WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升压转换器
产品描述:
WD3133是一款高效率、高功率的峰值电流模式升压转换器。内部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET,至小电流限制为1A。对于使用锂离子电池的便携式设备,WD3133可以从3.3V~5V的输入电压输出典型的12V/200mA~300mA。这款升压转换器WD3133采用脉冲宽度调制(PWM)模式,固定开关频率为1.2MHz,以减少输出纹波并提高转换效率。它还允许使用小型外部组件。在轻负载电流下,转换器进入跳过模式,以在绝大部分的负载电流范围内保持高效率。内置的软启动电路可以至小化启动时的涌入电流。WD3133采用SOT-23-5L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性:
宽输入电压范围:2.7V至5.5V1.25V(±2%)
高精度参考电压1.2MHz开关频率
高达93%的效率
超过1A(至小值)的功率开关电流限制
从3.3V~5V的输入提供典型的12V/200mA~300mA输出
内置软启动
应用领域:
智能手机
平板电脑
便携式游戏机
平板电脑(PADs)
WD3133是专为便携式设备设计的高效升压转换器,1.2MHz开关频率和宽输入电压范围使其适用于多种场景,如智能手机、平板电脑和游戏机等。其软启动电路和电流限制功能增强了安全性和可靠性,是电源管理的理想选择。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 WNM6002-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-323-3。规格书WILLSEMI韦尔WD5126C
WNM2016A:N沟道增强型MOSFET场效应晶体管
产品描述:
WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。
产品特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元
· 设计出色的ON电阻
· 极低的阈值电压
应用领域:
· DC/DC转换器
· 电源转换器
· 电路便携式设备的负载/电源开关
WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET,专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能,包括低RDS(ON)和低栅极电荷,从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外,极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择,因为它既能够提供强大的性能,又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路,还是便携式设备的负载/电源开关,WNM2016A都是一个出色的选择,能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WD5126CWS4518D-6/TR 电池管理 封装:WDFN-6-EP(2x2)。
WS3202E:过压和过流保护IC
产品描述:
WS3202E是一款集过压保护(OVP)和过流保护(OCP)功能于一体的保护设备。当输入电压或输入电流超过阈值时,该设备会关闭内部MOSFET,断开IN到OUT的连接,以保护负载。此外,过温保护(OTP)功能会监控芯片温度,确保设备安全。封装形式:SOT-23-6L
产品特性:
· 高压技术
· 输入电压:25V
· 输出上电时间:8ms(典型值)
· OVP阈值:6.1V(典型值)
· OVP响应时间:<1us
· OCP阈值:2A(最小值)
· 输出放电功能
应用领域:
· GPS设备
· PMP(便携式媒体播放器)
· MID(移动互联网设备)
· PAD(平板电脑)
· 数码相机
· 数字摄像机
WS3202E是一款功能强大的过压和过流保护IC,为电子设备提供了双重安全保障。其高压技术、快速响应时间和灵活的输出放电功能使其在各种应用场合中表现出色,特别适用于需要高稳定性和可靠性的电子设备,如GPS、PMP、MID、PAD以及数码相机和摄像机等。WS3202E采用SOT-23-6L封装,方便集成到各种电路板中,同时其无铅和无卤素特性也符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。
WL2803E系列是一款极低压差、低静态电流、高电源抑制比(PSRR)的CMOS低压差线性稳压器(LDO)。在500mA负载电流下,其压差电压典型值为130mV。采用CMOS结构,WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA,这使得它对于要求高输出电流的消费者、网络应用具有吸引力。WL2803E系列提供了从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本,步长为0.1V。WL2803E系列提供了过热保护(OTP)和电流限制功能,以确保芯片和电源系统在错误条件下的稳定性,并采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装,为标准无铅且无卤素产品。
主要特性:
· 输入电压范围:2.5V至5.5V
· 输出电压范围:1.2V至3.3V
· 输出电流:500mA
· PSRR:在1KHz时为65dB
· 压差电压:在IOUT=0.5A时为130mV
· 输出噪声:100μV
· 静态电流:典型值为150μA
应用领域:
· 液晶电视(LCD TV)
· 机顶盒(STB)
· 计算机、显卡
· 网络通信设备
· 其他便携式电子设备
WL2803E系列适用于电源管理,具有极低压差、低电流和高PSRR特性,确保灵活和准确的电压输出。紧凑环保,易于集成,适用于多种电子设备。提供稳定电源输出。详情查阅手册或联系我们。 ESDA6V8AV5-5/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOT-553。
WL2805N33-3/TR:高效且可靠的瞬态电压抑制器
WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受瞬态电压的侵害而设计。在现代电子设备中,由于雷电、静电放电和其他电气瞬态事件,电路中的敏感组件经常面临损坏的风险。而WL2805N33-3/TR的出现,为这些设备提供了可靠的防护。
这款抑制器具有出色的瞬态抑制能力和低漏电流特性,能够在瞬态事件发生时迅速响应,将电压限制在安全范围内,从而保护电路中的敏感组件免受损坏。
此外,WL2805N33-3/TR还具有低钳位电压和低电容值,确保了信号传输的准确性和稳定性。 其紧凑的封装设计使得它非常适合用于各种电子设备中,如通信设备、计算机、医疗设备和消费电子产品等。无论是对于工业应用还是日常消费应用,WL2805N33-3/TR都能提供优异的瞬态电压保护,确保设备的稳定运行和延长使用寿命。
安美斯科技作为专业的电子元器件代理分销商,致力于为客户提供优异的产品和服务。我们非常荣幸能为您推荐WL2805N33-3/TR这款瞬态电压抑制器,并愿意提供样品供您测试。如需了解更多信息或支持,请随时联系我们。 ESD5641D12-3/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN-3L(2x2)。中文资料WILLSEMI韦尔WL2855E
WMM7037ATSN0-4/TR MEMS麦克风(硅麦)封装:LGA-4(3x3.8)。规格书WILLSEMI韦尔WD5126C
ESD5641DXX是一款专为保护电源接口设计的瞬态电压抑制器。它非常适合用于替代便携式电子产品中的多个离散组件。ESD5641DXX特别为USB端口设计,采用了具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。封装与环保:ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品为无铅和无卤素。
技术特性:
· 反向截止电压:7.5V~15V
· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护8/20μs
· 根据IEC61643-321标准的浪涌保护10/1000μs
· 低钳位电压
· 固态硅技术
应用领域:
· 电源保护
· 电源管理
ESD5641DXX瞬态电压抑制器以其出色的浪涌保护能力和低钳位电压,为电源接口提供了可靠的防护。特别适合用于USB端口保护,其紧凑的封装和环保特性使其成为便携式电子产品的理想选择。无论是在电源保护还是电源管理方面,ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WD5126C
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联系电话:0755-210******
经营模式:贸易型
所在地区:广东省***
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