化学气相沉积闸阀三星半导体

微泰半导体闸阀的特点：阀门驱动部分的所有滚子和轴承都进行了防护处理，形成屏蔽和保护环（Shield Blocker 和 Protection Ring）用三重预防方式切断粉末（Powder），延长阀门驱动和使用寿命。三重预防驱动方式的Shield功能可防止气体和粉末侵入阀体内部，有三重保护驱动保护环，长久延长GV寿命的Shield方法-供应给海外半导体T公司、M公司和I公司Utility设备。挡板与阀体的距离小于1mm，阻挡内部粉末和气体的流入，屏蔽挡板是采用1.5 t AL材料，考虑了复原力，并采用Viton粉末热压制成。三重保护保护环的主要功能说明-AL材料的重量减轻和保护环内部照明的改善-保护环内部流速的增加-三元环应用确保驱动性能。真空闸阀广泛应用于各个行业，包括半导体制造、研发、分析类仪器和真空镀膜。化学气相沉积闸阀三星半导体

微泰，大闸阀、大型闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。微泰大闸阀、大型闸阀其特点是*陶瓷球机构产生的低颗粒*使用维修配件工具包易于维护*应用:用于研发和工业的隔离阀。大闸阀、大型闸阀规格如下：驱动方式：气动、法兰尺寸（内径）：16˝ ~ 30˝、 法兰型：ISO、JIS、ASA 、馈通：Viton O-Rin、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：可调节、工作压力范围：1×10-8 mbar to 1000 mbar 、维护前可用次数：10,000 ~ 100,000次、开启时压差 ≤ 30 mba、泄漏率 < 1×10 -9  mbar ℓ/sec、阀体温度≤ 150 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304或316L)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：6~ 8 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。 转移闸阀UMC介质可向两侧任意方向流动，易于安装。闸阀通道两侧是对称的。

微泰半导体闸阀的特点，首先介绍一下起三重保护的保护环机能，采用铝质材料减少重量，并提高保护环的内部粗糙度，防止工程副产物堆积黏附。提升保护环内部流速设计，保护环逐步收窄，提升流速，防止粉尘黏附。采用三元系O型圈，保证保护环驱动稳定（保证30万次驱动）。微泰半导体闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代HVA闸阀、VAT闸阀。上海安宇泰环保科技有限公司。

微泰半导体闸阀具有诸多特点：其阀门驱动部分的所有滚子和轴承都经过精心防护处理，形成屏蔽和保护环（Shield Blocker 和 Protection Ring），通过三重预防方式有效切断粉末（Powder），从而延长阀门驱动及使用寿命。该闸阀采用的三重预防驱动方式中的 Shield 功能，能够出色地防止气体和粉末侵入阀体内部，同时具备三重保护驱动保护环，可延长 GV 寿命的 Shield 方法，并已供应给海外半导体 T 公司、M 公司和 I 公司的 Utility 设备。此外，挡板与阀体之间的距离小于 1mm，能够强力阻挡内部粉末和气体的流入，屏蔽挡板采用 1.5t AL 材料制成，充分考虑了其复原力，并通过 Viton 粉末热压工艺制成。而三重保护保护环的主要功能则包括：AL 材料的重量减轻和保护环内部照明的改善、保护环内部流速的增加以及三元环的应用确保了驱动性能的提升。闸阀高度大，启闭时间长。闸板的启闭行程较大，升降是通过螺杆进行的。

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，控制系统闸阀，控制闸阀、控制系统插板阀、控制系统闸阀具有可隔离的闸阀，以滑动方式操作，可以在高真空环境中实现精确的压力控制。如半导体等高真空工艺应用。控制系统闸阀是自动控制到用户指定的值，通过控制器和步进电机保持一致的真空压力。微泰半导体闸阀被广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，可替代 HVA 闸阀、VA T闸阀。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。该闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。闸板有刚性闸板和弹性闸板，根据闸板的不同，闸阀分为刚性闸阀和弹性闸阀。转移闸阀UMC

微泰控制系统阀门是安装在半导体CVD设备中的主要阀门。控制系统阀门起到调节腔内压力的作用。化学气相沉积闸阀三星半导体

微泰，专门用闸阀应用于• Evaporation• Sputtering• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD• Coating• Etch• Diffusion（扩散）•CVD等设备上。可替代VAT闸阀。期特点是*使用维修配件工具包易于维护*将电磁阀和位置传感器连接到15针D-Sub*锁定功能*限位开关*•速度控制器&电磁阀（2Port+N2Port）用不锈钢管连接（φ6）*应用:泵隔离,产品工艺水平要求高的地方。专门用闸阀规格如下：驱动方式：气动、法兰尺寸：4英寸~ 8英寸、法兰类型：ISO, JIS, ASA, CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：Viton O型圈、响应时间：≤ 0.3 sec ~2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：4˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、初次维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、Micron,Global Foundries、英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体业绩。

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