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WL2836E：低噪声、高PSRR、高速CMOSLDO

产品描述：

      WL2836E系列是一款高精度、低噪声、高速、高PSRR（电源抑制比）、低压降CMOS线性稳压器，具有出色的抗纹波能力。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有随输出电压变化的折返至高输出电流，因此电流限制功能既作为短路保护，又作为输出电流限制器。WL2836E稳压器采用标准的SOT-23-5L封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性

· 输入电压范围：1.4V~5.5V

· 输出电压范围：0.8V~3.3V

· 输出电流：300mA

· 静态电流：50μATyp

· 关机电流：<1μA

· 压降电压：140mV@IOUT=0.3A

· PSRR：78dB@1kHz,VOUT=1.8V

· 低输出电压噪声：20μVRMSTyp

· 输出电压容差：±2%@VOUT>2V

· 推荐电容器：1μF

· 热过载和短路保护

应用领域

· MP3/MP4播放器

· 手机、无线电话、数码相机

· 蓝牙、无线手持设备

· 其他便携式电子设备

      WL2836E是高性能CMOS线性稳压器，专为低噪声、高PSRR和高速性能的便携式电子设备设计。宽输入电压范围和可调输出电压使其应用灵活。内置折返至高输出电流和电流限制功能，提供额外保护。紧凑SOT-23-5L封装，无铅无卤素，满足环保要求。详情查阅数据手册或联系我们。 WL2836D30-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装:DFN-4-EP(1x1)。中文资料WILLSEMI韦尔RB520S30

WD3139：高效38V升压型白色LED驱动器

产品描述

     WD3139是一款恒定电流、高效率的LED驱动器。其内部MOSFET可以驱动高达10个串联的白色LED，电流限制为1.2A，过压保护为38V。可以将脉冲宽度调制（PWM）信号应用于EN引脚以实现LED调光。该设备以1MHz的固定开关频率运行，以减少输出纹波、提高转换效率，并允许使用小型外部组件。

   封装与环保信息：WD3139采用TSOT-23-6L封装，标准产品为无铅和无卤素。

产品特性：

输入电压范围：2.7~5.5V

开路LED保护：38V（典型值）

参考电压：200mV（±5%）

开关频率：1MHz（典型值）

效率：高达92%

主开关电流限制：1.2A（典型值）

PWM调光频率：5KHz至200KHzPWM

调光占空比：0.5%~100%

应用领域：

智能手机

平板电脑

便携式游戏机

    WD3139是一款专为串联白色LED设计的高效驱动器。提供1.2A电流限制和38V过压保护，确保LED稳定安全。支持PWM调光，1MHz开关频率提升转换效率并减少输出纹波。适用于智能手机、平板等便携设备的LED背光或指示灯。小巧封装且环保，是理想选择。详情请查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WS72412ESD5641D12-3/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN-3L(2x2)。

WNM2021：单N沟道、20V、0.6A功率MOSFET

产品描述

    WNM2021是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2021为无铅产品。小型SOT-323封装

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器电路

· 便携式设备的负载/电源切换

     WNM2021是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷。其先进的沟槽技术和高密度单元设计使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用中表现出色。极低的阈值电压和小型SOT-323封装使其成为便携式设备负载/电源切换的理想选择。此外，WNM2021作为无铅产品，符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。

     ESD9X5VL是一款单向瞬态电压抑制器（TVS），为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供极高水平的保护。它被设计用于替代消费设备中的多层变阻器（MLV），适用于手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等设备。ESD9X5VL结合了一对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可用于提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受8/20μs脉冲的峰值电流高达4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封装，标准产品为无铅、无卤素。

特性：

· 截止电压：5V

· 根据IEC61000-4-2（ESD）为每条线路提供瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）

· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

· IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

· 极低电容：CJ=1.2pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

    ESD9X5VL是保护高速数据接口免受静电放电损害的瞬态电压抑制器。响应迅速，避免噪声和干扰，高可靠且适用于便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 WNM2021-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-323。

  WPM2015xx是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管（MOSFET）。它采用先进的沟槽技术和设计，具有出色的RDS(ON)（导通电阻）和低栅极电荷。这使得WPM2015xx在中等电源电流和电流产出量的应用中表现出色，尤其适用于电池管理、电机控制和高速开关等场景。

  WPM2015xx的主要特点包括：

1：稳定的走电电压和出色的导电电阻，这有助于在电子设备中实现高效、稳定的性能。

2：适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用，这些应用需要精确控制电流和电压。

3：采用无铅、无卤的环保封装，符合现代电子产品的环保要求。

4：具有超高密度电池设计，适用于需要高效率和高稳定性的电池管理系统。

5：极低的阈值电压和小型化的SOT-23封装使得WPM2015xx在空间受限的应用中也能发挥出色的性能。

  在实际应用中，WPM2015xx可以用于继电器、电磁铁和电机等设备的驱动和控制。通过控制栅极电压，WPM2015xx可以实现对电流的精确调节，从而实现对电机等设备的控制。

  安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐WPM2015xx这款MOS，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。 WL2836D25-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装：UDFN-4-EP(1x1)。代理分销商WILLSEMI韦尔WPM2031

WL2817DA33-8/TR 线性稳压器(LDO) 封装：DFN1612-8。中文资料WILLSEMI韦尔RB520S30

ESDA6V8AV6静电放电（ESD）保护的瞬态电压抑制器

产品描述：

    ESDA6V8AV6是一款五线路的ESD瞬态电压抑制器，为可能受到静电放电（ESD）影响的敏感电子组件提供了极高的保护水平。对于正瞬态，这些设备将电压钳制在逻辑电平供电之上；对于负瞬态，则钳制在低于地的二极管压降。ESDA6V8AV6能够安全地消散±20kV的ESD冲击，超过了IEC61000-4-2国际标准的至高上限要求。使用MILSTD-883（方法3015）中的人体模型（HBM）ESD规格，该设备为大于±16kV的接触放电提供了保护。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封装，工作电压为5伏特。

规格特性：

· 工作峰值反向电压：5V

· 低漏电流：<1uA@3V

· 高ESD保护水平：每HBM>20kV

· IEC61000-4-2四级ESD保护

· IEC61000-4-4四级EFT保护

· 五种单独的单向配置

机械特性：

· 无空洞、转移模制、热固性塑料外壳

· 耐腐蚀表面，易于焊接

应用领域：

· 手机和配件

· 个人数字助理（PDA）

· 笔记本电脑、台式机和服务器

· 便携式仪器

· 数码相机

· 外设MP3播放器

     ESDA6V8AV6是五线路ESD保护器，保护电子组件免受静电放电影响。具有强ESD保护和低漏电流，能承受±20kV冲击。符合电磁兼容性标准，适用于手机、笔记本等便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔RB520S30