晟鼎远程等离子体电源RPS的应用类型:1.CVD腔室清洁①清洁HDP-CVD腔(使用F原子)②清洁PECVD腔(使用F原子)③清洁Low-kCVD腔(使用O原子、F原子)④清洁WCVD腔(使用F原子)2.表面处理、反应性刻蚀和等离子体辅助沉积①通过反应替代 (biao面氧化)进行表面改性②辅助PECVD③使用预活化氧气和氮气辅助低压反应性溅射沉积④使用预活化氧气和氮气进行反应性蒸发沉积⑤等离子体增强原子层沉积(PEALD)3.刻蚀:①灰化(除去表面上的碳类化合物);②使用反应性含氧气体粒子处理光刻胶。适用于第三代半导体材料的表面钝化。广东晟鼎RPS

RPS远程等离子源采用独特的空间分离设计,将等离子体激发区与工艺处理区物理隔离。在激发腔内通过射频电源将工艺气体(如O2、CF4、N2等)电离形成高密度等离子体,而长寿命的活性自由基则通过输运系统进入反应腔室。这种设计使得RPS远程等离子源能够在不直接接触工件的情况下,实现表面清洗、刻蚀和活化等工艺。在半导体前端制造中,RPS远程等离子源特别适用于栅极氧化前的晶圆清洗,能有效去除有机残留和金属污染物,同时避免栅氧层损伤。其自由基浓度可稳定控制在1010-1012/cm³范围,确保工艺重复性优于±2%。pecvd腔室远程等离子源RPS石英舟腔体清洗RPS避免了传统等离子体源直接接触处理表面可能带来的热和化学损伤。

RPS远程等离子源在汽车电子中的可靠性保障针对汽车电子功率模块的散热需求,RPS远程等离子源优化了界面处理工艺。通过N2/H2远程等离子体活化氮化铝基板,将热阻从1.2K/W降至0.8K/W。在传感器封装中,采用O2/Ar远程等离子体清洗焊盘,将焊点抗拉强度提升至45MPa,使器件通过3000次温度循环测试(-40℃至125℃)。RPS远程等离子源在航空航天电子中的特殊应用为满足航空航天电子器件的极端可靠性要求,RPS远程等离子源开发了高真空兼容工艺。在SiC功率器件制造中,通过He/O2远程等离子体在10-6Pa真空环境下进行表面处理,将栅氧击穿电场强度提升至12MV/cm。在辐射加固电路中,RPS远程等离子源将界面态密度控制在5×109/cm²·eV以下,确保器件在100krad总剂量辐射下保持正常工作。
RPS远程等离子源在量子计算器件中的前沿应用在超导量子比特制造中,RPS远程等离子源通过O2/Ar远程等离子体去除表面磁噪声源,将量子比特退相干时间延长至100μs以上。在约瑟夫森结制备中,采用H2/N2远程等离子体精确控制势垒层厚度,将结电阻均匀性控制在±2%以内。实验结果显示,经RPS远程等离子源处理的量子芯片,保真度提升至99.95%。RPS远程等离子源在先进传感器制造中的精度突破在MEMS压力传感器制造中,RPS远程等离子源通过XeF2远程等离子体释放硅膜结构,将残余应力控制在10MPa以内。在红外探测器制造中,采用SF6/O2远程等离子体刻蚀悬臂梁结构,将热响应时间缩短至5ms。实测数据表明,采用RPS远程等离子源制造的传感器,精度等级达到0.01%FS,温度漂移<0.005%/℃。适用于化合物半导体工艺的低温低损伤表面处理。

在OLED和LCD显示面板的制造中,玻璃基板或聚酰亚胺薄膜基板的尺寸越来越大,对清洗和刻蚀工艺的均匀性提出了极高要求。RPS远程等离子源应用领域在这一场景下优势明显。由于其等离子体均匀性不受基板尺寸限制,活性自由基能够均匀地分布在整个大尺寸面板表面,实现无死角的彻底清洁。在OLED制造中,用于去除基板表面的微量有机物和颗粒,确保TFT背板和OLED发光层的质量;在柔性显示中,用于对PI基板进行表面活化,增强后续薄膜的附着力。此外,在显示面板的薄膜晶体管阵列制程中,RPS技术也用于氮化硅或非晶硅薄膜的低温、低损伤刻蚀,确保了数百万个TFT性能的高度一致,从而保障了显示画面的均匀性和低坏点率。在文化遗产保护中实现文物无损清洁。河南半导体设备RPS冗余电源
与传统等离子体源不同的是,RPS 通常不直接接触要处理的表面,而是在一定距离之外产生等离子体。广东晟鼎RPS
在薄膜沉积工艺(如PVD、CVD)中,腔室内壁会逐渐积累残留膜层,这些沉积物可能由聚合物、金属或氧化物组成。随着工艺次数的增加,膜层厚度不断增长,容易剥落形成颗粒污染物,导致器件缺陷和良品率下降。RPS远程等离子源通过非接触式清洗方式,将高活性自由基(如氧自由基或氟基自由基)引入腔室,与残留物发生化学反应,将其转化为挥发性气体并排出。这种方法不仅避免了机械清洗可能带来的物理损伤,还能覆盖复杂几何结构,确保清洗均匀性。对于高级 CVD设备,定期使用RPS远程等离子源进行维护,可以明显 减少工艺中断和缺陷风险,延长设备寿命。广东晟鼎RPS