汽车电子之超高压晶体管--提高电动车续航能力：美国布法罗大学科研团队开发的功率MOSFET晶体管，可用小体积处理难以置信的高电压，可提升汽车电力电子效能。金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，在汽车电子中尤为常见。功率MOSFET是一种专门处理大功率负载的开关，年约500亿个出货量。功率MOSFET可快速开关大功率的电子系统，是汽车电子的重要元件。布法罗大学团队称已研发出薄如纸的氧化镓MOSFET晶体管，可处理极高电压。晶体管在实验室中能处理超8000伏电压。研究人员称这一数字明显高于碳化硅或氮化镓晶体管。实验中氧化镓的带隙数字为。带隙是衡量一个电子进入导电状态所需的能量，带隙越宽效果越好。硅是电力电子器件中常见的材料，带隙。碳化硅和氮化镓带隙分别为。因此氧化镓。布法罗团队希望这种功率MOSFET晶体管能够为汽车电子、机车、微电网技术，以及更小更高效的电力电子功率器件作出贡献。如果其能走出实验室，走进汽车电子应用场景，可能是汽车电子电力的又一进步。 车身电子照明车门模块汽车电子国产替换。广州车载仪表盘T-BOX芯片润石芯片业态现状
汽车电子动力总成DC/DC转换器介绍：DC/DC转换器是电动汽车动力系统中的重要部分，其有两类重要功用：一、为动力转向系统、空调及其他辅助设备提供电力。二、在复合电源系统中与超级电容串联，起到调节电源输出，稳定母线电压的作用。在汽车电子电气系统中，由总线连接控制单元、电池管理单元、电机、电机控制器、变速器、动力电池组、数字仪表和DC/DC转换器。DC/DC转换器是利用电感、电容的储能特性，通过可控开关(场效应管等)进行高频开关动作，将输入电能储存在电容/电感里。在开关断开时，再释放出来为负载提供电能。由于汽车电子元器件多使用低压直流电源，所以采用DC/DC转换器（又称直流电源转换模块），将动力电池组几百伏的直流电压转换为低压直流恒压电源，供车辆电器使用。其必须具备体积小、效率高、可靠性高、耐受恶劣环境（如温度较大范围波动）等特点。汽车电子：运算放大器、比较器、模拟开关、电平转换器、逻辑芯片。 肇庆信创-PC系统润石芯片供应商电动汽车板载充电器OBC汽车电子国产替换。
功率器件在汽车电子中的应用：汽车电子系统开发周期长，前瞻性、系统性要求比较高。汽车电子设计应活在明天，设计方案出来后，能否适应当时的市场？这种思路能帮助节省成本，跑赢时间差。汽车电子之功率器件：即输出功率较大的电子元器件，如大功率晶体管，晶闸管。性能高、寄生电容小、易集成。可用于交流电机、牵引传动、开关电源、变频等。因智能化和安全需求的提升，功率电子需有逻辑判断和保护功能：如：IGBT内置入温度传感器，可判断系统预后故障并反馈给处理器，由处理器发出指令降低车辆发动机的输出扭矩和速度。随着动能加大、汽车电子器件增多，电池常处于高负载，此时需系统作出反馈，优化功率器件的开关动作。为高负荷的汽车功率电子器件选型，需首先考量耐用、可靠和抗干扰。把每一器件放在整体系统中去考量，在波动的、极限的工作环境下调整设计。汽车电子新宠之碳化硅：又名金刚砂(SiC)。优点是耐热性强、低损耗、高耐压、高功率、可提高总线电压。可用于汽车电子、电气电力等。
国产电平转换芯片该怎样选型？RSxTx45系列产品介绍：RSxTx45系列器件属于江苏润石的方向控制型电平转换器系列。这些电压转换器使用两个单独的可配置电源轨,对输入信号进行升压或降压转换。根据设计,RSxTx45系列转换器适用于。该系列同样给使用者提供1,2,4,8四种不同通道数。这些器件支持高达200Mbps的数据速率,同时提供32mA的驱动强度。VCC隔离、IOFF功能以及具有3kVHBM（人体放电模型）内置ESD（静电放电）保护功能。国产电平芯片江苏润石RS0208替换TI-TXB0108；Nexperia-NXB0108；ON-LSX3013，NLSX3018。汽车电子.电平转换,运放,比较器,模拟开关,电压基准源,通信POE芯片接口芯片国产替代方案。 AEC-Q100认证国产汽车电子芯片。
浅谈电平匹配问题：很多电子单元（或芯片）的电平电压是各自不同的,造成彼此之间的电平信号无法直通,所以也就无法协议信号指令。而在逻辑电路中,却经常需要用到电平匹配。电平匹配是指在逻辑电路中,前后两级输入/输出的电平相同。即前级输出高电平与后级要求输入高电平的电压差数不超过。电平匹配有什么作用呢？--电平匹配的前后级电路可用导线直连,而无需增加电平转换电路,节省空间和成本。常见逻辑电路的电平,有CMOS电平和TTL电平等,要在CMOS和TTL之间进行通讯,须在其间置入电平转换电路,或使用电平转换芯片,否则可能会损坏单片机等芯片。TTL电平信号规定为：+5V等价于逻辑‘1’，0V等价于逻辑‘0’。CMOS逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。TTL电源电压5V，CMOS电源电压一般为12V。TTL的5V电平无法触发CMOS电路，CMOS的12V电平会损坏TTL电路，因此两者不能直接互通。江苏润石RS0108替换TI-TXS0108；Nexperia-NXS0108汽车电子.电平转换,运放,比较器,模拟开关,电压基准源。 江苏润石国产芯片工控设备电平转换芯片国产替换。广州车载仪表盘T-BOX芯片润石芯片业态现状
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汽车电子之高性能碳化硅场效应晶体管新工艺：碳化硅（SiC）是电力电子中重要的半导体材料之一，在汽车电子、电力等领域广为应用。SiCMOSFET的技术瓶颈是其栅氧层界面质量差导致沟道迁移率低。现国内科研团队提出一种用低温超临界二氧化碳，或超临界一氧化二氮流体的低温退火工艺。以提高4H-SiCMOSFET中4H-SiC/SiO2界面的质量。通过增压，二氧化碳和一氧化二氮在接近室温时更容易进入超临界流体状态。SCF态是物质的一种特殊相，它具有气体一样的高渗能力和液体一样的高溶度，几无表面张力。因此可将SCCO2或SCN2O流体引入界面来减小陷阱，而不会造成新的损伤。该研究成果不*实现了高质量SiO2/SiC界面、高的沟道迁移率和介电可靠性，更可喜的是，其高效低温退火工艺与标准SiCMOSFET制造工艺兼容，为制备高性能SiCMOSFET器件提供了新的有效方法，方便用于商用器件和汽车电子器件的制备。上述研究成果论文在第67届电气电子工程师学会（IEEE）国际电子器件会议上发表。获国家重点研发计划、国家自然科学基金等支持。 广州车载仪表盘T-BOX芯片润石芯片业态现状