天津SBD芯片设计

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司作为一家新型研发机构，旨在推动高频器件产业的发展，研究院具有良好的孵化能力。研究院以其较强的技术实力和丰富的行业经验，为上下游企业提供支持和协助。通过技术研发和技术转移，研究院能够帮助企业实现技术创新和产业升级，从而实现更好的发展和壮大。无论是从产品设计与研发，还是从生产与制造，乃至于市场与营销，研究院都可以与企业保持紧密合作。研究院拥有先进的研发设备和仪器，拥有专业的技术人才，能够解决各种复杂的技术问题。同时，研究院还积极与高校和科研机构合作，进行技术交流与合作。通过产学研相结合的方式，共同探索高频器件产业技术的前沿，为企业提供更多的创新动力和发展空间。未来，研究院将继续致力于技术创新，为高频器件产业的持续发展注入新的活力和动力，助力企业实现跨越式发展，走向更加广阔的未来。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院公共技术服务平台可提供先进芯片工艺技术服务、微组装及测试技术服务。天津SBD芯片设计

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的高功率密度热源产品由热源管芯和热源集成外壳组成，并采用了先进的厚金技术。热源管芯的背面可以与任意热沉进行金锡等焊料集成，也满足与外壳集成后，在任意热沉进行机械集成。这种灵活的设计使得热源可以根据客户的要求进行定制，尺寸可以进行调整。这款高功率密度热源产品适用于微系统或微电子领域的热管、微流以及新型材料的散热技术开发。同时，它还可以对热管理技术进行定量的表征和评估。公司可以根据客户的需求，设计和开发各种热源微结构及其功率密度。这款产品不仅具有高功率密度，还具有良好的可定制性和适应性。青海氮化镓器件及电路芯片设计芯谷高频器件研究院可完成芯片的研发、制造、测试等，可进行单步或多步工艺定制开发，可满足多种工艺要求。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质异构集成技术服务，可进行以下先进集成材料制备和研发：1)单晶AlN、LiNbO3压电薄膜异质晶圆，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射频滤波器；2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3异质晶圆，用于低损耗光学平台；3)AlGaAs-on-insulator，绝缘体上AlGaAs晶圆，用于光量子器件等新一代片上光源平台；4)Miro-Cavity-SOI，内嵌微腔的绝缘体上Si晶圆，用于环栅GAA，MEMS等器件平台；5)SionSiC/Diamond，解决传统Si衬底功率器件散热低的瓶颈；6)GaNonSiC，解决自支撑GaN衬底高性能器件散热低的瓶颈；7)支持特定衬底功能薄膜材料异质晶圆定制研发。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司是一家专注于大功率氮化镓微波毫米波/太赫兹二极管研发的科技企业。公司凭借着多年来在领域内的经验积累和不断的技术创新，拥有了先进的产品开发技术。作为一家高科技企业，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司注重人才培养和技术研发，致力于在大功率氮化镓微波毫米波/太赫兹产品领域中实现技术突破。公司集聚了一支高素质的技术团队，由一批有着丰富经验的工程师组成，公司对于新技术的开发和研究有着敏锐的嗅觉和深入的了解。公司拥有先进的研发设备，这些设备为公司的技术研发提供了良好的平台和条件。在未来，公司将继续加强技术创新和研发投入，致力于成为大功率氮化镓微波毫米波/太赫兹产品领域中的创新者。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司太赫兹测试设备可以达到500GHz的测试频率。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台在背面工艺方面，拥有键合机、抛光台、磨片机等，可以进行晶片的减薄、抛光以及划片工艺。公司公共技术服务平台支持晶圆键合工艺，可以支持6英寸及以下晶圆的键合，并具备介质、热压、共晶、胶粘等键合能力，键合精度达到2um。键合工艺可以将不同的晶圆材料组合在一起，从而制造出具有更高性能的芯片。凭借研究院的技术实力和专业的服务团队，公共技术服务平台将为客户提供更加优良的技术服务，不断创新晶圆键合工艺，助力高科技产业的发展。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台可提供全流程芯片制造工艺技术服务。青海氮化镓器件及电路芯片设计

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台可以提供微组装服务。天津SBD芯片设计

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的热物性测试仪产品能够准确、高效地测试材料的热物性，为研究人员提供数据支撑。公司的热物性测试仪产品无论在技术指标、测试精度还是稳定性方面都达到了先进水平。该设备操作简单方便，准确性高，能够满足多种测试需求，包括热导率分析、热阻分析等。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的热物性测试仪产品可以解决材料的热评估难题，市场认可度高，将为科研工作注入新的活力。天津SBD芯片设计