固定安装有六个线圈隔断条，所述安装槽的内部通过六个线圈隔断条分割为十六个发热槽，所述发热槽的内部均固定安装有环形线圈模块，所述环形线圈模块位于线圈隔断条的内侧，所述环形线圈模块由七个电磁线圈组成，七个所述电磁线圈依次电连接，所述环形线圈模块的外侧固定安装有防辐射外环，所述防辐射外环与环形线圈模块的连接设置有隔热圈，所述隔热圈的内侧固定连接于环形线圈模块的外侧，所述隔热圈的外侧固定连接于防辐射外环的内侧，十六个所述环形线圈模块均固定连接有导线，十六个所述环形线圈模块通过导线串联，所述导线与环形线圈模块电连接，所述导线贯穿线圈隔断条串联于十六个环形线圈模块，所述安装板的顶部开设有电源孔，所述电源孔的底部连通安装槽的顶部，所述电源孔的内部设置有外接线，所述外接线依次贯穿防辐射外环和隔热圈并延伸至隔热圈的内侧，所述外接线的底部固定连接于其正下方的环形线圈模块内。推荐的，所述线圈隔断条包括横向隔断条与纵向隔断条。

导致控制器三相输出线短路时的短路电流各不相同，所以设计者应跟据自己的实际电路和使用条件设计合理的保护时间。短路保护时间计算步骤：计算MOSFVBHET短路时允许的瞬态温升因为控制器有可能是在正常工作时突然短路，所以我们的设计应是基于正常工作时的温度来计算允许的瞬态温升。MOSFET的结点温度可由下式计算：Tj=Tc+P×Rth(jc)其中：Tc：MOSFET表面温度Tj：MOSFET结点温度Rth(jc)：结点至表面的热阻，可从元器件Dateet中查得。理论上MOSFET的结点温度不能超过175℃，所以电机相线短路时MOSFET允许的温升为：Trising=Tjmax-Tj=175-109=66℃。根据瞬态温升和单脉冲功率计算允许的单脉冲时的热阻由图2可知，短路时MOSFET耗散的功率约为：P=Vds×I=25×400=10000W脉冲的功率也可以通过将图二测得波形存为EXCEL格式的数据，然后通过EXCEL进行积分，从而得到比较精确的脉冲功率数据。对于MOSFET温升计算有如下公式：Trising=P×Zθjc×Rθjc其中：Rθjc------结点至表面的热阻，可从元器件Dateet中查得。Zθjc------热阻系数Zθjc=Trising÷(P×Rθjc)Zθjc=66÷(10000×)=根据单脉冲的热阻系数确定允许的短路时间由图3下面一条曲线(单脉冲)可知，对于单脉冲来说。电子线圈哪家专业，无锡东英电子值得信赖，详细可访问我司官网查看！

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