晶格失配度比较低时,红外热像仪InGaAs探测器的截止波长约为1.7μm,此时探测器所能达到的探测率是比较高的,接近于理论极限。由于在NIR波段表现出的优异性能,InGaAs探测器受到了来自包括美、法、德、日等多个国家的众多制造商的瞩目与重视,其中以美国TJT(Telddyne Judson Technologies)的成就**为突出。InGaAs探测器的响应波段刚好覆盖了夜空辉光的光谱带,有利于夜间观测目标物体的发射,因此在高空侦察方面有重要的应用价值,如美国U-2侦察机就装备了以InGaAs FPA探测器为**技术的SYERS Ⅱ照相机。红外热成像仪能够接收红外线,生成红外图像或热辐射图像,并且能够提供精确的非接触式温度测量功能。超高像素红外热像仪电话

截止目前,红外热像仪HgCdTe材料依旧是制作高性能IR光子探测器的比较好的材料。与InGaAs类似,HgCdTe也是一种三元系半导体化合物,其带隙也会随组分的改变而改变,借此HgCdTe探测器可覆盖1-22μm的超宽波段。HgCdTe探测器在NIR、MIR和LWIR三个波段都能表现出十分优异的性能,所以它问世不久便成为了IR探测器大家族中的霸主。然而,随着近些年InGaAs探测器的兴起,HgCdTe探测器在NIR波段的地位日趋下降;在MIR波段,虽然InSb探测器的探测率不如HgCdTe探测器,但由于InSb的材料生长技术比HgCdTe成熟,HgCdTe探测器在该波段已达不到一家独大的地步;对于LWIR波段,HgCdTe探测器仍具有很强的统治地位。PYROLINE HS320N compact+ 红外热像仪样品红外热像仪主要用于测试DEW 仪器和分析目标影响。

热电堆又叫温差电堆,它利用热电偶串联实现探测功能,是较为古老的一种IR探测器。以前,热电堆都是基于金属材料制备的,具有响应速度慢、探测率低、成本高等致命劣势,不受业内人士的待见。随着近代半导体技术的迅猛发展,半导体材料也被应用到了热电堆的制作中。半导体材料普遍比金属材料的塞贝克(Seebeck)系数高,而且半导体的微加工技术保证了器件的微型化程度,降低其热容量,因此热电堆的性能得到了**地优化。互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的引入,让红外热像仪热电堆芯片电路技术实现了批量生产。
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