加在控制极G上的触发脉冲的大小或时间改变时,就能改变其导通电流的大小。双向可控硅模块与单向可控硅模块的区别是,双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时,其导通方向就随着极性的变化而改变,从而能够控制交流电负载。而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通,所以可控硅有单双向之分。双向可控硅模块按象限来分,又分为四象三端双向可控硅、三象限双向可控硅;按封装分,分为一般半塑封装、外绝缘式全塑封装;按触发电流来分,分为微触型、高灵敏度型、标准触发型;按电压分,常规电压品种、高压品种。可控硅模块由于它在电路应用中的效率高、控制特性好、寿命长、体积小、功能强等优点,自上个世纪六十长代以来,获得了迅猛发展,并已形成了一门单独的学科。可控硅模块发展到现在,在工艺上已经非常成熟,品质更好,成品率大幅提高,并向高压大电流发展。可控硅模块在应用电路中的作用体现在:可控整流:如同二极管整流一样,将交流整流为直流,并且在交流电压不变的情况下,有效地控制直流输出电压的大小即可控整流,实现交流→可变直流之转变;无触点功率静态开关(固态开关):作为功率开关元件,可控硅模块可以代替接触器、继电器用于开关频率很高的场合。淄博正高电气企业文化:服务至上,追求超越,群策群力,共赴超越。济南大功率晶闸管调压模块价格
一般情况下阴极表面或芯片边缘有一烧损的小黑点说明是由于电压引起的,由电压引起烧坏晶闸管模块的原因有两中可能,一是晶闸管模块电压失效,就是我们常说的降伏,电压失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是线路问题,线路中产生了过电压,且对晶闸管模块所采取的保护措施失效。电流烧坏晶闸管模块通常是阴极表面有较大的烧损痕迹,甚至将芯片、管壳等金属大面积溶化。由di/dt所引起的烧坏晶闸管模块的现象较容易判断,一般部是门极或放大门极附近烧成一小黑点。我们知道晶闸管模块的等效电路是由两只可控硅构成,门极所对应的可控硅做触发用,目的是当触发信号到来时将其放大,然后尽快的将主可控硅导通,然而在短时间内如果电流过大,主可控硅还没有完全导通,大的电流主要通过相当于门极的可控硅流过,而此可控硅的承载电流的能力是很小的,所以造成此可控硅烧坏,表面看就是门极或放大门极附近烧成一小黑点。至于dv/dt其本身是不会烧坏晶闸管模块的,只是高的dv/dt会使晶闸管模块误触发导通,其表面现象跟电流烧坏的现象差不多。济南大功率晶闸管调压模块价格淄博正高电气锐意进取,持续创新为各行各业提供专业化服务。
选购可控硅模块,质量重要还是品牌重要,您在购买东西的时候是比较注重质量呢还是品牌呢?如果是在购买服装类物品可以注重品牌,但是可控硅模块类产品的质量问题是不容小视的,轻则损坏设备,重则会产生安全隐患。可控硅模块类的产品质量问题比品牌重要的多。可控硅模块从内部封装芯片上可以分为可控模块和整流模块两大类;具有体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装;结构重复性好,装置的机械设计可以简化,价格比分立器件低等诸多优点,因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧,并因此得到长足发展。可控硅模块的重点不在于它是什么牌子,而是工艺、芯片直流,和压降大小。所以品质比牌子更重要。可控硅模块采用德国设备工艺中国制造、体积小、重量轻、结构紧凑、重复性好、外接线简单、反应极快,在微秒级内开通、关断、无触点开关、无火花、无噪音、芯片与底板绝缘、真空焊接结构、正向压降小。
可控硅模块的作用和优势大家都知道,它的应用范围是非常广的,在不同设备上的使用方法也是不一样的,那么在整流电路中可控硅模块的使用方法是什么呢?下面正高来讲一下在整流电路中可控硅模块的使用方法。在正弦交流电压U2的正半周期间,如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug,VS仍然不能导通,只有在U2处于正半周,在控制极外加触发脉冲Ug时,可控硅模块被触发导通。只有在触发脉冲Ug到来时,负载RL上才有电压UL输出Ug到来得早,可控硅模块导通的时间就早;Ug到来得晚,可控硅模块导通的时间就晚。只有在触发脉冲Ug到来时,负载RL上才有电压UL输出Ug到来得早,可控硅模块导通的时间就早;Ug到来得晚,可控硅模块导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间,就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技术中,常把交流电的半个周期定为180°,称为电角度。这样,在U2的每个正半周,从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α;在每个正半周内可控硅模块导通的电角度叫导通角θ。很明显,α和θ都是用来表示可控硅模块在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ。淄博正高电气以精良的产品品质和优先的售后服务,全过程满足客户的高需求。
晶闸管模块的应用非常广,大到电气行业设备中的应用,小到日常生活中的应用,但是如果有使用不当的时候就会造成晶闸管模块烧坏的情况,下面正高来介绍下晶闸管模块被烧坏的原因有哪些?晶闸管模块烧坏都是由温度过高造成的,而温度是由晶闸管模块的电特性、热特性、结构特性决定的,因此保证晶闸管模块在研制、生产过程中的质量应从三方面入手:电特性、热特性、结构特性,而且三者是紧密相连、密不可分的,所以在研制、生产晶闸管模块时应充分考虑其电应力、热应力、结构应力。烧坏晶闸管模块的原因很多,总的说来还是三者共同作用下才致使晶闸管模块烧坏的,某一单独的特性下降很难造成品闸管烧坏,因此我们在生产过程中可以充分利用这个特点,就是说如果其中的某个应力达不到要求时可以采取提高其他两个应力的办法来弥补。从晶闸管模块的各相参数看,经常发生的参数有:电压、电流、dv/dt、di/dt、漏电、开通时间、关断时间等,甚至有时控制极也可烧坏。由于晶闸管模块各参数性能的下降或线路问题会造成晶闸管模块烧损,从表面看来每个参数所造成晶闸管模块烧损的现象是不同的,因此通过解剖烧损的晶闸管模块就可以判断出是由哪个参数造成晶闸管模块烧坏的。淄博正高电气热忱欢迎新老客户惠顾。济南大功率晶闸管调压模块价格
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用可控硅模块三相异步电动机速度的方法可控硅模块的技术功能发展越来越成熟,在生活中就时常见到,它可以应用到很多设备上,比如说三项异步电动机,可控硅模块可以控制它的速度,下面正高电气来说说控制三相异步电动机速度的方法有哪些?1、是可控硅模块调压调速,就是将可控硅模块串联到定子电路中,用可控硅模块调节加到电动机上的电压进行调速。这种调速方法得到的机械特性较软。2、是串级调速,它是将可控硅模块接在电动机的转子回路中,利用将电动机转差能量回馈电网的多少来实现调速,这种调速方法只适用于绕线式异步电机。3、是变频调速,它是将可控硅模块组成变频电路,它也有交—交变频和交直交变频之分,但由于可控硅是半控器件,变频控制电路较为复杂。而近年来新型电力电子全控器件,即采用双闭环三相异步电动机调压调速系统,三相晶闸管交流调压器及三相绕线式异步电动机(转子回路串电阻)。控制部分由给定积分电路、电流调节器(ACR)、速度调节器(ASR)、TH103晶闸管触发集成电路、电流变换器(FBC)、速度变换器(FBS)、触发器(GT)、脉冲功放等组成。以上就是用可控硅模块三相异步电动机速度的方法,希望对您有所帮助。济南大功率晶闸管调压模块价格