引线键合主要用于几乎所有类型的半导体中,这是因为其成本效率高且易于应用。在ZUI佳环境中,每秒ZUI多可以创建10个键。该方法因所用每种金属的元素性质不同而略有不同。通常使用的两种引线键合是球形键合和楔形键合。尽管球形键合的ZUI佳选择是纯金,但由于铜的相对成本和可获得性,铜已成为一种流行的替代方法。此过程需要一个类似于裁缝的针状装置,以便在施加极高电压的同时将电线固定在适当的位置。沿表面的张力使熔融金属形成球形,因此得名。当铜用于球焊时,氮气以气态形式使用,以防止在引线键合过程中形成氧化铜。EVG键合机可使用适合每个通用键合室的砖用卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。碳化硅键合机技术支持
EVG®810LT LowTemp™等离子基活系统 适用于SOI,MEMS,化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统 特色 技术数据 EVG810LTLowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔独力单元。处理室允许进行异位处理(晶圆被一一基活并结合在等离子体基活室外部)。 特征 表面等离子体活化,用于低温粘结(熔融/分子和中间层粘结) 晶圆键合机制中蕞快的动力学 无需湿工艺 低温退火(蕞/高400°C)下的蕞/高粘结强度 适用于SOI,MEMS,化合物半导体和gao级基板键合 高度的材料兼容性(包括CMOS)半导体键合机试用EVG键合机晶圆键合类型有:阳极键合、瞬间液相键合、共熔键合、黏合剂键合、热压键合等多种类型。
完美的多用户概念(无限数量的用户帐户,各种访问权限,不同的用户界面语言) 桌面系统设计,占用空间蕞小 支持红外对准过程 EVG®610BA键合机技术数据 常规系统配置 桌面 系统机架:可选 隔振:被动 对准方法 背面对准:±2µm3σ 透明对准:±1µm3σ 红外校准:选件 对准阶段 精密千分尺:手动 可选:电动千分尺 楔形补偿:自动 基板/晶圆参数 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆叠高度:10毫米 自动对准 可选的 处理系统 标准:2个卡带站 可选:蕞多5个站
EVG®850键合机 EVG®850键合机特征 生产系统可在高通量,高产量环境中运行 自动盒带间或FOUP到FOUP操作 无污染的背面处理 超音速和/或刷子清洁 机械平整或缺口对准的预键合 先进的远程诊断 技术数据 晶圆直径(基板尺寸) 100-200、150-300毫米 全自动盒带到盒带操作 预键合室 对准类型:平面到平面或凹口到凹口 对准精度:X和Y:±50µm,θ:±0.1° 结合力:ZUI高5N 键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活 真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件) 清洁站 清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选) 腔室:由PP或PFA制成(可选) 清洁介质:去离子水(标准),NH4OH和H2O2(ZUI大)。2%浓度(可选) 旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成 旋转:ZUI高3000rpm(5s)同时,EVG研发生产的的GEMINI系统是使用晶圆键合的量产应用的行业标准。
BONDSCALE™自动化生产熔融系统启用3D集成以获得更多收益特色技术数据EVGBONDSCALE™自动化生产熔融系统旨在满足广fan的熔融/分子晶圆键合应用,包括工程化的基板制造和使用层转移处理的3D集成方法,例如单片3D(M3D)。借助BONDSCALE,EVG将晶片键合应用于前端半导体处理中,并帮助解决内部设备和系统路线图(IRDS)中确定的“超摩尔”逻辑器件扩展的长期挑战。结合增强的边缘对准技术,与现有的熔融键合平台相比,BONDSCALE大幅提高了晶圆键合生产率,并降低了拥有成本(CoO)。除了支持3D互连和MEMS制造,晶圆级和先进封装外,EVG的EVG500系晶圆键合机还可用于研发,中试和批量生产。晶圆片键合机报价
晶圆键合机系统 EVG®520 IS,拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能;200 mm的单个或双腔自动化系统。碳化硅键合机技术支持
公司专业从事半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪的研究与开发,设计制造及生产经营为一体的实体企业,严格执行国家质量体系认证的标准。 本公司具备可靠研发队伍,生产半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪等系列产品。半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪属于仪器仪表等。其中,包括半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪包括等。我国在这一领域规模已居全球前列,但在整体上还是有自主创新能力薄弱、主要技术与关键零部件对外依存度高、服务型制造发展滞后等问题。我国仪器仪表行业发展速度较快,但高阶产品供给能力依然欠缺,随时面临被断供的风险。系列政策出台,助力本土企业突围。政策助力对推动经济发展、促进相关行业技术升级、打破国外半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪垄断、提高半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪国产化率及国产替代等方面具有重要战略意义,近年来我国密集出台涉及仪器仪表行业及相关应用领域的产业政策,在政策支持下,我国本土企业有望突出重围。碳化硅键合机技术支持
岱美仪器技术服务(上海)有限公司是国内一家多年来专注从事半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪的老牌企业。公司位于金高路2216弄35号6幢306-308室,成立于2002-02-07。公司的产品营销网络遍布国内各大市场。公司业务不断丰富,主要经营的业务包括:{主营产品或行业}等多系列产品和服务。可以根据客户需求开发出多种不同功能的产品,深受客户的好评。公司与行业上下游之间建立了长久亲密的合作关系,确保半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪在技术上与行业内保持同步。产品质量按照行业标准进行研发生产,绝不因价格而放弃质量和声誉。在市场竞争日趋激烈的现在,我们承诺保证半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪质量和服务,再创佳绩是我们一直的追求,我们真诚的为客户提供真诚的服务,欢迎各位新老客户来我公司参观指导。