齐纳击穿：齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达2.5×105V/m左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成"电子一空穴对"，从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺，将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5～8V之间两种击穿可能同时发生。TVS硬击穿可表现为晶体管图示仪上伏安曲线直接呈现一条直线。江西车规TVSSMAF
将TVS二极管加在信号及电源线上，能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲，如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。2、静电放电效应能释放超过10000V、60A以上的脉冲，并能持续10ms；而一般的TTL器件，遇到超过30ms的10V脉冲时，便会导至损坏。利用TVS二极管，可有效吸收会造成器件损坏的脉冲，并能消除由总线之间开关所引起的干扰（Crosstalk）。3、将TVS二极管放置在信号线及接地间，能避免数据及控制总线受到不必要的噪声影响。江西贴片TVS单向电路中可选用单向TVS进行过压保护。
参数①最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。VWM是TVS比较大连续工作的直流或脉冲电压，当这个反向电压加入TVS的两极间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。②**小击穿电压VBR和击穿电流IRVBR是TVS**小的雪崩电压。25℃时，在这个电压之前，TVS是不导通的。当TVS流过规定的1mA电流（IR）时，加入TVS两极间的电压为其**小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把TVS分为±5%VBR和±10%VBR两种。对于±5%VBR来说，VWM=0.85VBR；对于±10%VBR来说，VWM=0.81VBR。
上海来明电子有限公司成立于2010年，是一家致力于电子元器件服务的供应链整合管理机构，专注为客户提供电子元器件产品及一站式供应链解决方案，包括长期成本降低、急需元器件交货供应解决方案、物料清单供应解决方案等，致力于成为全球**的电子元器件服务商。我们拥有丰富的电子元器件行业上下游产业资源及渠道，为客户提供***增值服务，持续为客户创造价值。我们拥有团队丰富的经验、海量质量货源、系统的供应链、完善的质量保证体系，可满足客户个性化方案定制。细分时代的到来，我们携手借助互联网的力量与用户互动并产生价值，以不断创新和服务价值输出，成为电子器件行业“立体多维方案品牌服务运营商”。在一些低压低功耗电路，要考虑TVS的漏电流对电路是否有影响。
TVS和齐纳稳压管都能用作稳压，但是齐纳击穿电流更小，大于10V的稳压只有1mA，相对来说要比齐纳二极管击穿电流要大不少，但是齐纳二极管稳压精度可以做的比较高。在电路中一般工作于反向截止状态，此时它不影响电路的任何功能。TVS在规定的反向应用条件下，当电路中由于雷电、各种电器干扰出现大幅度的瞬态干扰电压或脉冲电流时，它在极短的时间内（比较高可达到1×10-12秒）迅速转入反向导通状态，并将电路的电压箝位在所要求的安全数值上，从而有效的保护电子线路中精密元器件免受损坏。1500W功率的TVS贴片一般采用SMC封装，插件一般采用DO-201封装。江西贴片TVS
来明电子可为客户**提供TVS样品测试。江西车规TVSSMAF
常用电路保护器件的主要失效模式为短路，瞬变电压抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦发生短路失效，释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏，这是TVS生产厂家和使用方都想极力减少或避免的情况通过对TVS筛选和使用短路失效样品进行解剖观察获得其失效部位的微观形貌特征 结合器件结构，材料、制造工艺、工作原理、筛选或使用时所受的应力等，采用理论分析和试验证明等方法分析导致TVS器件短路失效的原因，分析结果表明引发TVS短路失效的内在质量因素包括粘结界面空洞、台面缺陷，表面强耗尽层或强积累层、芯片裂纹和杂质扩散不均匀等，使用因素包括过电应力、高温和长时间使用耗损等。江西车规TVSSMAF
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