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XB6008H2电源管理ICNTC充电管理

来源: 发布时间:2024年01月19日

可用太阳能电池供电的锂电池充电管理芯片CN3063  CN3063是可以用太阳能电池供电的单节锂电池充电管理芯片。该器件内部包括功率晶体管,应用时不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。内部的8位模拟-数字转换电路,能够根据输入电压源的电流输出能力自动调整充电电流,用户不需要考虑坏情况,可大限度地利用输入电压源的电流输出能力,非常适合利用太阳能电池等电流输出能力有限的电压源供电的锂电池充电应用。CN3063只需要极少的元器件,并且符合USB 总线技术规范,非常适合于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。内部固定的恒压充电电压为4.2V,也可以通过一个外部的电阻调节。充电电流通过一个外部电阻设置。当输入电压掉电时,CN3063自动进入低功耗的睡眠模式,此时电池的电流消耗小于3微安。其它功能包括输入电压过低锁存,自动再充电,电池温度监控以及充电状态/充电结束状态指示等功能。单节至四节镍氢电池进行充电管理。该器件内部包括功率晶体管,不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。XB6008H2电源管理ICNTC充电管理

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锂电保护的选型:电池充满电压 + 充、放电电流(不同于分离式锂电保护) 辅助信息:电池容量,产品应用 。 电池安全,首先要有保护,再有选型要正确锂电保护在保护电池安全上是二次保护,如:过充保护时,一级保护是充电管理,过放保护的一级保护是主芯片等。所以在选型时,要考虑到锂电保护是二次保护的特性,锂电保护的过充电压要高于充电管理的过充电压的值(不能有重合区间),锂电保护的过放电压要低于主芯片的过放电压的值等。锂电保护的选型:电池充满电压 + 充、放电电流(不同于分离式锂电保护)XB8886G电源管理IC两串两节保护线圈一体型micro DC/DC转换器。

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5301C、6501C、STP01、STP02、3IS1、A0v、3A、6A、6D、6B、XBaca、XBaaA、2h1Hj、XB4908、5136IS、5152I2SZ、3IS3、H3A3b1、3A3d1、6A3Z、6D3K、XBaaA3b1、XBaaA3b2、XB4908AJ、XB4908AJ3K2、XB4908GJ1w1、XB4908GJ3d1、5306A3T、5306A3W、5307A3A、5332A2W5、5332A2w、55352A3T、5352AR、3Q5352G2n、5352G3T、5352G3T/、5352G2r、5353A3T、5353A3W、5606AJ2s3、5606AJ2u1、5606AJ2v、15606AJ2z6、5606GJ1E、5608AJ2z、5608AJ3K、XB6008H3Q、3J131dA、6096J9o、6096J9q、6096JS0N、XB7608A2S3、XB7608A2S6、XB7608AJ3c1、XB7608AJL3a1、XB7608GJ3Z、XB7608GJ3d、XB8089D2h、XB8089D3T、XB8089D3U、XB8089G2n、XB8608AJ2W、XB8608AJ2s、XB8886A3B4、XB8886A3X1、XB8886A3b4、XB8886G3H、XB8989A2x、XB8989A3V31ihv、XC30713M、XC31012u、3105AN1w、50150y、50151P、AN1R、AN1S、XR29812e/、XR29812g、34033L、9u27、2m2DV、2n2DV、2f1D、a2g1Da、2g2Da2g2Da/、2f1Da、2g3Da、2g3Da/、2g2Da、2g4Da、2g5Da、2g7Da、2rA1、

XA6206丝印:54IK65X254JAXD2854HH54FK5BGJ5BHJ5BFE5BJC65T25BJF5AGJ65K565E9APJA65Z5662K662259FH59JH59I659GC6206AAAB66S652S65165EG65T365X865X265ZD6621662G低压差线性稳压器是新一代的集成电路稳压器,它与三端稳压器的不同点在于,低压差线性稳压器(ldo)是一个自耗很低的微型片上系统(soc)。它可用于电流主通道控制,芯片上集成了具有极低线上导通电阻的mosfet,取样电阻和分压电阻等硬件电路,并具有过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器等功能。两串两节保护、带均衡或者不带均衡。

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ESD( Electrostatic Discharge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-body Model)、机器放电模式 (MM:Machine Model)、元件充电模式(CDM:Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM:Field-Induced Model),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD; 芯片级ESD:HBM 大于2KV,较高的是8KV。 系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15KV,接触是8KV。充电管理、放电保护芯片,电源正负极反接保护,电池极反接保护,兼容大小3mA-1000mA充电电流。XM5021R18电源管理ICNTC充电管理

高精度智能型磷酸铁锂离子电池充电管理芯片,具有功能全、集成度高,外部电路简单,调节方便。XB6008H2电源管理ICNTC充电管理

上面的“二芯合一”方案及单芯片正极保护方案虽然在方案面积及成本上给用户带来了一定的优势,但优势仍不明显。这些方案同时又带来了一些弊端,因此在与成熟的传统方案竞争客户的过程中,还是只能以降低毛利空间来打价格战。由于这些方案的真正原始成本并没有明显的优势,所以随着传统方案的控制IC及开关管芯片的降价,这些“二芯合一”的方案或正极保护方案并没有能够撼动传统方案的市场统治地位。 BP5301 BP6501;近年来市面上出现了众多新创的开关管芯片厂商,为了降低成本,封装时原本打金线改成打铜线,开关管也不带ESD保护。这些产品虽然在性能上与品牌开关管相比有一定的差异,但因为成本优势很快抢占了二级市场,也为传统方案在与“二芯合一”及正极保护方案在市场竞争中的胜出作出了巨大贡献。XB6008H2电源管理ICNTC充电管理

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