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5号（AA）7号（AAA）电池也就是我们常用的电池，以南孚，金霸王，555等品牌被大家熟知。市场上主要以碱性电池为主，输入的电压是1.5V。其主要特点就是方便快捷以及价格低廉。其缺点也是非常明显：碱性电池是一次性电池，因其化学特性使用后易被丢弃后对土壤的污染是非常严重；另外长时间放置容易因受潮或者氧化原因造成化学原料漏液造成对电子产品的化学损坏，轻则氧化电池触点无法使用（可简单修复），重则直接损坏电子产品致报废或者短路引起起火都有可能。XS5502 XS5301 XS5306 XS5802赛芯微一级代理商、锂电池保护IC。XBM3215JFG电源管理IC赛芯微xysemi

芯纳科技：锂电池充电管理XA4246：丝印：2YL6、2YL4、2YL2、2YLA、H1JC、UN8HX、54B4、S9VH、1IEK、19jH、IJH55、B701、6QK103、XA4054可替代XA4055丝印：55B0、55B1、55B2、55B3、55B4、55B5、55B6、55B7、55B8、55B9、55Ba、55Bb、XA4058；丝印：58B0、58B1、58B2、58B3、58B4、58B5、58B6、58B7、58B8、58B9、588Ba、58Bb、XA4057；丝印：57B0、57B1、57B2、57B3、57B4、57B5、57B6、57B7、57B8、57B9、57Ba、57Bb、XA4059；丝印：59B0、59B1、59B2、59B3、59B4、59B5、59B6、59B7、59B8、59B9、59Ba、59Bb、XA4017：丝印:017K、017G、57b9、57Ba、017t、HXNNH、017e、XA5056丝印：5056 、XA4217丝印：HXN-WLXF5131电源管理IC二合一锂电保护高耐压理电保护产品、具有低功耗、高过流精度、小封装、无管压降等特点、支持4.2V~4.5V电芯平台。

DC/DC转换器在高效率地转换能量方面属于有效的电源，但因为线圈必须具有磁饱和特性和防止烧毁的特性，使得实现超薄化较为困难。一般情况下只得在成平面形状的电路板上安装IC、线圈及电容，这种解决方案不利于产品的小型化。 为了解决以上的问题，进行了以下几种思考和设计。首先是在硅晶圆上形成线圈的方法，为了确保作为DC/DC转换器时具有足够的电感值，半导体工艺变得极为复杂，使得成本上升。实际上只停留在高频滤波器方面的应用。其次是把线圈和DC/DC转换器IC封入一个塑料模压封装组件中的方法，因为只是单纯地装入元器件缩小不了太多的安装面积，不能带来大程度的改善。 进而出现了不是平面地放置各种元器件，而是把包括IC的元器件叠在一起的设计方案,实际上也出现的几种这样的产品。但是这种方案要么需要在线圈上印制布线用的图案，要么需要CSP（芯片尺寸级封装）型IC,要么在封装IC时必须实施模压工程，使得制作工程复杂，带来了产生成本上升的课题。

4、保护芯片过放保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；当电池放电到2.5 v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。 5、过流保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；当负载突然减小，IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。 6、短路保护：在P+与P-上接上空负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)； IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。XySemi 锂电保护板生产操作注意事项1。

上海芯龙半导体技术股份有限公司是一家专注于高性能模拟集成电路研发、设计与销售的公司，结合创新的设计技术和产业链的制造优势，搭建了产业化的“芯片设计+晶圆制造+封装测试”全流程平台，自主研发多项技术并获得国内外近百项发明专利授权，为客户提供、高可靠性的产品及服务。 公司产品主要包括电源管理、信号链、音频功放、MEMS传感器等，广泛应用于汽车电子、工业控制、通讯设备、消费电子、家用电器、安防监控及仪器仪表等领域。 公司始终秉承“专业、专注、务实、创新、高效、沟通”的经营理念，致力成为世界的模拟集成电路服务商。二合一单晶园锂电池保护IC。XB6061J2S电源管理IC两串两节保护

锂电池转1.5V干电池SOC。XBM3215JFG电源管理IC赛芯微xysemi

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。XBM3215JFG电源管理IC赛芯微xysemi

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