福建高纯度氧化铝粉粒度在线分析仪价格

CMP(化学机械抛光)工艺中磨料颗粒的高精度粒径表征随着半导体工业飞速发展，电子器件尺寸缩小，要求晶片表面平整度达到纳米级。CMP工艺作为芯片制造业不可或缺的一个部分，其对于磨料的颗粒粒度表征要求十分重要。CMP过程中使用的磨料颗粒典型尺寸范围是10-200nm，其颗粒表征要求精确地确定纳米级颗粒的尺寸，因此高分辨率纳米粒度分析仪是磨料颗粒表征的完美解决方案。磨料对CMP工艺起着至关重要的作用！欢迎选用CPS纳米粒度分析仪为您完美解决磨料颗粒问题！驰光机电科技尊崇团结、信誉、勤奋。福建高纯度氧化铝粉粒度在线分析仪价格

被测物料不溶于水，就用自来水作为试剂，以节约成本；被测物料在水中悬浮，可用乙醇将粉末湿润后放入样品槽；超声分散的时间为15-60秒，测试结果一直稳定，不可再变化，说明样粉已被充分分散。有些试样由于强度低，超声分散太长，有可能产生粉碎，使测试结果越来越细。有些试样不易分散，也可加长分散时间。激光粒度仪的相关知识点就先说到这里了，这款产品还有很多的常识等着各位来发现与了解，如果您还想要了解更多内容，还请先关注好我们，华致林小编会不定期在此跟大家分享更多的信息。浙江病毒颗粒分析仪厂家我公司生产的产品、设备用途非常多。

对于粒径分布范围很宽的样品，通过可选的速度调节功能圆盘，只需常规圆盘分析时间的1/20。经过CPS纳米粒度仪对裂解后炭黑进行粒径测试后的结果所示：与扫描电镜所显示的结果基本一致，裂解后的炭黑较小粒径为3um，较大可至50多微米，并且出现很多峰值，证明样液中具有不同粒径且含量不同的的炭黑。峰值粒径处于30um左右。真实反映了不同炭黑粒径的分布状态。随着半导体工业飞速发展，电子器件尺寸缩小，要求晶片表面平整度达到纳米级。作为芯片制造不可或缺的一环，CMP工艺在设备和材料领域历来是受欢迎的。

测量低密度颗粒：示差沉降法过去一般用于测量密度大于分散介质液体密度的颗粒，CPS开发了一项新的技术技术(US Patent5,786,898)。很多用常规示差沉降法很难或者不可能分析的材料(例如油乳液、蜡乳液、粘性乳液或脂质体)，现在可以方便地使用CPS进行分析，而且精度很高。速度调节：CPS开发了一种特殊的圆盘设计使得在分析过程中可以调节圆盘的转速，而不会对沉降液体产生扰动，转速可以在20倍范围内升高或者降低，这样一来就使得分析的动态范围几乎增大了20倍。驰光机电品质好、服务好、客户满意度高。

而CMP工艺离不开研磨料的发展，那么对于磨料的颗粒粒度表征就显得尤为重要了。CMP就是用化学腐蚀和机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平滑处理。将硅片固定在抛光头的较下面，将抛光垫放置在研磨盘上，抛光时，旋转的抛光头以一定的压力压在旋转的抛光垫上，由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的研磨液在硅片表面和抛光垫之间流动，然后研磨液在抛光垫的传输和离心力的作用下，均匀分布其上，在硅片和抛光垫之间形成一层研磨液液体薄膜。驰光机电科技有限公司累积点滴改进，迈向优良品质！福建高纯度氧化铝粉粒度在线分析仪价格

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CMP浆料粒度分析的难点在于必须在抛光过程中全浓度条件下快速测定平均颗粒直径和粒度分布，因为稀释可能导致浆料稳定性和粒度的变化(比如进一步的团聚或解聚)，另外在稀释后的浆料中很难检测本来就较少量的团聚体。CPS-24000型纳米粒度分析仪是较新型的纳米粒度分析仪，它采用斯托克斯定律分析方法，V=D²(ρP-ρF)G/18η，即颗粒沉降的速度与颗粒的尺寸平方成正比来进行粒度的测量，因此粒径相差小至1%的颗粒都可以明显分辨出来。适用于稀到高浓度的样品粒度测定，对团聚体的存在非常敏感。福建高纯度氧化铝粉粒度在线分析仪价格

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