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微流体光刻机可以用于研发吗

来源: 发布时间:2024年05月11日

HERCULES光刻轨道系统技术数据:对准方式:上侧对准:≤±0.5µm;底侧对准:≤±1,0µm;红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基材先进的对准功能:手动对准;自动对准;动态对准。对准偏移校正:自动交叉校正/手动交叉校正;大间隙对准。工业自动化功能:盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄,弯曲,翘曲,边缘晶圆处理曝光源:汞光源/紫外线LED光源曝光设定:真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿:全自动软件控制;非接触式曝光选项:间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR实时远程访问,诊断和故障排除HERCULES对准精度:上侧对准:≤±0.5µm;底侧对准:≤±1,0µm;红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基材。微流体光刻机可以用于研发吗

微流体光刻机可以用于研发吗,光刻机

光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统(EVG6xx和IQAligner系列)以及高度集成的涂层平台(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG的所有光刻设备平台均为300mm,可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中,并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装:在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口;在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂;负侧壁,带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间;用于LIGA结构的高纵横比结构,用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果;西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上,展示了高分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力;MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。光刻机技术支持HERCULES的桥接工具系统可对多种尺寸的晶圆进行易碎,薄或翘曲的晶圆处理。

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光刻机软件支持基于Windows的图形用户界面的设计,注重用户友好性,并可轻松引导操作员完成每个流程步骤。多语言支持,单个用户帐户设置和集成错误记录/报告和恢复,可以简化用户的日常操作。所有EVG系统都可以远程通信。因此,我们的服务包括通过安全连接,电话或电子邮件,对包括经过现场验证的,实时远程诊断和排除故障。EVG经验丰富的工艺工程师随时准备为您提供支持,这得益于我们分散的全球支持机构,包括三大洲的洁净室空间:欧洲(HQ),亚洲(日本)和北美(美国).

这使得可以在工业水平上开发新的设备或工艺,这不仅需要高度的灵活性,而且需要可控和可重复的处理。EVG在要求苛刻的应用中积累了多年的旋涂和喷涂经验,并将这些知识技能整合到EVG100系列中,可以利用我们的工艺知识为客户提供支持。光刻胶处理设备有:EVG101光刻胶处理,EVG105光刻胶烘焙机,EVG120光刻胶处理自动化系统;EVG150光刻胶处理自动化系统。如果您需要了解每个型号的特点和参数,请联系我们,我们会给您提供蕞新的资料。或者访问我们的官网获取相关信息。IQ Aligner光刻机支持的晶圆尺寸高达200 mm / 300 mm。

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EVG的掩模对准系统含有:EVG610;EVG620NT半自动/全自动掩模对准系统;EVG6200NT半自动/全自动掩模对准系统;IQAligner自动掩模对准系统;IQAlignerNT自动掩模对准系统;【EVG®610掩模对准系统】EVG®610是一个紧凑的和多用途R&d系统,可以处理小基板片和高达200毫米的晶片。EVG®610技术数据:EVG610支持多种标准光刻工艺,例如真空,硬,软和接近曝光模式,并可选择背面对准功能。此外,该系统还提供其他功能,包括键合对准和纳米压印光刻(NIL)。EVG610提供快速的处理和重新安装工具,可满足用户需求的变化,转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念可以适应从初学者到**级别的所有需求,因此使其非常适合大学和研发应用。光刻机在集成电路制造中有重要的作用,能实现高分辨率、高精度图案转移,是微纳米器件制造关键工艺设备。云南光刻机推荐产品

EVG光刻机关注未来市场趋势 - 例如光子学 、光学3D传感- 并为这些应用开发新的方案和调整现有的解决方案。微流体光刻机可以用于研发吗

IQAligner®■晶圆规格高达200mm/300mm■某一时间内(弟一次印刷/对准)>90wph/80wph■顶/底部对准精度达到±0.5µm/±1.0µm■接近过程100/%无触点■可选Ergoload磁盘,SMIF或者FOUP■经准的跳动补偿,实现ZUI佳的重叠对准■手动装载晶圆的功能■IR对准能力–透射或者反射IQAligner®NT■零辅助桥接工具-双基片,支持200mm和300mm规格■无以伦比的吞吐量(弟一次印刷/对准)>200wph/160wph■顶/底部对准精度达到±250nm/±500nm■接近过程100/%无触点■暗场对准能力/全场青除掩模(FCMM)■经准的跳动补偿,实现ZUI佳的重叠对准■智能过程控制和性能分析框架软件平台微流体光刻机可以用于研发吗