本实用新型属于智能功率模块保护电路技术领域,涉及一种ipm模块短路检测电路。背景技术:ipm(intelligentpowermodule),即智能功率模块,不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且其内部还集成有过电压,过电流和过热等故障检测电路,并可将检测信号送到cpu。它由高速低功耗的管芯和优化的门极驱动电路以及快速保护电路构成。即使发生负载事故或使用不当,也可以保证ipm自身不受损坏。近年来,ipm模块已经在汽车电子、机车牵引和新能源等各个领域获得广泛的应用。随着ipm模块在各个领域的进一步应用,对ipm模块的及其应用的要求也进一步提高,由于大功率ipm模块通常工作在高压大电流的条件下,在系统运行的过程中,ipm模块会出现短路损坏的问题,严重影响其应用。因此,ipm模块的短路检测是其中的一项关键技术。由于ipm模块的开关速度越来越快,ipm模块发生短路时的电流是额定电流的4-6倍,如果不能快速的检测到短路故障,保护电路不能***时间进行器件保护,这将不可避免的导致ipm模块发生损坏,所以对ipm模块进行短路监测的精度要求肯定越来越高,而传统的ipm模块退饱和检测法的劣势将会越来越明显,由于设置的基准电压不准确更有可能导致退饱和短路检测方法下的误动作。 f,焊接g极时,电烙铁要停电并接地,选用定温电烙铁**合适。质量IGBT模块出厂价格
逆导晶闸管的典型产品有美国无线电公司(RCA)生产的S3900MF,其外形见图1(c)。它采用TO-220封装,三个引出端分别是门极G、阳极A、阴极K。S3900MF的主要参数如下:断态重复峰值电压VDRM:>750V通态平均电流IT(AV):5A**大通态电压VT:3V(IT=30A)**大反向导通电压VTR:<**大门极触发电压VGT:4V**大门极触发电流IGT:40mA关断时间toff:μs通态电压临界上升率du/dt:120V/μs通态浪涌电流ITSM:80A利用万用表和兆欧表可以检查逆导晶闸管的好坏。测试内容主要分三项:1.检查逆导性选择万用表R×1档,黑表笔接K极,红表笔接A极(参见图3(a)),电阻值应为5~10Ω。若阻值为零,证明内部二极管短路;电阻为无穷大,说明二极管开路。2.测量正向直流转折电压V(BO)按照(b)图接好电路,再按额定转速摇兆欧表,使RCT正向击穿,由直流电压表上读出V(BO)值。3.检查触发能力实例:使用500型万用表和ZC25-3型兆欧表测量一只S3900MF型逆导晶闸管。依次选择R×1k、R×100、R×10和R×1档测量A-K极间反向电阻,同时用读取电压法求出出内部二极管的反向导通电压VTR(实际是二极管正向电压VF)。再用兆欧表和万用表500VDC档测得V(BO)值。全部数据整理成表1。 安徽质量IGBT模块咨询报价装配时切不可用手指直接接触,直到g极管脚进行连接。
并通过所述第二门极压接式组件对所述第三导电片、钼片、银片、铝片施加压合作用力,所述第三导电片、钼片、银片、铝片依次设置于所述铜底板上。作为本发明的立式晶闸管模块的改进,任一所述接头包括:螺栓和螺母,所述螺栓与螺母之间还设置有弹簧垫圈和平垫圈。作为本发明的立式晶闸管模块的改进,所述铜底板通过硅凝胶对位于其上的***导电片、第二导电片、瓷板进行固定。作为本发明的立式晶闸管模块的改进,所述铜底板通过硅凝胶对位于其上的第三导电片、钼片、银片、铝片进行固定。作为本发明的立式晶闸管模块的改进,所述***压块和第二压块上还设置有绝缘套管。作为本发明的立式晶闸管模块的改进,所述绝缘套管与对应的压块之间还设置有垫圈。作为本发明的立式晶闸管模块的改进,所述外壳上还设置有门极铜排安装座。与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明的立式晶闸管模块通过设置***接头、第二接头和第三接头、封装于外壳内部的***晶闸管单元和第二晶闸管单元能够实现电力系统的多路控制,有效保证了电力系统的正常运行。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地。
从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3,当a1和a2随发射极电流增加而(a1+a2)≈1时,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式(1—1)中,在晶闸管导通后,1-(a1+a2)≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后,门极已失去作用。在晶闸管导通后,如果不断的减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于a1和a1迅速下降,当1-(a1+a2)≈0时,晶闸管恢复阻断状态。可关断晶闸管GTO(GateTurn-OffThyristor)亦称门控晶闸管。其主要特点为,当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。前已述及,普通晶闸管(SCR)靠门极正信号触发之后,撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断,必须切断电源,使正向电流低于维持电流IH,或施以反向电压强近关断。这就需要增加换向电路。 有三个PN结,对外有三个电极〔图2(a)〕:一层P型半导体引出的电极叫阳极A。
晶闸管一般指晶体闸流管晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上***晶闸管产品,并于1958年使其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极;晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被***应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。中文名晶闸管外文名Thyristo目录1种类2工作原理3工作条件4工作过程5注意事项6如何保护晶闸管晶体闸流管种类编辑(一)按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。。 仪器测量时,将1000电阻与g极串联。贸易IGBT模块供应
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大。质量IGBT模块出厂价格
这个反电动势可以对电容进行充电。这样,正极的电压也不会上升。如下图:坦白说,上面的这个解释节我写得不是很有信心,我希望有高人出来指点一下。欢迎朋友在评论中留言。我会在后面写《变频器的输出电流》一节中,通过实际的电流照片,验证这个二极管的作用。现在来解释在《变频器整流部分元件》中说,在《电流整流的方式分类》中讲的“也可以用IGBT进行整流”有问题的。IGBT,通常就是一个元件,它不带续流二极管。即是这个符号:商用IGBT模块,都是将“IGBT+续流二极管”集成在一个整体部件中,即下面的这个符号。在工厂中,我们称这个整体部件叫IGBT,不会说“IGBT模块”。我们可以用“IGBT模块”搭接一个桥式整流电路,利用它的续流二极管实现整流。这样,我们说:IGBT也可以进行整流,也没有错。但它的实质,还是用的二极管实现了整流。既然是用了“IGBT模块”上的“续流二极管”整流,为什么不直接用“二极管”呢?答案是:这一种设计是利用“IGBT”的通断来治理变频器工作时产生的“谐波”,这个原理以后写文再讲。 质量IGBT模块出厂价格