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福建P6SMBTVSSMC

来源: 发布时间:2023年07月11日

单向TVS的V-I特性,单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同,,反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿,为典型的PN结雪崩器件。,双向TVS的V-I特性,双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合,,其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性,正反两面击穿电压的对称关系为:,0.9≤V(BR)(正)/V(BR)(反)≤1.1,,一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉,双向TVS在交流回路应用十分方便。。。。。TVS的最高工作温度可达到125℃。福建P6SMBTVSSMC

对于接口电路来说,为了保护我们的内部电路,都会在信号进入到电路板的连接器处增加TVS,而TVS是由二极管构成的,是二极管就会有结电容,结电容的大小会对信号造成一定的影响,特别是高速信号,而这里给出了建议的结电容大小,以使对信号的影响尽可能的降低,保证能正常的通信。以下对各接口的结电容建议:GPIO接口结电容<30pF,pushbutton<30pF,Audio<10pF,USB2.0<2.5pF,USB3.0<0.5pF,USB3.1 gen2<0.3pF,HDMI1.4<0.7pF,HDMI2.0<0.5pF,天线<0.2pF。江苏低电容TVSSMBF当超过TVS的承受能力的能量通过TVS,TVS的芯片哟可能发热二击穿,从而呈现出短路的失效模式。

齐纳击穿:齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压(5V以下),结层中的电场却很强(可达2.5×105V/m左右)。在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿。显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5~8V之间两种击穿可能同时发生。

参数①最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。VWM是TVS比较大连续工作的直流或脉冲电压,当这个反向电压加入TVS的两极间时,它处于反向关断状态,流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。②**小击穿电压VBR和击穿电流IRVBR是TVS**小的雪崩电压。25℃时,在这个电压之前,TVS是不导通的。当TVS流过规定的1mA电流(IR)时,加入TVS两极间的电压为其**小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度,可把TVS分为±5%VBR和±10%VBR两种。对于±5%VBR来说,VWM=0.85VBR;对于±10%VBR来说,VWM=0.81VBR。双向TVS具有双向对称的伏安特性曲线,可用于交变电路浪涌保护。

TVS是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应速度快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点,被广泛应用于各类电子电路中浪涌保护或静电保护。TVS的正向导通特性类似于二极管的正向伏安特性,可通过较大的浪涌电流。江西SMBJTVS

TVS具有超快的响应速度,一般可达到皮秒级。福建P6SMBTVSSMC

9)R-6/P600封装:3KP系列(3000W)、5KP系列(5000W)、LDP系列(6000W)、15KP系列(15000W)、30KP系列(30000W);10)NA封装:蓝宝宝浪涌抑制器KA系列;1)DO-218AB封装:SM5S系列(3600W)、SM6S系列(4600W)、SM8S系列(6600W)、SM8T系列(6600W);4)SMC/DO-214AB封装:1.5SMC系列(1500W)、SMCJ系列(1500W)、TPSMCJ系列(1500W)、SMDJ系列(3000W)、TPSMDJ系列(3000W)、5.0SMDJ系列(5000W)、TP5.0SMDJ系列(5000W)。福建P6SMBTVSSMC

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