闸阀HV GATE VALVE

微泰，三重防护闸阀、三防闸阀，应用于• Evaporation• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD• 涂层• Etch• Diffusion•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。微泰三重防护闸阀、三防闸阀其特点是• 阀门控制器（1CH ~ 4CH）• 应用：半导体生产线中粉末和气体等副产品的处理，防止回流。三重防护闸阀、三防闸阀规格如下：操作：气动、法兰尺寸（内径） 2.5˝ ~ 10˝、法兰类型ISO，KF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型环/Kalrez O型环、阀盖密封：Viton O型圈、响应时间：≤ 0.3 sec ~ 0.6 sec、操作压力范围： 1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 8˝ ~ 10˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar、闸门上的压差； 1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 10˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10-10 mbar ℓ/sec、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。为特定的真空系统和工艺选择适当尺寸和类型的真空闸阀对于确保高效运行和可靠的真空完整性至关重要。闸阀HV GATE VALVE

微泰半导体闸阀的工作原理主要是通过闸板的升降来控制流体的通断。当闸板升起时，闸阀打开，允许流体通过；当闸板降下时，闸阀关闭，阻止流体通过。在具体工作中，它利用各种机构和设计来实现精确的控制和可靠的密封，以满足半导体设备中对工艺控制的要求。微泰半导体闸阀被广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，可替代 HVA 闸阀、VA T闸阀。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。该闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。金属闸阀Micron为了避免在颗粒敏感应用中产生颗粒，滑动闸门机构的设计旨在避免阀壳处的摩擦。

微泰，三(多)位闸阀、三位闸阀、多位闸阀应用于• 蒸发•溅射• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD• 涂层• 蚀刻• 扩散•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*3个位置功能-阀门打开,阀门关闭,第3位置*设备可通过连接到阀门的9 Pin D-Sub来读取阀门状态*手动和气动阀门组合*应用:需要压力控制的任何其他过程*应用:需要压力控制的地方。三位闸阀、多位闸阀规格如下：驱动方式：气动、法兰尺寸：2.5英寸~ 12英寸、法兰类型ISO, JIS, ASA, CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：Viton O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：2.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 60 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩

微泰，加热闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*使用加热套或内部加热器加热*加热控制器*应用:去除粉末/气体设备。加热闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法兰类型：ISO、JIS、ASA、CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 200 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。介质可向两侧任意方向流动，易于安装。闸阀通道两侧是对称的。

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。这节介绍加热闸阀、加热式闸阀护套、加热器插入式阀门。带加热器闸阀，加热器插入闸阀：产品范围：2~12英寸•高压/超高压都可用•维护前可用次数：20万次•响应时间：0.2秒~3秒；客户指定法兰，加热温度：450℃；蝶形阀；蝶阀：产品范围：DN40、DN50隔离•泄漏率：1.0E-9mbar·l/秒；有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，可替代HVA闸阀、VAT闸阀。上海安宇泰环保科技有限公司关闭真空阀涉及将闸门移动穿过流路以形成密封。金属闸阀Micron

闸阀不易产生水锤现象。原因是关闭时间长。闸阀HV GATE VALVE

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，一、控制系统闸阀。控制系统闸阀具有可隔离的闸阀，以滑动方式操作，可以在高真空环境中实现精确的压力控制。如半导体等高真空工艺应用。控制系统闸阀是自动控制到用户指定的值，通过控制器和步进电机保持一致的真空压力。二、蝶阀。该蝶阀具有紧凑的设计和坚固的不锈钢结构，通过闸板旋转操作。蝶阀可以实现精确的压力控制和低真空环境。例如半导体和工业过程。蝶阀通过控制器和步进电机自动控制到用户指定的值，保持一致的真空压力。三、多定位闸阀。多定位闸阀是一种利用压缩空气或氮气控制闸阀位置的阀门。它在阀门的顶部有一个内置控制器，可以在本地和远程模式下操作。它还具有紧急关闭功能，以应对泵停止或CDA压缩干空气丢失的情况。其特点之一是能够远程检查阀门状态，并可用于具有不同法兰类型的各种工艺。多定位闸阀具有可隔离的闸阀，以滑动方式操作，适用于需要压力控制的所有加工领域。采用手动调节控制装置控制，用户可直接控制闸门的开启和关闭，以调节压力。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。闸阀HV GATE VALVE