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能带结构:两种材料的导带底(Ec)和价带顶(Ev)在界面处存在能量差(ΔEc、ΔEv),形成“势垒”或“量子阱”,可有效限制载流子在特定区域(如在窄禁带材料中运动)。例:在p型宽禁带半导体与n型窄禁带半导体形成的异质结中,电子被限制在窄禁带的n型材料一侧,空穴被限制在宽禁带的p型材料一侧,减少复合,提升器件效率。关键优势:载流子调控灵活:通过选择材料组合,可优化器件的光电转换、信号传输等性能。低复合率:界面处的势垒可抑制载流子复合,延长其寿命,适用于高灵敏度光电器件。多功能集成:可结合不同材料的特性(如宽禁带材料的高击穿场强、窄禁带材料的强光吸收能力),实现单一材料无法达到的功能。
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