HDFN41SPSS-B2

好达电子持续投入研发创新，在声表面滤波器领域不断突破技术瓶颈。其研发团队通过改进压电材料的掺杂工艺，提升了材料的机电耦合系数；优化叉指换能器的三维结构设计，降低了插入损耗；开发新的封装技术，提升了产品的环境适应性。这些创新举措使好达声表面滤波器的性能持续优化，如带外抑制能力提升 10dB、工作温度范围扩展至 - 55℃至 + 125℃，不断满足通信技术发展对滤波器的更高要求。HD 滤波器集宽频带、低损耗、高稳定性、小型化等诸多优势于一身，能满足现代通信设备（如 5G 手机、物联网终端、卫星通信设备）对信号处理的多样化需求。其优异的频率选择特性保障了多频段通信的抗干扰能力；低损耗设计提升了信号传输效率；小型化特性适配设备的轻薄化趋势。无论是在消费电子、工业控制还是航空航天领域，HD 滤波器都能稳定发挥作用，成为现代通信设备实现高性能信号处理的理想选择。好达声表面滤波器采用3D-MEMS封装，实现0.8mm×0.6mm超微型化。HDFN41SPSS-B2

好达SAW滤波器通过260℃焊料耐热测试、10-55Hz振动试验及1米跌落冲击测试，确保在工业自动化、能源监测等恶劣环境下长期稳定运行。例如HDR433M-S8谐振器支持-40℃至+85℃宽温操作，频率漂移<±50ppm，适配智能电表、远程控制等高可靠性场景。好达提供全频段定制开发，支持中心频率10MHz至3GHz，带宽0.32MHz至35MHz灵活配置。例如HDF110N-F11针对110.592MHz GPS导航信号优化，带外抑制≥55dB；HDF495C-S6专为医疗设备设计，符合FCC/CE认证。依托自有实验室与快速打样能力，交付周期缩短至4周。汕头声表面滤波器生产厂家好达声表面滤波器通过激光诱导等离子体刻蚀，电极边缘粗糙度<5nm。

好达声表面滤波器通过选用高稳定性压电材料与精密制造工艺，实现了优异的性能稳定性与可靠性。声表面滤波器凭借压电材料的高频响应特性，工作频率可轻松达到GHz级别，远超传统LC滤波器；同时，通过设计多组叉指换能器结构，能实现较宽的通频带，满足现代通信中高速数据传输对宽频段信号的处理需求。在5G基站的信号收发模块、智能手机的射频前端、卫星通信的信号处理单元等设备中，声表面滤波器承担着分离不同信道信号、抑制带外干扰的关键作用，是现代通信设备实现高效信号处理不可或缺的关键器件。

声表面滤波器的工作机制基于基片的压电效应，当电信号施加于叉指换能器时，逆压电效应使基片表面产生机械振动，形成沿基片表面传播的声表面波。声波在传播过程中，会因基片边界或反射栅的作用发生反射、干涉，被另一组叉指换能器通过正压电效应重新转化为电信号。这种电信号-声波-电信号的转换与传播过程，限定了信号只在基片表面传输，减少了能量损耗，同时为频率选择提供了物理基础。好达声表面滤波器在设计中充分考虑了极端环境的适应性，通过选用耐高低温的压电材料（如铌酸锂、钽酸锂）与高温封装工艺，使其能在 - 40℃至 + 85℃的宽温度范围内稳定工作。好达HDF1575A-B2声表滤波器专为GPS系统设计，中心频率1.57542GHz±0.5ppm，支持L1频段信号处理。

好达声表面滤波器的生产过程遵循严格的质量控制规范，从原材料采购到成品出厂需经过 20 余道检测工序。原材料方面，压电基片需经过纯度与晶体结构检测；生产过程中，光刻精度、镀膜厚度等参数实时监控；成品则需进行频率特性、温度稳定性、可靠性等测试。严格的规范确保了产品的一致性与可靠性，出厂合格率达到 99.5% 以上，为客户提供高质量的滤波器件，减少因产品质量问题导致的系统故障。HD 滤波器通过优化电极布局与封装结构，具备优良的抗外部干扰与噪声能力。其金属屏蔽外壳可阻挡外部电磁辐射的侵入，减少空间电磁干扰对滤波性能的影响；内部接地设计则降低了电源噪声与接地环路的干扰。在复杂的电磁环境（如工业车间、密集的通信基站群）中，HD 滤波器仍能保持稳定的频率响应，确保有用信号的准确筛选与传输，保障通信系统的稳定运行。好达声表面滤波器支持多芯片异构集成，减少射频前端PCB面积30%。江苏滤波器直销

好达声表面滤波器支持SAW+BAW混合架构设计，实现2.6GHz频段30MHz超窄带滤波。HDFN41SPSS-B2

封装技术优势：具备声表面波射频芯片 CSP 封装技术和 WLP 封装技术。CSP 封装的滤波器尺寸能达到 0.9mm×0.7mm、1.6mm×1.2mm，WLP 封装的滤波器产品能够达到 0.8mm×0.6mm、1.5mm×1.1mm，符合行业小型化、模组化的发展需求。产品类型优势：具备多产品制备能力，已推出 SAW、TC - SAW 等声表面波滤波器，可适用的频率为 3.6GHz，能满足下游客户对多个频段的产品需求。功率耐受优势：具备高功率滤波器制造技术，研制的高功率声表面波滤波器耐受功率可达 35dBm，是常规声表面波滤波器的 3.75 倍，能满足 5G 智能手机对高功率的技术要求。HDFN41SPSS-B2