前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）混成集成电路（hybrid integrated circuit）是由单独半导体设备和被动元件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到普遍的应用，同时在通讯、遥控等方面也得到普遍的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可很大程度上提高。集成电路技术的不断创新和突破，为电子产品的功能丰富化提供了强有力的支持。MC74LCX158DR2G
第1个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的，其中包括一个双极性晶体管，三个电阻和一个电容器。根据一个芯片上集成的微电子器件的数量，集成电路可以分为以下几类：1.小规模集成电路：SSI英文全名为Small Scale Integration，逻辑门10个以下或晶体管100个以下。2.中规模集成电路：MSI英文全名为Medium Scale Integration，逻辑门11~100个或晶体管101~1k个。3.大规模集成电路：LSI英文全名为Large Scale Integration，逻辑门101~1k个或晶体管1，001~10k个。4.超大规模集成电路：VLSI英文全名为Very large scale integration，逻辑门1，001~10k个或晶体管10，001~100k个。5.甚大规模集成电路：ULSI英文全名为Ultra Large Scale Integration，逻辑门10，001~1M个或晶体管100，001~10M个。GLSI英文全名为Giga Scale Integration，逻辑门1，000，001个以上或晶体管10，000，001个以上。FDW2508P集成电路产业链的完善和技术进步，为经济发展和社会进步做出了重要贡献。
典型的如英国雷达研究所的科学家达默，他在1952年的一次会议上提出：可以把电子线路中的分立元器件，集中制作在一块半导体晶片上，一小块晶片就是一个完整电路，这样一来，电子线路的体积就可很大程度上缩小，可靠性大幅提高。这就是初期集成电路的构想，晶体管的发明使这种想法成为了可能，1947年在美国贝尔实验室制造出来了第1个晶体管，而在此之前要实现电流放大功能只能依靠体积大、耗电量大、结构脆弱的电子管。晶体管具有电子管的主要功能，并且克服了电子管的上述缺点，因此在晶体管发明后，很快就出现了基于半导体的集成电路的构想，也就很快发明出来了集成电路。
集成电路，英文为Integrated Circuit，缩写为IC；顾名思义，就是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路。是20世纪50年代后期到60年代发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。其封装外壳有圆壳式、扁平式或双列直插式等多种形式。集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术，主要体现在加工设备，加工工艺，封装测试，批量生产及设计创新的能力上。集成电路的应用领域不断拓展，包括计算机、通信、医疗等领域，为社会的各种需求提供了强有力的支持。
随着集成电路的发展，晶体管的数量每两年翻一番，这意味着芯片每单位面积容量也会随之增加。这种技术进步带来的好处是显而易见的，它使得我们能够在更小的空间内存储更多的信息。这种容量增加对于现代科技的发展至关重要，因为它为我们提供了更多的存储空间，使得我们能够存储更多的数据，从而更好地处理和分析这些数据。这种技术进步也使得我们能够制造更小、更轻、更便携的设备，这对于现代人的生活方式来说也是非常重要的。晶体管数量翻倍带来的另一个好处是成本的降低。集成电路的应用范围普遍，涉及计算机、通信、消费电子、汽车电子等众多领域。HUF75339P3
集成电路的不断发展和创新带来了数字电子产品的高速、低功耗和成本降低等优势。MC74LCX158DR2G
在光刻工艺中，首先需要将硅片涂上一层光刻胶，然后使用光刻机将光刻胶暴露在紫外线下，形成所需的图案。接着，将硅片放入显影液中，使未暴露的光刻胶被溶解掉，形成所需的图案。通过将硅片放入蚀刻液中，将暴露出来的硅片部分蚀刻掉，形成所需的电路结构。光刻工艺的精度和稳定性对电路的性能和可靠性有着重要的影响。外延工艺是集成电路制造中用于制备复杂器件的重要工艺之一，其作用是在硅片表面上沉积一层外延材料，以形成复杂的电路结构和器件。外延材料可以是硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料。在外延工艺中，首先需要将硅片表面清洗干净，然后将外延材料沉积在硅片表面上。外延材料的沉积过程需要控制温度、压力和气体流量等参数，以保证外延层的质量和厚度。外延工艺的精度和稳定性对电路的性能和可靠性有着重要的影响。外延工艺还可以用于制备光电器件、激光器件等高级器件，具有普遍的应用前景。MC74LCX158DR2G