北京射频硅光芯片耦合测试系统供应商

硅光芯片耦合测试系统的激光器与硅光芯片耦合结构及其封装结构和封装方法,发散的高斯光束从激光器芯片出射,经过耦合透镜进行聚焦;聚焦过程中光路经过隔离器进入反射棱镜,经过反射棱镜的发射,光路发生弯折并以一定的角度入射到硅光芯片的光栅耦合器上面,耦合进硅光芯片。本发明所提供的激光器与硅光芯片耦合结构,其无需使用超高精度的耦合对准设备,耦合过程易于实现,耦合效率更高,且研发成本较低;激光器与硅光芯片耦合封装结构及其封装方法,采用传统TO工艺封装光源,气密性封装,与现有技术相比,具有比较强的可生产性,比较高的可靠性,更低的成本,更高的耦合效率,适用于400G硅光大功率光源应用。端面耦合方案一,在硅光芯片的端面处进行刻蚀,形成v型槽阵列。北京射频硅光芯片耦合测试系统供应商

根据产业链划分，芯片从设计到出厂的中心环节主要包括6个部分：（1）设计软件，芯片设计软件是芯片公司设计芯片结构的关键工具，目前芯片的结构设计主要依靠EDA（电子设计自动化）软件来完成；（2）指令集体系，从技术来看，CPU只是高度聚集了上百万个小开关，没有高效的指令集体系，芯片没法运行操作系统和软件；（3）芯片设计，主要连接电子产品、服务的接口；（4）制造设备，即生产芯片的设备；（5）圆晶代工，圆晶代工厂是芯片从图纸到产品的生产车间，它们决定了芯片采用的纳米工艺等性能指标；（6）封装测试，是芯片进入销售前的结尾一个环节，主要目的是保证产品的品质，对技术需求相对较低。应用到芯片的领域比如我们的硅光芯片耦合测试系统。北京射频硅光芯片耦合测试系统供应商硅光芯片的具有集成度高、成本低、传输线更好等特点。

硅光芯片耦合测试系统主要工作可以分为四个部分(1)从波导理论出发,分析了条形波导以及脊型波导的波导模式特性,分析了硅光芯片的良好束光特性。(2)针对倒锥型耦合结构,分析在耦合过程中,耦合结构的尺寸对插入损耗,耦合容差的影响,优化耦合结构并开发出行之有效的耦合工艺。(3)理论分析了硅光芯片调制器的载流子色散效应,分析了调制器的基本结构MZI干涉结构,并从光学结构和电学结构两方面对光调制器进行理论分析与介绍。(4)利用开发出的耦合封装工艺,对硅光芯片调制器进行耦合封装并进行性能测试。分析并联MZI型硅光芯片调制器的调制特性,针对调制过程,建立数学模型,从数学的角度出发,总结出调制器的直流偏置电压的快速测试方法。并通过调制器眼图分析调制器中存在的问题,为后续研发提供改进方向。

硅硅光芯片耦合测试系统中硅光耦合结构需要具备:硅光半导体元件,在其上表面具有发硅光受硅光部,且在下表面侧被安装于基板;硅光传输路,其具有以规定的角度与硅光半导体元件的硅光轴交叉的硅光轴,且与基板的安装面分离配置;以及硅光耦合部,其变换硅光半导体元件与硅光传输路之间的硅光路,且将硅光半导体元件与硅光传输路之间硅光学地耦合。硅光耦合部由相对于传输的硅光透明的树脂构成,树脂分别紧贴硅光半导体元件的发硅光受硅光部的至少一部分以及硅光传输路的端部的至少一部分,硅光半导体元件与硅光传输路通过构成硅光耦合部的树脂本身被粘接。硅光芯片耦合测试系统优点：给企业带来方便性。

硅光芯片耦合测试系统主要工作可以分为四个部分：1、利用开发出的耦合封装工艺,对硅光芯片调制器进行耦合封装并进行性能测试。分析并联MZI型硅光芯片调制器的调制特性,针对调制过程,建立数学模型,从数学的角度出发,总结出调制器的直流偏置电压的快速测试方法。并通过调制器眼图分析调制器中存在的问题,为后续研发提供改进方向。2、针对倒锥型耦合结构,分析在耦合过程中,耦合结构的尺寸对插入损耗,耦合容差的影响,优化耦合结构并开发出行之有效的耦合工艺。3、从波导理论出发,分析了条形波导以及脊型波导的波导模式特性,分析了硅光芯片的良好束光特性。4、理论分析了硅光芯片调制器的载流子色散效应,分析了调制器的基本结构MZI干涉结构,并从光学结构和电学结构两方面对光调制器进行理论分析与介绍。硅光芯片耦合测试系统优点：数据集中。北京射频硅光芯片耦合测试系统供应商

硅光芯片耦合测试系统优点：反应速度快。北京射频硅光芯片耦合测试系统供应商

硅光芯片耦合测试系统硅光阵列微调设备,微调设备包括有垂直设置的第1角度调节机构与第二角度调节机构,微调设备可带动设置于微调设备上的硅光阵列在垂直的两个方向实现角度微调。本发明还提供一种光子芯片测试系统硅光阵列耦合设备,包括有微调设备以及与微调设备固定连接的位移台,位移台可实现对探针卡进行空间上三个方向的位置调整。基于光子芯片测试系统硅光阵列耦合方法,可使得硅光阵列良好的对准到芯片端面的光栅区间,从而使得测试过程更加稳定,结果更加准确。北京射频硅光芯片耦合测试系统供应商