南京工程功率器件MOS产品选型

无锡商甲半导体提供专业选型服务

封装选择关键因素

功率需求高功率（>100W）：TO-247、TO-220、D2PAK。

中低功率（<100W）：DPAK、SO-8、QFN。

**功率（信号级）：SOT-23、SC-70。

散热条件

需要强制散热或大面积PCB铜箔散热时，优先选带散热片的封装（如TO-247、D2PAK）。

自然散热场景可选SO-8或QFN（需优化PCB散热设计）。

空间限制

紧凑型设备（如手机、穿戴设备）：QFN、SOT-23。

工业设备或电源模块：TO系列或D2PAK。

高频性能

高频应用（>1MHz）：QFN、DirectFET、SO-8（低寄生电感/电容）。

低频应用（如开关电源）：TO系列或DPAK。

安装方式

插件焊接（THT）：TO-220、TO-247。

贴片焊接（SMT）：DPAK、SO-8、QFN（适合自动化生产）。

成本与量产

低成本需求：TO-220、SOT-23。

高性能需求：DirectFET、QFN（成本较高，但性能优）。 功率半导体器件主要包括三大类：功率模组、功率集成电路（即PowerIC，简称PIC，也称功率IC）以及分立器件。南京工程功率器件MOS产品选型

功率MOSFET的基本特性

静态特性MOSFET的转移特性和输出特性。

漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性，ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs

MOSFET的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。

常州功率器件MOS产品选型供应商MOS管封装技术也直接影响到芯片的性能和品质，对同样的芯片以不同形式的封装，也能提高芯片的性能。

电力电子器件正沿着大功率化、高频化、集成化的方向发展。80年代晶闸管的电流容量已达6000安，阻断电压高达6500伏。但这类器件工作频率较低。提高其工作频率，取决于器件关断期间如何加快基区少数载流的复合速度和经门极抽取更多的载流子。降低少子寿命虽能有效地缩短关断电流的过程，却导致器件导通期正向压降的增加。因此必须兼顾转换速度和器件通态功率损耗的要求。80年代这类器件的比较高工作频率在 10千赫以下。双极型大功率晶体管可以在100千赫频率下工作，其控制电流容量已达数百安，阻断电压1千多伏,但维持通态比其他功率可控器件需要更大的基极驱动电流。由于存在热激发二次击穿现象，限制抗浪涌能力。进一步提高其工作频率仍然受到基区和集电区少子储存效应的影响。70年代中期发展起来的单极型MOS功率场效应晶体管， 由于不受少子储存效应的限制，能够在兆赫以上的频率下工作。这种器件的导通电流具有负温度特性，不易出现热激发二次击穿现象；需要扩大电流容量时，器件并联简单，具有线性输出特性和较小驱动功率；在制造工艺上便于大规模集成。但通态压降较大，制造时对材料和器件工艺的一致性要求较高。到80 年代中、后期电流容量*达数十安，阻断电压近千伏。

无锡商甲半导体MOS 管封装形式及散热性能分析

TO-247 封装

TO-247 封装与 TO-220 封装类似，同样属于直插式封装，但体积更大，引脚更粗。其散热片面积也相应增大，散热能力更强，在自然对流条件下，热阻约为 40 - 60℃/W 。TO-247 封装能够承受更高的功率，常用于功率在 50 - 150W 的大功率电路中，如工业电源、电动汽车的电机驱动电路等。不过，由于其体积较大，在一些对空间要求严格的电路板上使用会受到限制。

SOT-23 封装

SOT-23 封装是一种表面贴装封装（SMT），具有体积小、占用电路板面积少的优势。它的引脚数量较少，一般为 3 - 5 个，采用塑料材质封装。但受限于较小的体积，SOT-23 封装的散热能力相对较弱，热阻通常在 150 - 200℃/W 左右，适用于小功率电路，如消费电子产品中的电源管理芯片、信号放大电路等。在这些场景中，MOS 管的功率消耗较小，产生的热量有限，SOT-23 封装能够满足基本的散热需求。 自上世纪80年代起，MOSFET、IGBT和功率集成电路已成为主流应用类型。

不同封装形式的 MOS 管在散热性能和应用场景上有哪些差异？在电子电路的世界里，MOS 管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是当之无愧的 “明星元件”，广泛应用于电源管理、电机驱动、信号放大等众多领域。然而，除了 MOS 管本身的电气性能，其封装形式同样不容忽视。不同的封装形式不仅决定了 MOS 管与电路板的连接方式，更对散热性能和应用场景有着深远影响。深入了解这些差异，有助于电子工程师和爱好者们在设计与选型时做出更精细的决策。

MOS 管封装的作用与意义

MOS 管的封装，就像是为元件量身定制的 “外衣”，承担着多重重要使命。首先，它为 MOS 管提供机械保护，防止内部芯片受到物理损伤；其次，封装构建了 MOS 管与外部电路连接的桥梁，通过引脚实现电气连接；**重要的是，良好的封装设计能够有效帮助 MOS 管散热，确保其在工作过程中保持稳定的性能。可以说，封装形式的选择直接关系到 MOS 管能否在电路中发挥比较好效能。

无锡商甲提供各种封装产品供您选择。 功率器件，也被称为电力电子器件，简单来说，就是具有处理高电压、大电流能力的功率型半导体器件.盐城功率器件MOS产品选型价格行情

二极管‌：如整流二极管、快恢复二极管，用于单向导电与电压钳位；南京工程功率器件MOS产品选型

平面结构晶体管的缺点是如果提高额定电压，漂移层会变厚，因此导通电阻会增加。MOSFET的额定电压取决于垂直方向的漂移区的宽度和掺杂参数。为了提高额定电压等级，通常增加漂移区的宽度同时降低掺杂的浓度，但会造成MOSFET的导通电阻大幅增加。同时，也是为了克服平面MOSFET的局限性，超结MOSFET应运而生。超结MOSFET利用了一种创新的结构设计，明显降低了导通电阻，同时维持了高击穿电压。那么，接下来要重点讨论超结MOSFET（super junction mosfet）。

超结MOS（Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor，简称SJ-MOS）是电力电子领域中广泛应用的一类功率器件，其主要特征是在传统MOSFET基础上引入了超结结构，使其在高电压、大电流条件下具备更优越的性能。超结MOS器件相较于传统的MOSFET有着更低的导通电阻和更高的耐压性能，广泛应用于高效能电力转换领域，如开关电源、逆变器、电动汽车、光伏发电等。 南京工程功率器件MOS产品选型

无锡商甲半导体有限公司为一家功率半导体设计公司，专业从事各类MOSFET、IGBT产品的研发、生产与销售。总部位于江苏省无锡市经开区，是无锡市太湖人才计划重点引进项目。公司目前已经与国内的8英寸、12英寸晶圆代工厂紧密合作，多平台产品实现量产，产品在开关特性、导通特性、鲁棒性、EMI等方面表现很好，得到多家客户的好评。

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