佛山锗管三极管参考价

三极管基本概念，双极性晶体管的全称为双极性结型晶体管，也就是我们常说的三极管。三极管顾名思义具有三个电极。前面的二极管是由一个P-N结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。它是一种电流控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号， 也用作无触点开关。它也是电子世界里重要的基本器件之一。三极管的输入电阻较高，可以减少对输入信号源的负载影响。佛山锗管三极管参考价

三极管的作用：模拟。用三极管够成的电路还可以模拟其它元器件。大功率可变电阻价贵难觅，用图9(g)电路可作模拟品，调节510电阻的阻值，即可调节三极管C、E两极之间的阻抗，此阻抗变化即可代替可变电阻使用。图9(h)为用三极管模拟的稳压管。其稳压原理是：当加到A、B两端的输入电压上升时，因三极管的B、E结压降基本不变，故R2两端压降上升，经过R2的电流上升，三极管发射结正偏增强，其导通性也增强，C、E极间呈现的等效电阻减小，压降降低，从而使AB端的输入电压下降。调节R2即可调节此模拟稳压管的稳压值。杭州半导体三极管对三极管的性能有定影响，需考虑温度漂移。

极限参数：a.集电极较大允许电流ICM集电极较大允许电流是指当集电极电流IC增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。所以当集电极电流超过集电极较大允许电流时，虽然不致使管子损坏，但β值明显下降，影响放大质量。b.集电极—基极击穿电压U(BR)CBO集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时，集电结的反向击穿电压。c.发射极—基极反向击穿电压U(BR)EBO发射极—基极反向击穿电压是指当集电极开路时，发射结的反向击穿电压。d.集电极—发射极击穿电压U(BR)CEO集电极—发射极击穿电压是指当基极开路时，加在集电极和发射极之间的较大允许电压，使用时如果UCE＞U(BR)CEO，管子就会被击穿。e.集电极较大允许耗散功率PCM集电极较大允许耗散功率是指管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的较大集电极耗散功率。

实际放大电路，三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管)，基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管，常取0.7V)。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时，基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比0.7V要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7V时，基极电流都是0)。这种放大功能被普遍应用于放大器、功率放大器等电路中。例如，在音频放大器中，三极管可以将微弱的声音信号放大为足够大的声音输出。三极管的工作原理是基区注入和电场耦合效应。

三极管的作用：扩流。把一只小功率可控硅和一只大功率三极管组合，就可得到一只大功率可控硅，其较大输出电流由大功率三极管的特性决定，见附图9(a)。图9(b)为电容容量扩大电路。利用三极管的电流放大作用，将电容容量扩大若干倍。这种等效电容和一般电容器一样，可浮置工作，适用于在长延时电路中作定时电容。用稳压二极管构成的稳压电路虽具有简单、元件少、制作经济方便的优点，但由于稳压二极管稳定电流一般只有数十毫安，因而决定了它只能用在负载电流不太大的场合。图9(c)可使原稳压二极管的稳定电流及动态电阻范围得到较大的扩展，稳定性能可得到较大的改善。三极管在放大电路中常用于电子放大器、示波器、电视机等设备中。中山硅管三极管制造

三极管在开关电路中能实现放大和控制电流的作用。佛山锗管三极管参考价

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的主要元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。三极管的分类：a.按频率分：高频管和低频管；b.按功率分：小功率管，中等功率管和的功率管；c.按机构分：PNP管和NPN管；d.按材质分：硅管和锗管；e.按功能分：开关管和放大。佛山锗管三极管参考价