HDF626A-F11

好达声表面滤波器在设计中充分考虑了极端环境的适应性，通过选用耐高低温的压电材料（如铌酸锂、钽酸锂）与高温封装工艺，使其能在-40℃至+85℃的宽温度范围内稳定工作。在高低温循环测试中，其中心频率偏差不超过±50ppm，插入损耗变化小于1dB。无论是在寒冷地区的户外通信设备，还是高温环境下的汽车引擎舱电子系统，好达声表面滤波器都能符合性能规范，展现出极强的环境适应性。深圳市鑫达利电子有限公司主要经营的产品包括 石英晶体振荡器，石英晶体谐振器，宇航级钽电解电容，国军标级钽电解电容，七专级钽电解电容，普军级钽电解电容，工业级钽电解电容声表面谐振器，直插铝电解电容，贴片铝电解电容集成电路、传感器、电容器、电阻器、晶体管、二极管、LED灯等。公司的客户主要涵盖电子制造、通讯、计算机、汽车、医疗等行业。好达声表面滤波器内置TC-SAW技术，通过温度补偿层降低频率温漂，提升基站滤波器稳定性。HDF626A-F11

声表面滤波器的工作机制基于基片的压电效应，当电信号施加于叉指换能器时，逆压电效应使基片表面产生机械振动，形成沿基片表面传播的声表面波。声波在传播过程中，会因基片边界或反射栅的作用发生反射、干涉，被另一组叉指换能器通过正压电效应重新转化为电信号。这种电信号-声波-电信号的转换与传播过程，限定了信号只在基片表面传输，减少了能量损耗，同时为频率选择提供了物理基础。好达声表面滤波器在设计中充分考虑了极端环境的适应性，通过选用耐高低温的压电材料（如铌酸锂、钽酸锂）与高温封装工艺，使其能在 - 40℃至 + 85℃的宽温度范围内稳定工作。HDF925AN2-S6好达声表面滤波器支持SAW+BAW混合架构设计，实现2.6GHz频段30MHz超窄带滤波。

好达声表面滤波器具有以下优势：生产模式优势：采用IDM（垂直整合制造）模式，具备成熟的芯片设计、制造及封装测试能力，能实现生产全流程自主可控，保证产品质量和供应稳定性，同时实现前后道工序的高效衔接，缩短生产周期和降低成本。性能指标优势：在常用频段，部分关键性能指标达到国外厂商的产品参数水平，综合性能良好。例如其GPSSAW滤波器HDF1575A-B2，有窄而尖的通带特性，低插入损耗和深阻带干扰衰减，具有高稳定性和可靠性，性能良好，无需调整。

声表面滤波器的关键工作原理源于压电材料的独特特性，当电信号输入时，压电材料会因逆压电效应产生机械振动，形成沿材料表面传播的声波（即声表面波）；随后，声波在传播过程中经正压电效应重新转化为电信号，完成 “电 - 声 - 电” 的能量转换循环。这一过程中，通过设计叉指换能器的间距、数量等参数，可精细控制声波的频率响应，实现对特定频率信号的筛选与过滤，有效分离出所需频段信号并抑制杂波，为通信设备的信号处理提供高精度的频率选择功能。好达HDF1575A-B2声表滤波器专为GPS系统设计，中心频率1.57542GHz±0.5ppm，支持L1频段信号处理。

好达声表面滤波器依托自主研发的关键技术，在压电材料配方、叉指换能器设计及封装工艺上实现突破，打造出覆盖30KHz-3.6GHz宽频范围的高性能产品。其自研的高机电耦合系数压电基片，提升了声波转换效率；优化的电极布局设计则增强了频率选择性，可适配蓝牙、Wi-Fi、5G等多类通信制式。从低频的工业控制通信到高频的卫星通信领域，好达声表面滤波器均能稳定发挥作用，满足不同频段通信场景对信号过滤的严苛需求。欢迎咨询深圳市鑫达利电子有限公司！好达声表面滤波器采用非对称电极结构，带内群延时波动<5ns。HDF947H-P6

好达声表面滤波器支持MEMS协同封装，实现射频前端模块化集成。HDF626A-F11

好达声表面滤波器通过选用高稳定性压电材料与精密制造工艺，实现了优异的性能稳定性与可靠性。声表面滤波器凭借压电材料的高频响应特性，工作频率可轻松达到GHz级别，远超传统LC滤波器；同时，通过设计多组叉指换能器结构，能实现较宽的通频带，满足现代通信中高速数据传输对宽频段信号的处理需求。在5G基站的信号收发模块、智能手机的射频前端、卫星通信的信号处理单元等设备中，声表面滤波器承担着分离不同信道信号、抑制带外干扰的关键作用，是现代通信设备实现高效信号处理不可或缺的关键器件。HDF626A-F11