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STGB30NC60W

来源: 发布时间:2024年03月20日

    整流、开关二极管主要参数:(7)结电容Cj(Capacitancebetweenterminals)PN结之间形成的寄生电容,该电容影响着工作频率和反向恢复时间,越小越好。(8)**工作频率fM由于PN结的结电容存在,当工作频率超过某一值时,它的单向导电性将变差。(9)正向恢复时间tfrtfr为二极管正向导通电流所需的通断时间,如下图所示。当一个快速上升的脉冲作用于二极管时,由于载流子积累,它不会立即进入导电状态。在tfr期间,二极管即使在正向也表现出高电阻。换句话说,tfr是电流向二极管阴极端扩散所需的时间。tfr定义为在规定的正向电流(IF)下,正向电压达到峰值并下降到VF的110%所需的时间,不同厂商定义不一样。(10)反向恢复时间trr(Reverserecoverytime)开关二极管从导通状态到完全关闭状态所经过的时间,一般取IR最大值的25%或10%那个时间点,不同厂商定义不一样。一般关断后电子不能瞬间停止,有一定量的反向电流流过。其漏电流越大损耗也越大。二极管阻断反向电流之前需要首先释放结电容存储的电荷,所以这个放电过程就带来了反向恢复时间。 整流二极管压降是多少?STGB30NC60W

二极管

    二极管在稳压电路中的作用:稳压电路中,二极管常用作参考电压源或电压调整元件。例如,在齐纳稳压电路中,利用齐纳二极管的反向击穿特性,可以稳定输出电压。此外,二极管还可以与电阻、电容等元件组合,构成各种复杂的稳压电路。二极管在数字电路中的应用:在数字电路中,二极管常用作逻辑门的输入保护元件或实现逻辑功能的辅助元件。例如,在TTL逻辑门电路中,二极管用于防止输入端过压损坏门电路。此外,二极管还可以与晶体管组合,构成各种逻辑功能电路。IDH12E120整流二极管-批发价格-好货源深圳市华芯源电子有限公司。

STGB30NC60W,二极管

    二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种常见的电子器件。它有单向导电性,意思是如果给二极管阳极加上正向电压时,二极管导通。如果给阳极和阴极加上反向电压时,二极管阻断。因此,二极管的导通和阻断,就相当于开关的接通与断开。完全可以想象成电子版的逆止阀。二极管的作用它非常明显的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管的一个方向流过。利用这个特性,二极管可以应用于开关电路、整流电路、限幅电路、检波电路、稳压电路、变容电路等各种调制电路。

    二极管在电子电路中起着至关重要的作用,主要作用包括:整流:利用二极管的单向导电性,可以将方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。这是二极管在电源电路中的常见应用,通过整流,可以使得电路中的电流或电压具有统一的极性。开关:二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。因此,可以利用二极管的开关特性,组成各种逻辑电路,实现电路的开启和关闭功能。整流二极管作用和用途。

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    整流、开关二极管主要参数:1)导通压降VFVF为二极管正向导通时二极管两端的压降,当通过二极管的电流越大,VF越大;当二极管温度越高时,VF越小。(2)反向饱和漏电流IR(Reversecurrent)指在二极管两端加入反向电压时,流过二极管的电流,该电流与半导体材料和温度有关。少子的漂移运动导致的,尽量选择该值小的二极管。(3)额定整流电流IF(Averageforwardcurrent)指二极管长期运行时,根据允许温升折算出来的平均电流值。这个是选取二极管电流的主要参数(4)**平均整流电流IO(RectifiedCurrent(Average),)在半波整流电路中,流过负载电阻的平均整流电流的**值。这个是整流电路比较看重的值。(5)**浪涌电流IFSM(PeakForwardSurgeCurren)允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流,而是瞬间电流,这个值相当大。(6)**反向峰值电压VRM(Non-RepetitivePeakReverseVoltage)避免击穿所能加的**反向电压,这个电压是不重复的,是一个瞬态值。除了这个值外还有一个重复的反向峰值电压VRRM,这个值是等于直流下的**反向电压VR的。 二极管视频大全高清在线观看。NTP6411ANG

整流桥二极管型号怎么选?STGB30NC60W

    二极管特性参数:用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。[4]伏安特性二极管具有单向导电性,二极管的伏安特性曲线如图2所示[5]。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约,二极管处于完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示[4]。对于锗二极管,开启电压为,导通电压UD约为。在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏[4]。正向特性外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。[4]当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变。 STGB30NC60W

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