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而化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)是集成电路芯片的一个关键制程,国内抛光所用关键材料CMP抛光垫,几乎全部依赖进口。CMP典型的抛光浆料都是纳米级发烟硅石(5Vol%,170-230nm)、高纯硅胶(9Vol%,6-80nm)、氧化铈(6Vol%,200-240nm)或氧化铝颗粒,它们的粒度或粒度分布必须小心地进行控制以免在抛光面上产生刮痕。CMP浆料的分散稳定性和保存期也是必须被认真考虑的重要环节。这种纳米浆料的使用浓度一般在(5-30W%),容易聚集。随着贮存时间延长,它的粒度可能增大从而导致损害的产生。驰光机电科技有限公司不断提高产品的质量。
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