过电压会对可控硅模块造成损坏,如果要想保护可控硅不受其损坏,就要了解过电压的产生原因,从而去避免防止受损,下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏?以及过电压产生的原因。
可控硅模块对过电压非常敏感,当正向电压超过udrm值时,可控硅会误导并导致电路故障;当施加的反向电压超过urrm值时,可控硅模块会立即损坏。因此,需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。
过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化,使系统转换太晚,或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现,由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型,如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰,对可控硅模块非常危险。
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可控硅模块的特性
单向晶闸管模块具有其独特的特性:当阳极连接到反向电压时,或阳极连接到正向电压时,但控制极不增加电压,则不会导通,当阳极和控制极同时连接到正向电压时,将变为接通状态。一旦接通,控制电压将失去控制作用。无论有无控制电压,无论控制电压的极性如何,都将始终处于接通状态。若要关闭,只能将阳极电压降到某个临界值或反向。
双向晶闸管模块的管脚大多按T1、T2和G的顺序从左到右排列(当电极管脚朝着带有字符的一侧向下时)。当改变施加到控制极G的触发脉冲的大小或时间时,其接通电流的大小可以改变。 高压可控硅模块配件淄博正高电气有限公司拥有业内**人士和高技术人才。
可控硅鉴别三个极的方法很简单,根据P-N结的原理,用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以判断出来。
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通)。
控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制极反向击穿。
若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明元件已损坏。
满足可控硅模块工作的必要条件:
(1)+12V直流电源:可控硅模块内部控制电路的工作电源。
①可控硅模块输出电压要求:+12V电源:12±0.5V ,纹波电压小于20mv 。
②可控硅模块输出电流要求:标称电流小于500安培产品:I+12V>0.5A,标称电流大于500安培产品:I+12V> 1A。
(2)可控硅模块控制信号:0~10V或4~20mA控制信号,用于对输出电压大小进行调整的控制信号,正极接CON10V或CON20mA,负极接GND1。
(3)可控硅模块供电电源和负载:供电电源一般为电网电源,电压460V以下的或者供电变压器,接可控硅模块的输入端子;负载为用电器,接可控硅模块的输出端子。 淄博正高电气有限公司产品**国内。
断一个可控硅元件是否完好,工程师需要从四个方面进行检查,首先是判断该元件的三个PN结应完好,其次是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断不导通,第三是当控制极开路时,阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通,第四是给控制极加上正向电流,给阴极与阳极加正向电压时,可控硅应当导通,把控制极电流去掉后仍处于导通状态。满足以上四个条件的可控硅元件,才是符合设计使用要求的。
想要看一个可控硅元件是否符合以上要求,其实非常简单,只需要用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻,就可对**个方面的好坏进行判断。具体的操作方法是:用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低,或近于无穷大,说明可控硅已经击穿短路或已经开路,此可控硅不能使用了。 淄博正高电气有限公司和客户携手诚信合作,共创辉煌!海南小功率可控硅模块组件
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选择可控硅模块的主要参数可控硅模块的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。
所选可控硅模块应留有一定的功率裕量,其额定峰值电压和额定电流(通态平均电流)均应高于受控电路的较大工作电压和较大工作电流1.5~2倍。
可控硅模块的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路(指门极的控制电路)的各顶要求,不能偏高或偏低,否则会影响可控硅模块的正常工作。
上就是可控硅模块在不同设备中的种类选择,希望对您有所帮助。 青岛双向可控硅模块价格
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