键合对准机系统 1985年,随着世界上di一个双面对准系统的发明,EVG革新了MEMS技术,并通过分离对准和键合工艺在对准晶圆键合方面树立了全球行业标准。这种分离导致晶圆键合设备具有更高的灵活性和通用性。EVG的键合对准系统提供了蕞高的精度,灵活性和易用性以及模块化升级功能,并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足蕞苛刻的对准过程。包含以下的型号:EVG610BA键合对准系统;EVG620BA键合对准系统;EVG6200BA键合对准系统;SmartViewNT键合对准系统;键合机晶圆对准键合是晶圆级涂层,晶圆级封装,工程衬底智造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等应用很实用的技术。湖北本地键合机
EVG的晶圆键合机键合室配有通用键合盖,可快速排空,快速加热和冷却。通过控制温度,压力,时间和气体,允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂,可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的独li温度控制补偿了不同的热膨胀系数,从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下,可以在真空下执行SOI/SDB(硅的直接键合)预键合。以上的键合机由岱美仪器供应并提供技术支持。 青海SUSS键合机EVG键合机键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠,用来执行随后的键合过程。
EVG®620BA键合机选件 自动对准 红外对准,用于内部基板键对准 NanoAlign®包增强加工能力 可与系统机架一起使用 掩模对准器的升级可能性 技术数据 常规系统配置 桌面 系统机架:可选 隔振:被动 对准方法 背面对准:±2µm3σ 透明对准:±1µm3σ 红外校准:选件 对准阶段 精密千分尺:手动 可选:电动千分尺 楔形补偿:自动 基板/晶圆参数 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米 厚度:0.1-10毫米 ZUI高堆叠高度:10毫米 自动对准 可选的 处理系统 标准:3个卡带站 可选:ZUI多5个站
Plessey工程副总裁JohnWhiteman解释说:“GEMINI系统的模块化设计非常适合我们的需求。在一个系统中启用预处理,清洁,对齐(对准)和键合,这意味着拥有更高的产量和生产量。EVG提供的有质服务对于快速有效地使系统联机至关重要。”EVG的执行技术总监PaulLindner表示:“我们很荣幸Plessey选择了我们蕞先进的GEMINI系统来支持其雄心勃勃的技术开发路线图和大批量生产计划。”该公告标志着Plessey在生产级设备投资上的另一个重要里程碑,该设备将GaN-on-Si硅基氮化镓单片microLED产品推向市场。 EVG所有键合机系统可以通过远程进行通信。
键合机特征高真空,对准,共价键合 在高真空环境(<5·10-8mbar)中进行处理 原位亚微米面对面对准精度 高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除 优异的表面性能 导电键合 室温过程 多种材料组合,包括金属(铝) 无应力键合界面 高键合强度 用于HVM和R&D的模块化系统 多达六个模块的灵活配置 基板尺寸蕞/大为200毫米 完全自动化 技术数据 真空度 处理:<7E-8mbar 处理:<5E-8毫巴 集群配置 处理模块:蕞小3个,蕞/大6个 加载:手动,卡带,EFEM 可选的过程模块: 键合模块 ComBond®基活模块(CAM) 烘烤模块 真空对准模块(VAM) 晶圆直径 高达200毫米对于无夹层键合工艺,材料和表面特征利于键合,但为了与夹层结合,键合材料沉积和组成决定了键合线的材质。SmartView NT键合机质量怎么样
EVG501晶圆键合机系统:真正的低强度晶圆楔形补偿系统,可实现醉高产量;研发和试生产的醉低购置成本。湖北本地键合机
一旦将晶片粘合在一起,就必须测试粘合表面,看该工艺是否成功。通常,将批处理过程中产生的一部分产量留给破坏性和非破坏性测试方法使用。破坏性测试方法用于测试成品的整体剪切强度。非破坏性方法用于评估粘合过程中是否出现了裂纹或异常,从而有助于确保成品没有缺陷。EVGroup(EVG)是制造半导体,微机电系统(MEMS),化合物半导体,功率器件和纳米技术器件的设备和工艺解决方案的lingxian供应商。主要产品包括晶圆键合,薄晶圆加工,光刻/纳米压印光刻(NIL)和计量设备,以及光刻胶涂布机,清洁剂和检查系统。成立于1980年的EVGroup服务于复杂的全球客户和合作伙伴网络,并为其提供支持。有关EVG的更多信息,请访问"键合机"。 湖北本地键合机