石家庄非接触式红外测温仪样品

常州思捷光电的单色测温仪在精度方面表现优异，测温精度可达 0.5%，重复精度达 2℃。这一高精度特性，使得其在工业生产的众多环节发挥关键作用。例如在热处理工艺中，对金属材料的加热、冷却温度把控要求极为严格，思捷单色测温仪能准确测量温度，确保金属获得理想的组织结构与力学性能。其高精度得益于先进的探测器技术以及对探测器的 PID 恒温控制，有效降低环境温度对测量的干扰，特殊设计的窄带红外滤片，很大程度减少发射率变化带来的影响，从硬件与软件算法多方面保障测量精度，为生产过程提供可靠的温度数据支撑，助力企业提升产品质量，减少次品率。与高校合作研发，持续提升红外测温仪的技术水平。石家庄非接触式红外测温仪样品

工业生产中，温度异常（过高或过低）可能导致产品报废、设备损坏甚至安全事故，因此红外测温仪的报警功能成为安全预警的重要手段。常州思捷的全系列红外测温仪（STRONG、EX-SMART、MARS）均具备上下限报警功能，且支持报警死区设置，适配从常规生产监控到危险场景预警的多样需求。上下限报警的工作原理是通过预设温度阈值，当测量温度超出阈值时，设备触发报警 —— 上限报警用于 “防止温度过高” 的场景，如金属锻造（避免工件过烧）、玻璃熔融（防止玻璃成分不均）；下限报警用于 “防止温度过低” 的场景，如冷藏库（避免设备冻损）、热处理保温（防止工件硬度不足）。例如在热处理炉中，工件需在 800℃±10℃的温度下保温，MARS 系列红外测温仪可设置上限报警 810℃、下限报警 790℃，若温度超过 810℃或低于 790℃，设备的光耦继电器会从常开转为闭合状态，触发声光报警，同时通过 RS485 通讯将报警信号上传至中控系统，提醒操作人员调整加热功率。杭州在线式测温仪使用方法可大面积扫描测温，快速获取物体表面温度分布情况。

思捷光电的红外测温仪以其高精度、高可靠性而闻名。公司产品涵盖单色测温仪与双色测温仪，测温范围极广，双色测温仪可覆盖 250℃至 3300℃，单色测温仪能从 -50℃延伸至 3300℃，满足了不同行业、不同场景下的多样化测温需求。其测温原理基于先进的红外辐射能量检测技术。单色测温仪通过检测物体在某一狭窄波长范围内的辐射能量来确定温度，而双色测温仪则利用邻近通道两个波段红外辐射能量的比值来准确测量温度。这种独特的设计使得思捷光电的测温仪在复杂环境下仍能保持出色的性能，有效克服了水汽、灰尘、检测目标大小变化、部分被遮挡以及发射率变化等干扰因素。例如，在冶金、化工等行业的高温、高污染环境中，思捷光电红外测温仪依然能够稳定、准确地测量温度，为生产过程的稳定运行提供关键数据支持。

在化工行业，反应釜内的化学反应对温度的准确控制要求极高。温度稍有偏差，不仅可能影响产品收率，还可能引发安全事故。红外测温仪安装在反应釜外壁，能够实时、准确地测量反应温度。当温度接近预设的上限或下限值时，可自动触发冷却或加热装置，使反应始终在适宜的温度区间内进行。同时，在化工管道输送高温、高压且具有腐蚀性介质的过程中，利用便携式红外测温仪定期对管道关键节点进行测温，能够及时发现因结垢、腐蚀导致的局部过热隐患，提前采取措施，避免管道泄漏等严重事故的发生，有力保障了化工生产的连续性和安全性。 测量精度较高，部分产品可达 ±1% 甚至更高，能准确反映温度变化。

红外测温仪的性能优劣，很大程度上取决于其关键技术参数。首先是测温范围，这是指仪器能够测量的最低温度与最高温度之间的区间。不同应用场景对测温范围的要求差异巨大，例如在测量人体体温时，常用的测温范围一般为 32℃ - 42℃；而在工业领域，如钢铁冶炼过程中，需要测量的温度高达 1000℃以上，此时就必须选择具有相应高温测量能力的红外测温仪。测温精度是另一个重要参数，它反映了仪器测量结果与实际温度值的接近程度，通常以 “±x% 读数或 ±y℃” 的形式表示。在对温度精度要求极高的医疗、科研等领域，如药品生产过程中的温度控制、实验室高精度实验环境的监测等，往往需要选择精度达到 ±0.1℃甚至更高的红外测温仪，以确保实验数据的准确性和产品质量的稳定性。实用新型专利技术，让红外测温仪性能更具竞争力。鹤岗高温测温仪维修

思捷拥有 60 多款系列化红外测温仪，其中比色（双色）产品近 20 款。石家庄非接触式红外测温仪样品

光伏单晶硅生产中，从铸锭、拉晶到切片，温度控制直接影响硅料纯度与晶体结构，进而决定光伏组件转换效率。思捷光电针对单晶硅生产全流程，提供多系列红外测温仪解决方案，覆盖各关键环节。单晶硅铸锭炉（800℃~1600℃）采用STRONG-SR-6016双色测温仪，60:1距离系数适配炉体结构，双色模式不受炉内硅蒸汽与石墨粉尘干扰，测量精度±0.5%T，确保铸锭过程温度均匀，减少硅料浪费。单晶炉拉晶环节（1400℃~2000℃）选用MARS-G-3530单色测温仪（获“常州市高新技术产品”认定，编号202304JK004），InGaAs探测器适配中高温段，100:1距离系数准确测量硅熔体界面温度，5ms响应捕捉拉晶速度变化时的温度波动，保障晶体生长稳定。晶圆加工的薄膜沉积工艺（300℃~800℃）则用STRONG-GR-2512，250℃~1200℃量程适配低温段，窄带红外滤片减少薄膜材料发射率变化影响。整套方案支持数据存储与曲线分析，某光伏企业应用后，单晶硅片转换效率提升0.3%，原料损耗降低2.5%。石家庄非接触式红外测温仪样品