国产电平转换芯片匹配问题:TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类:、、、5V系列(包括5V-TTL/CMOS)。5V-TTL与5V-CMOS为通用逻辑电平。。电平相关模式和要求介绍:①输入低电平Vil:逻辑门输入为低电平时,保证所允许比较大输入低电平,当输入电平低于Vil时,则认为输入为低电平。②输入高电平Vih:逻辑门输入为高电平时,保证所允许比较小输入高电平。当输入电平高于Vih时,则认为输入为高电平。③输出低电平Vol:保证逻辑门输出为低电平时的输出电平之比较大值,逻辑门输出为低电平时的电平值都必须小于此Vol。④输出高电平Voh:保证逻辑门输出为高电平时的输出电平之最小值,门输出为高电平时的电平值都必须大于此Voh。⑤阀值电平Vt:数字电路芯片阈值电平是一个界于Vil/Vih之间的电压值。CMOS阈值电平,约为1/2电源电压值,如需输出之稳定,则要求输入高电平>Vih,输入低电平。江苏润石RS0202替换TI-TXB0102;Nexperia-NLSX3012,ON-NXB0102,NLSX5002,NLSX5012.汽车电子.电平转换,运放,比较器,模拟开关,电压基准源。 信创国产系列芯片运放,电平转换,模拟开关,负载开关,小逻辑等。肇庆智能家居系统芯片润石芯片解决方案

汽车电子动力总成DC/DC转换器介绍:DC/DC转换器是电动汽车动力系统中的重要部分,其有两类重要功用:一、为动力转向系统、空调及其他辅助设备提供电力。二、在复合电源系统中与超级电容串联,起到调节电源输出,稳定母线电压的作用。在汽车电子电气系统中,由总线连接控制单元、电池管理单元、电机、电机控制器、变速器、动力电池组、数字仪表和DC/DC转换器。DC/DC转换器是利用电感、电容的储能特性,通过可控开关(场效应管等)进行高频开关动作,将输入电能储存在电容/电感里。在开关断开时,再释放出来为负载提供电能。由于汽车电子元器件多使用低压直流电源,所以采用DC/DC转换器(又称直流电源转换模块),将动力电池组几百伏的直流电压转换为低压直流恒压电源,供车辆电器使用。其必须具备体积小、效率高、可靠性高、耐受恶劣环境(如温度较大范围波动)等特点。汽车电子:运算放大器、比较器、模拟开关、电平转换器、逻辑芯片。 肇庆智能家居系统芯片润石芯片解决方案润石低功耗比较器,宽电源范围,轨到轨输入,适用于低压低功耗应用。

IGBT怎样应用于汽车电子:IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是复合全控型电压驱动式功率器件,兼有MOSFET高输入阻抗和GTR(功率晶体管)低导通压降两方面的优点。其特点:高输入阻抗,可采用通用型低成本的驱动电路。高速开关特性,导通状态低损耗。IGBT驱动功率小而饱和压降低,适于中大功率电力电子应用,综合优势明显,尤适用于直流电压600V或以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、牵引传动等。IGBT是能源转换传输的主器件,是电力电子设备的内核。IGBT是一种大功率的电力电子系统中理想的开关,特点为高压、高速、大电流。使用IGBT进行功率变换,能提高用电效能,绿色环保,是节能减排重要技术之一。IGBT应用领域广,如新能源汽车电子,工控变频,家电变频,轨道交通,风力光伏发电等。IGBT在汽车电子中是主核部件:例如–汽车电控系统;大功率直交流逆变;汽车电机;空调;小功率直交流逆变(采用电流较小的IGBT等)。在智能充电桩中,IGBT作为开关器件使用。
汽车ABS与ASR简介:ABS即防抱死制动系统,能在制动中自动调节车轮制动力,防车轮抱死。ASR即加速防滑控制系统,是防止驱动轮加速打滑的控制系统。汽车制动效能的优劣,主要由三个方面进行评估:①制动效能,即制动距离与制动减速。②制动效能的恒定性。即抗热或水衰退性能。③制动中汽车方向稳定性,即制动时汽车不跑偏、不侧滑、不失去转向能力。汽车防抱死制动系统可感知制动轮每一瞬时运动状态,在制动中防车轮抱死,使汽车在各种状况的路面上制动时,车轮与地面都能达到纵向峰值附着系数和较大的侧向附着系数,以使车辆制动时不发生抱死拖滑、失去转向能力等危险因素,并维持方向的稳定性,缩短制动距离,提高行车安全性。汽车电子技术对ABS/ASR的效能优化:EBD系统:在制动瞬间高速感知轮胎摩擦力数据,调整制动装置,实现制动力与摩擦力匹配。平衡每个轮胎的地面附着力,并防甩尾和侧移。ESP系统:包括多种汽车电子器件:侧滑、转向、横向加速、横摆角速传感器等,能对制动力和行驶方向进行修正补偿。江苏润石汽车电子板载充电器方案:运算放大器RS721/2/4P-Q1、RS8551-Q1,RS8412/4-Q1比较器RS331-Q1,RS393-Q1,LM2901-Q1,LM2903-Q1电压基准源LM2903-Q1,RS431-Q1。汽车电子.电平转换。 AEC-Q100认证国产汽车电子电平转换芯片。

汽车电子之高性能碳化硅场效应晶体管新工艺:碳化硅(SiC)是电力电子中重要的半导体材料之一,在汽车电子、电力等领域广为应用。SiCMOSFET的技术瓶颈是其栅氧层界面质量差导致沟道迁移率低。现国内科研团队提出一种用低温超临界二氧化碳,或超临界一氧化二氮流体的低温退火工艺。以提高4H-SiCMOSFET中4H-SiC/SiO2界面的质量。通过增压,二氧化碳和一氧化二氮在接近室温时更容易进入超临界流体状态。SCF态是物质的一种特殊相,它具有气体一样的高渗能力和液体一样的高溶度,几无表面张力。因此可将SCCO2或SCN2O流体引入界面来减小陷阱,而不会造成新的损伤。该研究成果不仅实现了高质量SiO2/SiC界面、高的沟道迁移率和介电可靠性,更可喜的是,其高效低温退火工艺与标准SiCMOSFET制造工艺兼容,为制备高性能SiCMOSFET器件提供了新的有效方法,方便用于商用器件和汽车电子器件的制备。上述研究成果论文在第67届电气电子工程师学会(IEEE)国际电子器件会议上发表。获国家重点研发计划、国家自然科学基金等支持。 润石车规级芯片,低失效率、高可靠性,高低温下稳定运行,适配多样汽车应用。浙江电压基准源精密基准源芯片润石芯片价格
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汽车电子功率晶体管(GTR)应用:功率晶体管是一种高反压双极性大功率电子元器件,曾称为电力晶体管。具有饱和压降低、有自关断能力、开关时间短、安全工作区宽等优点。现已提供功率晶体管组合器件,如单片达林顿晶体管,或功率晶体管模块。功率晶体管组合器件在直流脉宽调速和交流矢量控制的PWM调速中广为应用。某公司GTR模块的三种类型:①Z系列:开关时间缩短、耐受较大的短路电流。②M系列:具有高放大倍数。③ZP/ZN系列:短引线、简单的缓冲电路,可匹配基极驱动电路模块。应用广:①作为放大器,用于电源串联调压电路,音频和超声波放大等。②作为大功率半导体开关、电机控制、不停电电源、汽车电子。③GTR模块,用于交流传动、逆变器、开关电源。△拓展-GTR:电力晶体管。耐高电压、大电流。双极结型晶体管。在电力电子技术中,GTR与BJT这两个名称等效。主要特性:大电流、高耐压、开关特性好。常用两个以上的电力晶体管,按达林顿模式组成单元。 肇庆智能家居系统芯片润石芯片解决方案