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二、热探测器的分类热探测器一般分为测辐射热计、热电堆和热释电探测器三种类型。(1)测辐射热计这种探测器是由具有非常小热容量和大电阻温度系数的材料制成的，吸收IR后探测器的电阻会发生明显的变化，因此它们也被称为热敏电阻。常见的IR热辐射热计有以下几种类型：金属测辐射热计、半导体测辐射热计和微型室温硅测辐射热计（简称微测辐射热计），此外还有用于THz探测的测辐射热计。这些类型中，以微测辐射热计的技术**成熟、应用*****，它们在民用市场深受消费者的推崇，甚至在***市场也有一定的应用空间。氧化钒(Vox)与非晶Si是制作微测辐射热计**常用的材料。使用红外热像仪，可随时检测出远程监控站中设备故障与安全隐患，由此带来的净效应即可靠性提升，成本下降。testo 885红外热像仪批发

QDIP可视为QWIP红外热像仪的衍生品,将QWIP中的量子阱替代为量子点,便产生了QDIP｡对于QDIP而言,由于对电子波函数进行了三维量子阱约束,因而其暗电流比QWIP低,工作温度比QWIP高｡但QDIP对量子点异质结材料的质量要求很高,制作难度大｡在QDIP里,除使用标准的量子点异质结构外,还常用一种量子阱中量子点(dot-in-a-well, DWELL)异质结构｡QDIPFPA探测器也是第三代IR成像系统的成员之一｡一般而言,PC探测器的响应速度比PV慢,但QWIP PC探测器的响应速度与其它PV探测器相当,所以大规模QWIP FPA探测器也被研制了出来｡与HgCdTe—样,QWIP FPA探测器也是第三代IR成像系统的重要成员,这类探测器在民用与天文等领域都有着大量的使用案例｡可见光红外热像仪用途红外热像仪无需光线即可生成图像，能够在设备过热或隔热层。

但这样也会使量子效率降低;为维持高量子效率,需提高摻杂浓度,而如此一来又会导致暗电流激增,严重破坏探测器性能｡BIB探测器是解决以上困境的比较好解｡BIB探测器是传统非本征探测器在结构上的一种巧妙升级,即在吸收层与一侧电极之间引入一层高纯度的本征基底材料作为阻挡层来抑制暗电流,这样可以保证在吸收层掺杂浓度**增加的同时,暗电流也能维持在很低的水平｡不仅如此,掺杂浓度的增加也拓宽了探测器的响应范围｡关于红外热像仪芯片材料体系介绍就到这儿，对半导体感兴趣的同学，欢迎阅读其他文章！

对表面散热的计算还可以采用公式法，本文中的公式法源于《化工原理》中的传热学部分，对于具体传热系数的计算方法则来自于拉法基集团水泥工艺工程手册及拉法基集团热工计算工具中使用的经验计算公式。公式法将表面散热分为辐射散热和对流散热分别进行计算，表面的总热损失是辐射和对流损失的总和：Q总=Q辐射+Q对流。1）红外热像仪辐射散热而言，附件物体的表面会把所测外壳的热辐射反射回外壳，从而减少了热量的传递，辐射热量的减少量取决于所测外壳的大小、形状、发射率和温度。所测壳体的曲面以及壳体大小、形状和距离将影响可视因子，这里所说的可视因子是指可以被所测外壳“看到”的附件物体表面的比例。即使对于相对简单的形状，可视因子的计算也变得相当复杂，因此必须进行假设以简化计算。固定式红外热像仪可以实时监测到这些重点区域的温度情况，及时发现高温隐患，提高维修效率。

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红外热像仪光子探测器的探测机理是光电效应，依据工作模式的不同，它又可进一步分为光电导(photoconductive,PC)探测器、光伏(photovoltaic,PV)探测器、光电子发射(photoemissive,PE)探测器、光电磁(photoelectromagnetic,PEM)探测器和丹倍(Dember)探测器等子类型，其中前两个子类型探测器的发展**强劲、应用*****。常见的IR光子探测器有InGaAs探测器、InSb探测器、HgCdTe探测器、QWIP、QDIP、T2SLS探测器、铅盐探测器以及非本征探测器(主要指BIB探测器)等，不同材料体系工作波长及响应率范围如下图所示：testo 885红外热像仪批发