CVD闸阀英菲尼亚半导体

微泰半导体闸阀具有诸多特点：其阀门驱动部分的所有滚子和轴承都经过精心防护处理，形成屏蔽和保护环（Shield Blocker 和 Protection Ring），通过三重预防方式有效切断粉末（Powder），从而延长阀门驱动及使用寿命。该闸阀采用的三重预防驱动方式中的 Shield 功能，能够出色地防止气体和粉末侵入阀体内部，同时具备三重保护驱动保护环，可延长 GV 寿命的 Shield 方法，并已供应给海外半导体 T 公司、M 公司和 I 公司的 Utility 设备。此外，挡板与阀体之间的距离小于 1mm，能够强力阻挡内部粉末和气体的流入，屏蔽挡板采用 1.5t AL 材料制成，充分考虑了其复原力，并通过 Viton 粉末热压工艺制成。而三重保护保护环的主要功能则包括：AL 材料的重量减轻和保护环内部照明的改善、保护环内部流速的增加以及三元环的应用确保了驱动性能的提升。真空闸阀广泛应用于各种真空系统和工艺过程中，如半导体生产、电子设备制造、科研实验、航空航天等领域。CVD闸阀英菲尼亚半导体

微泰，铝闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。期特点是*不论什么工艺的设备都可以使用*由半永久性陶瓷球和弹簧组成*应用:隔离泵。铝闸阀规格如下：驱动方式：手动、法兰尺寸：1.5英寸~ 10英寸、阀体：AL6061 (Anodizing)、机械装置：AL6061 (Anodizing)、阀门：O型圈(VITON)、真空密封：O型圈(VITON)、响应时间≤ 3 sec、驱动器：气缸、操作泄漏率< 1×10-10 mbar ℓ/sec、压力范围：< 1×10-10 mbar ℓ/sec、开始时的压差：≤ 30 mbar、初次维护前可用次数100,000次、阀体温度≤ 120 °执行机构温度≤ 60 °C、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。可替代VAT阀门。扩散闸阀BUTTERFLY VALVE闸阀的结构长度(系壳体两连接端面之间的距离)较小。

微泰，控制系统闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是• 主体材质：不锈钢• 紧凑型设计• 带步进电机的集成压力控制器• 应用：需要压力控制和隔离的地方。控制系统闸阀规格如下：法兰尺寸（ID）：1.5英寸~ 10英寸、材料：阀体(STS304)/机构STS304、STS420、馈通：旋转馈通、执行器：步进电机、氦泄漏率1X10-9 mbar.l/sec、压力范围：1×10-8 mbar to 1.4 bar、闸门上的压差≤1.4bar、维护前可用次数：100,000次、阀体温度≤ 150 °、控制器≤35°C、安装位置：任意、接口RS232、RS485、Devicenet、Profibus、EtherCat。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。

微泰，三(多)位闸阀、三位闸阀、多位闸阀应用于• 蒸发•溅射• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD• 涂层• 蚀刻• 扩散•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*3个位置功能-阀门打开,阀门关闭,第3位置*设备可通过连接到阀门的9 Pin D-Sub来读取阀门状态*手动和气动阀门组合*应用:需要压力控制的任何其他过程*应用:需要压力控制的地方。三位闸阀、多位闸阀规格如下：驱动方式：气动、法兰尺寸：2.5英寸~ 12英寸、法兰类型ISO, JIS, ASA, CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：Viton O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：2.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 60 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩真空闸阀的设计具有独特的特征。它们具有坚固的结构，通常使用不锈钢或铝等材料来抵抗真空条件。

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀Heating gate valve，加热插板阀，加热闸阀，加热器的加热温度为180-200度（可通过控制器设置温度）-规格：适用双金属（达到200度时，断电后温度下降后重新启动），应用于去除粉末/气体设备。微泰，加热闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。加热闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法兰类型：ISO、JIS、ASA、CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。闸阀形体简单，结构长度短，制造工艺性好，适用范围广。CVD闸阀英菲尼亚半导体

用真空闸阀时，应考虑与工艺气体的兼容性、工作压力范围、循环速度和维护要求等因素。CVD闸阀英菲尼亚半导体

微泰半导体闸阀与其他类型闸阀相比，具有以下一些优势：1. 高精度控制：能更精确地调节流体流量。2. 适应半导体环境：对温度、真空等条件有更好的适应性。3. 低颗粒产生：减少对晶圆等的污染。4. 长寿命和可靠性：确保稳定运行，减少维护成本。5. 多功能应用：可适用于多种半导体工艺设备。微泰半导体闸阀被广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，可替代 HVA 闸阀、VA T闸阀。该闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。CVD闸阀英菲尼亚半导体