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晶圆光刻机报价

来源: 发布时间:2022年08月29日

IQAligner®NT技术数据:产能:全自动:手次生产量印刷:每小时200片全自动:吞吐量对准:每小时160片晶圆工业自动化功能:盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄,弯曲,翘曲,晶圆边缘处理智能过程控制和数据分析功能(框架SW平台)用于过程和机器控制的集成分析功能并行任务/排队任务处理功能设备和过程性能根踪功能智能处理功能事/故和警报分析/智能维护管理和根踪晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米对准方式:顶部对准:≤±0,25µm底侧对准:≤±0.5µm红外对准:≤±2,0µm/取决于基材EVG的掩模对准目标是适用于高达300 mm的不同的厚度,尺寸,形状的晶圆和基片。晶圆光刻机报价

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EVG620NT或完全容纳的EVG620NTGen2掩模对准系统配备了集成的振动隔离功能,可在各种应用中实现出色的曝光效果,例如,对薄而厚的光刻胶进行曝光,对深腔进行构图并形成可比的形貌,以及对薄而易碎的材料(例如化合物半导体)进行加工。此外,半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。EVG620NT特征:晶圆/基板尺寸从小到150mm/6''系统设计支持光刻工艺的多功能性易碎,薄或翘曲的多种尺寸的晶圆处理,更换时间短带有间隔垫片的自动无接触楔形补偿序列晶圆光刻机报价EVG所有光刻设备平台均为300mm。

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HERCULES光刻轨道系统技术数据:对准方式:上侧对准:≤±0.5µm;底侧对准:≤±1,0µm;红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基材先进的对准功能:手动对准;自动对准;动态对准。对准偏移校正:自动交叉校正/手动交叉校正;大间隙对准。工业自动化功能:盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄,弯曲,翘曲,边缘晶圆处理曝光源:汞光源/紫外线LED光源曝光设定:真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿:全自动软件控制;非接触式曝光选项:间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR实时远程访问,诊断和故障排除

EVG®6200NT掩模对准系统(半自动/自动)特色:EVG®6200NT掩模对准器为光学双面光刻的多功能工具和晶片尺寸高达200毫米。技术数据:EVG6200NT以其自动化灵活性和可靠性而著称,可在蕞小的占位面积上提供蕞先近的掩模对准技术,并具有蕞高的产能,先进的对准功能和优化的总拥有成本。操作员友好型软件,蕞短的掩模和工具更换时间以及高/效的全球服务和支持使它成为任何制造环境的理想解决方案。EVG6200NT或完全安装的EVG6200NTGen2掩模对准系统有半自动或自动配置,并配有集成的振动隔离功能,可在犷泛的应用中实现出色的曝光效果,例如薄和厚光刻胶的曝光,深腔和类似地形的图案,以及薄而易碎的材料(例如化合物半导体)的加工。此外,半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。只有接近客户,才能得知客户蕞真实的需求,这是我们一直时刻与客户保持联系的原因之一。

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EVG®150特征:晶圆尺寸可达300毫米多达6个过程模块可自定义的数量-多达20个烘烤/冷却/汽化堆多达四个FOUP装载端口或盒式磁带装载可用的模块包括旋转涂层,喷涂,NanoCoat™,显影,烘烤/冷却/蒸气/上等EV集团专有的OmniSpray®超声波雾化技术提供了****的处理结果,当涉及到极端地形的保形涂层可选的NanoSpray™模块实现了300微米深图案的保形涂层,长宽比*高为1:10,垂直侧壁广范的支持材料烘烤模块温度高达250°CMegasonic技术用于清洁,声波化学处理和显影,可提高处理效率并将处理时间从数小时缩短至数分钟HERCULES的桥接工具系统可对多种尺寸的晶圆进行易碎,薄或翘曲的晶圆处理。晶圆光刻机报价

EVG的CoverSpin TM旋转盖可降低光刻胶消耗,并提高光刻胶涂层的均匀性。晶圆光刻机报价

IQAligner®NT曝光设定:硬接触/软接触/接近模式/柔性模式楔形补偿:全自动软件控制;非接触式IQAligner®NT曝光选项:间隔曝光/洪水曝光先进的对准功能:自动对准暗场对准功能/完整的明场掩模移动(FCMM)大间隙对准跳动控制对准IQAligner®NT系统控制:操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR实时远程访问,诊断和故障排除如果您需要确认准确的产品的信息,请联系我们。如果需要键合机,请看官网信息。晶圆光刻机报价

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