XC5011电源管理IC赛芯微xysemi

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。电池充管理芯片磷酸铁锂。XC5011电源管理IC赛芯微xysemi

移动电源SOC具有高集成、多协议双向快充，集成了同步开关升降压变换器、电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块、协议模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能，支持1-6节电池，支持22.5-140W功率选择，支持PD3.1/PD3.0/PPS/PD2.0/QC4/QC3.0/QC2.0/AFC/FCP/SCP/VOOC/BC1.2 DC***PLE 2.4A等主流快充协议。支持PD3.1/PD3.0/PPS/PD2.0/QC4/QC3.0/QC2.0/AFC/FCP/SCP/VOOC/BC1.2 DC***PLE 2.4A等主流快充协议。 XB8608AF电源管理IC赛芯微xysemi可用模拟和PWM信号调光的高压线性LED驱动集成电路。

磷酸铁锂电池的充放电反应是在LiFePO4和FePO4两相之间进行。在充电过程中，LiFePO4逐渐脱离出锂离子形成FePO4，在放电过程中，锂离子嵌入FePO4形成LiFePO4。 电池充电时，锂离子从磷酸铁锂晶体迁移到晶体表面，在电场力的作用下，进入电解液，然后穿过隔膜，再经电解液迁移到石墨晶体的表面，而后嵌入石墨晶格中。 与此同时，电子经导电体流向正极的铝箔集电极，经极耳、电池正极柱、外电路、负极极柱、负极极耳流向电池负极的铜箔集流体，再经导电体流到石墨负极，使负极的电荷达至平衡。锂离子从磷酸铁锂脱嵌后，磷酸铁锂转化成磷酸铁。 电池放电时，锂离子从石墨晶体中脱嵌出来，进入电解液，然后穿过隔膜，经电解液迁移到磷酸铁锂晶体的表面，然后重新嵌入到磷酸铁锂的晶格内。 与此同时，电子经导电体流向负极的铜箔集电极，经极耳、电池负极柱、外电路、正极极柱、正极极耳流向电池正极的铝箔集流体，再经导电体流到磷酸铁锂正极，使正极的电荷达至平衡。锂离子嵌入到磷酸铁晶体后，磷酸铁转化为磷酸铁锂。

保护芯片正常工作：保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，磷酸铁锂电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护：在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。 4、保护芯片过放保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，（这时MOS2被D2短路）；当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。芯纳科技成立于2011年。专注代理电源芯片和电子元器件的销售服务。

DS5036B 是一款单串 22.5W 到 27W 双向快充移动电源 SOC，集成了同步开关升压变换器、支持 A + Cinout+ Cinout 任意口快充，支持 A + Cinout+ Cinout 任意口快充，支持 CC-CV 切换，支持 PD3.1 /PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP 等主流快充协议，支持 PD3.1 /PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP 等主流快充协议，集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。高耐压 OVP线性充电管理。XC5011电源管理IC赛芯微xysemi

正极保护的锂电池保护方案。XC5011电源管理IC赛芯微xysemi

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