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重庆车规TVS生产

来源: 发布时间:2023年05月22日

反向击穿性PN结加反向电压时,空间电荷区变宽,区中电场增强。反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种,即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿,前者击穿电压小于6V,有负的温度系数,后者击穿电压大于6V,有正的温度系数。雪崩击穿:阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时,其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子—空穴对,新产生的载流子在强电场作用下,再去碰撞其它中性原子,又产生新的自由电子—空穴对,如此连锁反应,使阻挡层中的载流子数量急剧增加,像雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中,阻挡层宽,碰撞电离的机会较多,雪崩击穿的击穿电压高。来明电子可根据客户要求,为客户定制各类TVS产品。重庆车规TVS生产

对于做汽车电子硬件设计的工程师来说,ISO7627-2这个标准是***不会陌生,这个测试项目就是电源线瞬态传导抗扰度,只因为电源线瞬态传导抗扰度的这几个测试波形太出名了,分别是波形1,2a,2b,3a,3b,4,5a,5b(如下截图是从ISO7637-2 2004版中截取的,在2011版的ISO7637中波形1和2a这两个的测试脉冲数已经改成500了)。对于从1到4的几个波形,基本上都是一些时间极短的脉冲,虽然正负电压的幅值很高,但是能量很小,基本上电路上不用做太多特殊的防护,单靠一般的电源芯片的电气特性就能防护下来,而对5a,5b波形,就需要做专门的应对了,而应对方法就是增加一个防浪涌的TVS管了。重庆车规TVS生产来明电子在电路保护行业深耕数十年,具有丰富的经验。

箝位时间TCTC是TVS两端电压从零到**小击穿电压VBR的时间。对单极性TVS一般是1×10-12秒;对双极性TVS一般是1×10-11秒。TVS器件可以按极性分为单极性和双极性两种,按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特殊电路适用的**型器件。如:各种交流电压保护器、4~200mA电流环保器、数据线保护器、同轴电缆保护器、电话机保护器等。若按封装及内部结构可分为:轴向引线二极管、双列直插TVS阵列(适用多线保护)、贴片式、组件式和大功率模块式等。

当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时,它能以极高的速度(比较高达1/(10^12)秒)使其阻抗骤然降低,同时吸收一个大电流,将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上,从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。如果是使用的话,TVS有二极管类,和压敏电阻类。我个人认为压敏电阻类更有优势,***用于手机,LCD模组,及一些比较精密的手持设备。特别是出口欧洲的产品一般都要加,来作为静电防护的主要手段之一。。。。。。。。TVS的正向导通特性类似于二极管的正向伏安特性,可通过较大的浪涌电流。

TVS长时间工作耗损对筛选合格的TVS器件进行浪涌寿命试验,发现TVS器件经过成千上万次标准指数脉冲(所能承受的浪涌脉冲次数与质量等级相关)冲击后失效,失效模式通常为短路。对失效样品进行解剖后,在扫描电镜下观察芯片,发现结边缘发生熔融现象和结边缘焊料结构发生了变化,且结**边缘处**为严重。失效机理可能结边缘焊料形成金属化合物而脆化,使管芯与底座热沉逐渐分离,结边缘的散热能力降低,长时间工作结温持续增大导致过热烧毁。1500W功率的TVS贴片一般采用SMC封装,插件一般采用DO-201封装。重庆车规TVS生产

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PN 结构成了几乎所有半导体功率器件的基础,常用的半导体功率器件如DMOS,IGBT,SCR 等的反向阻断能力都直接取决于 PN 结的击穿电压,因此,PN 结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围。在 PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下,一般认为除 super junction 之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有比较高的击穿电压。实际的功率半导体器件的制造过程一般会在 PN 结的边缘引入球面或柱面边界,该边界位置的击穿电压低于平行平面结的击穿电压,使功率半导体器件的击穿电压降低。由此产生了一系列的结终端技术来消除或减弱球面结或柱面结的曲率效应,使实际制造出的 PN 结的击穿电压接近或等于理想的平行平面结击穿电压。重庆车规TVS生产

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