IGBT模块|可控硅晶闸管|二极管模块|熔断器
下面描述中的附图**是本发明中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明的立式晶闸管模块的一具体实施方式的平面示意图。具体实施方式下面结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细说明,但应当说明的是,这些实施方式并非对本发明的限制,本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代,均属于本发明的保护范围之内。如图1所示,本发明的立式晶闸管模块包括:外壳1、盖板2、铜底板3、形成于所述盖板2上的***接头4、第二接头5和第三接头6、封装于所述外壳1内部的***晶闸管单元和第二晶闸管单元。其中,任一所述接头均可与电力系统中一路电路相连接,并在晶闸管单元的控制下对所在电路进行投切控制。所述***晶闸管单元包括:***压块7、***门极压接式组件8、***导电片9、第二导电片10、瓷板11。其中,所述***压块7设置于所述***门极压接式组件8上,并通过所述***门极压接式组件8对所述***导电片9、第二导电片10、瓷板11施加压合作用力,所述***导电片9、第二导电片10、瓷板11依次设置于所述铜底板3上。 在程序操纵下,IGBT模块通过变换电源两端的开关闭合与断开,实现交流直流电的相互转化。山西进口IGBT模块现价
但输出基频就不到50HZ了,再把8010的18脚接高电平,也就是接成原60HZ的形式,这时实际输出就为50HZ了。这个方法,得到了屹晶公司许工的认可。经过和神八兄多次的策划,大约花了一个月左右的“空闲”时间,我终于做出了***块驱动板,见下面的图片,板子还是比较大的,长16CM,宽。这块驱动板元器件特别多,有280个左右的元件。所以,画PCB和装样板,颇费了一番周折。因为,一般大功率的机器,前级和后级可能是分离的,对于后级来讲,一般是接入360V左右的高压,就要能工作,所以,这个驱动卡的辅助电源是高压输入的,我用了一块PI公司的TNY277的IC,电路比较简单,但输出路数很多,有5路,都是互相隔离的。因功率不大,可以用EE20EFD20等磁芯,但这类磁芯,找不到与它匹配的脚位有6+6以上的骨架,所以,只得用了EI28磁芯,用了11+11的骨架。下图是辅助电源部分的电路和TNY277的D极波形。下面是这款驱动卡联上300A模块的图片,四路输出的图腾管是用D1804和B1204,输出电流8A,在连上300A模块时,G极上升时间约为380NS左右(G极电阻10R),不算很快,但也不算特别慢了。我在模块上接入30V的母线电压,输出的正弦波如下图,可见,设计上没有明显的错误,时序也是对的。现在。 湖北国产IGBT模块销售三层P型半导体引出的电极叫控制极G。
4.晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。晶体闸流管工作过程编辑晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门极电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未受电压的情况下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下。
流过IGBT的电流值超过短路动作电流,则立刻发生短路保护,***门极驱动电路,输出故障信号。跟过流保护一样,为避免发生过大的di/dt,大多数IPM采用两级关断模式。为缩短过流保护的电流检测和故障动作间的响应时间,IPM内部使用实时电流控制电路(RTC),使响应时间小于100ns,从而有效抑制了电流和功率峰值,提高了保护效果。当IPM发生UV、OC、OT、SC中任一故障时,其故障输出信号持续时间tFO为1.8ms(SC持续时间会长一些),此时间内IPM会***门极驱动,关断IPM;故障输出信号持续时间结束后,IPM内部自动复位,门极驱动通道开放。可以看出,器件自身产生的故障信号是非保持性的,如果tFO结束后故障源仍旧没有排除,IPM就会重复自动保护的过程,反复动作。过流、短路、过热保护动作都是非常恶劣的运行状况,应避免其反复动作,因此*靠IPM内部保护电路还不能完全实现器件的自我保护。要使系统真正安全、可靠运行,需要辅助的**保护电路。智能功率模块电路设计编辑驱动电路是IPM主电路和控制电路之间的接口,良好的驱动电路设计对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要意义。IGBT的分立驱动电路的设计IGBT的驱动设计问题亦即MOSFET的驱动设计问题。 不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。
若u参照图2,保护电路4包括依次相连接的电阻r1、高压二极管d2、电阻r2、限幅电路和比较器,限幅电路包括二极管vd1和二极管vd2,限幅电路中二极管vd1输入端分别接+15v电源和电阻r2,二极管vd1输出端与二极管vd2输入端相连接,二极管vd2输出端接地,高压二极管d2输出端与二极管vd2输入端相连接,二极管vd1输出端与比较器输入端相连接,放大滤波电路3与电阻r1相连接。放大滤波电路将采集到的流过电阻r7的电流放大后输入保护电路,该电流经电阻r1形成电压,高压二极管d2防止功率侧的高压对前端比较器造成干扰,二极管vd1和二极管vd2组成限幅电路,可防止二极管vd1和二极管vd2中间的电压,即a点电压u超过比较器的输入允许范围,阈值电压uref采用两个精值电阻分压产生,若a点电压u驱动电路5包括相连接的驱动选择电路和功率放大模块,比较器输出端与驱动选择电路输入端相连接,功率放大模块输出端与ipm模块1的栅极端子相连接,ipm模块是电压驱动型的功率模块,其开关行为相当于向栅极注入或抽走很大的瞬时峰值电流,控制栅极电容充放电。功率放大模块即功率放大器,能将接收的信号功率放大至**大值,即将ipm模块的开通、关断信号功率放大至**大值,来驱动ipm模块的开通与关断。 同时,开关损耗增大,使原件发热加剧,因此,选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。进口IGBT模块出厂价格
仪器测量时,将1000电阻与g极串联。山西进口IGBT模块现价
图中开通过程描述的是晶闸管门极在坐标原点时刻开始受到理想阶跃触发电流触发的情况;而关断过程描述的是对已导通的晶闸管,在外电路所施加的电压在某一时刻突然由正向变为反向的情况(如图中点划线波形)。开通过程晶闸管的开通过程就是载流子不断扩散的过程。对于晶闸管的开通过程主要关注的是晶闸管的开通时间t。由于晶闸管内部的正反馈过程以及外电路电感的限制,晶闸管受到触发后,其阳极电流只能逐渐上升。从门极触发电流上升到额定值的10%开始,到阳极电流上升到稳态值的10%(对于阻性负载相当于阳极电压降到额定值的90%),这段时间称为触发延迟时间t。阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需要的时间(对于阻性负载相当于阳极电压由90%降到10%)称为上升时间t,开通时间t定义为两者之和,即t=t+t通常晶闸管的开通时间与触发脉冲的上升时间,脉冲峰值以及加在晶闸管两极之间的正向电压有关。山西进口IGBT模块现价
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