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DS3056B 是一款面向小家电/电动工具充电的快充管理 SOC，集成了微处理器、同步开关电压变换器、快充协议控制器、 电池充放电管理、电池电量计，I2C 通信等功能模块及显示驱动、安全保护等功能单元，支持 2-6 串电芯，上限 100W 的充电功率，支持 CC-CV 切换，支持 PD3.1，PD3.0，QC3.0、AFC、BC1.2、DCP 等主流快充协议，并提供输入过压/欠压、电池过充、过温、过流等完备的保护功能。搭载极简的周围线路，即可组成小家电和电动工具的快充充电方案。DS5035B单串+无线充方案：单串22.5+无线充。5306A4B

CN3130是可以用太阳能板供电的可充电纽扣电池充电管理芯片。该器件内部包括功率晶体管，应用时不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。内部的充电电流自适应模块能够根据输入电源的电流输出能力自动调整充电电流，用户不需要考虑坏情况，利用输入电源的电流输出能力，非常适合利用太阳能板等电流输出能力有限的电源供电的应用。CN3130只需要极少的外置元器件，非常适合于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。内部固定的恒压充电电压为3.3V，也可以通过一个外部的电阻向上调节，非常适合纽扣式锂锰电池，磷酸铁锂电池和锂电池的充电应用。充电电流通过一个外部电阻设置。当输入电压掉电时，CN3130自动进入低功耗的睡眠模式，此时电池的电流消耗小于3微安。其它功能包括输入电压过低锁存，自动再充电以及充电状态指示等功能。CN3130采用6管脚SOT23封装(SOT23-6)。XB4908AJ电源管理IC上海芯龙任一输出口的输出电流小于约 80mA时，持续 15s 后会自动关闭该口。

电源管理芯片的一些主要应用领域：消费电子领域：智能手机：电源管理芯片负责管理电池充电、电量监测、不同部件的电压转换（如将电池电压转换为处理器、屏幕等所需电压），并且在快速充电技术中发挥关键作用，实现安全高效的充电。笔记本电脑和平板电脑：确保设备在不同工作模式下稳定供电，包括待机、工作、高性能运算等模式下的电源分配和管理，以及电池的合理充放电管理。可穿戴设备：由于可穿戴设备对体积和功耗要求极为苛刻，电源管理芯片需要实现高效的电源转换和低功耗待机等功能，以延长设备续航和电池寿命。

DS6036B是点思针对多串市场推出的一颗移动电源SOC。DS6036B两串移动电源+EPP无线充方案：两串30W+EPP无线充15W（苹果7.5W）。支持CCAA、CC线L线A、CLinAA等输出方式，同时也支持CCA+W的无线充移动电源方式。单击按键开机并显示电量，双击按键关机进入休眠，长按键进入小电流模式。集成了同步开关升降压变换器、电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块、协议模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能，支持PD3.1/PD3.0/PPS/PD2.0/QC4/QC3.0/QC2.0/AFC/FCP/SCP/BC1.2DCP及APPLE2.4A等主流快充协议。点思DS6036B无线充15W带载效率高达83%。边充边放（无线充放电、适配器给移动电源充电）由电源输入功率决定，优先提供无线充15W，剩余部分提供给电池。移动电源和无线充供电共用一路升降压节约成本。我们的产品优势：效率高，温度底；可实现双C输入输出；无线充边充边放为快充；性价比高，成本优；支持在线烧录；无需外加升压芯片，可直接升压至18V。带电池正负极反接保护的充电管理。

  DS3056B集成LED显示功能。GPIO10、GPIO11管脚可以直接驱动LED1，LED2，用于显示IC的工作状态、电池的充电状态等信息。集成i2C功能，外部芯片可直接读取当前芯片的工作状态。内置16-bit的高精度ADC和12-bit的高速ADC。高精度ADC用于检测充电电流，高速ADC用于检测电压信号，并配置了窗口比较功能，可以根据检测结果做出快速反应。DS3056B的测温管脚TS集成了电流源，结合外部的温敏电阻（NTC），用于监测电池的温度。温度高于高温保护门限或低于低温保护门限、且持续预定时间后，关闭充放电路径。温度从高温降至高温保护解除门限之下或从低温升至低温保护解除门限之上时，恢复充电或放电。PVDD部分的供电：2串可通过电池直接给内部PVDD供电，3串可通过外部LDO给PVDD供电，4-6串可通过外部DC给PVDD供电。C+CA 双环路多口快充适配器。BP6501电源管理IC上海如韵

单路2~6 串升降压30~100W 移动电源SOC。5306A4B

XA2361系列产品需要四个元器就可完成底电压的升压，并且可使用可外扩MOS型，使输出电流达到更大值。SOT23-5封装置EN使能端，可控制变换器的工作状态，可使它处于关断省电状态，功耗降。启动电压:0.8V(1mA)l元件极少l可外加N沟MOS扩流至1A以上。l*率：87%l低纹波，低噪声。丝印：E30H E30A E30B E33H E33B E33K 7AJA E33G 7A1L E33D  E36L DGHG DGHG 7KFG  7KFD E50H E50A E50G  b6w 70JC DHJB D4JD  D4JF DFJG  L30H  DAJA 7AIL DBIL L33h L33D L33s 7A22 L33T 7HJC L36H L50P L50U L50T DCJE DCJG DEGL E28N  E28R E30N E30F E30T 2108A E33N E33U E33J E50E E50H E50J L33H DDGH 73HB 75KG L50H L50B 7HJC 0622-50 501C 501D E50N 8530 RM06 8805/50 8806 2100B5306A4B