江门自主可控至盛ACM3108

    ACM8625P 等型号的音频功放芯片，采用高度集成化架构。内置 32 位高精度音频 DSP，处理带宽最大支持 96kHz（192kHz 采样率）。这种架构赋予芯片强大的音频处理能力，能执行复杂音频算法。如内部集成 2×15 个均衡器，可对不同频段音频信号准确调节，满足不同音乐风格与场景的音效需求；3 段 DRC（动态范围控制）能自动调整音频动态范围，避免声音忽大忽小，确保音频播放的稳定性与舒适度；还有 AGL 等调音算法，优化整体音质。同时，新型 PWM 脉宽调制架构根据音频信号大小动态调整脉宽，在保障音频性能前提下，有效降低静态功耗，提升能源利用效率 。至盛12S数字功放芯片小信号低音增强算法通过动态增益补偿，使微弱低频信号提升达12dB。江门自主可控至盛ACM3108

    蓝牙连接的稳定性对于蓝牙音响至关重要，至盛 ACM 芯片在这方面投入了大量研发精力。它采用了先进的蓝牙信号增强技术，通过优化天线设计与信号处理算法，有效提升了蓝牙信号的强度与抗干扰能力。在复杂的电磁环境中，如周围存在多个 Wi-Fi 路由器、众多手机等设备时，至盛 ACM 芯片能够智能识别并过滤干扰信号，保持稳定的蓝牙连接。同时，芯片还支持蓝牙 5.3 及以上版本协议，进一步提升了连接的稳定性与数据传输速率。当用户在室内走动，甚至在不同房间穿梭时，搭载至盛 ACM 芯片的蓝牙音响依然能够持续播放音乐，不会出现断连或卡顿现象，为用户带来无缝的音乐享受，彰显了其在蓝牙连接稳定性技术上的优势。广州信息化至盛ACM现货ACM8816在数据中心供电系统中的高效率、高功率密度特性有助于降低运营成本。

ACM8815的PEQ支持31段**调节，每段可配置频点（f0）、增益（G）和Q值。设计步骤如下：频点选择：根据扬声器频响曲线（如测量得到100Hz处衰减5dB），选择f0=100Hz。增益设置：为补偿衰减，设置G=+5dB。Q值计算：Q值决定带宽，计算公式为Q=f0/BW（BW为-3dB带宽）。若需窄带补偿（BW=1个八度），则Q=100Hz/(100Hz/√2 - 100Hz/2)=1.41；若需宽带补偿（BW=2个八度），则Q=100Hz/(100Hz/√2 - 100Hz/4)=0.71。本例选择Q=1.41。系数计算：将f0、G、Q转换为二阶IIR滤波器系数（b0、b1、b2、a1、a2），公式如下：ω0=2πf0/Fs（Fs为采样率，如48kHz）α=sin(ω0)/(2Q)A=10^(G/40)b0=(1+αA)

ACM8815主要应用于三大场景：家庭影院：在5.1/7.1声道系统中，单颗ACM8815可驱动中置或环绕声道，输出功率达200W（4Ω），满足THX认证对声道功率的要求。与传统分立方案（如IRS2092+IRFP4227）相比，ACM8815体积缩小70%，成本降低40%。汽车音响：在12V电源系统下，ACM8815可输出120W（4Ω）功率，推动车门低音单元。其宽温工作范围（-40℃至125℃）和抗振动设计（QFN-40封装耐冲击等级达100G）满足车规级要求。专业舞台音响：在24V电源系统下，ACM8815可输出300W（8Ω）功率，驱动全频扬声器。其低失真（THD+N<0.05%）和高信噪比（SNR>110dB）确保音质还原度。与传统D类功放（如TPA3116D2）对比，ACM8815在功率密度（200W/QFN-40封装）和效率（92%）上具有***优势，而TPA3116D2在15W功率下需采用HTSSOP-28封装，效率*88%。至盛12S数字功放芯片内置温度补偿算法，工作温度范围扩展至-40℃至105℃极端环境。

    至盛 ACM 芯片在成本控制与市场价格策略方面有着准确的把握。通过优化芯片设计、采用先进的制造工艺以及规模化生产，有效降低了芯片的制造成本。在保证芯片高性能、品质高的前提下，以合理的价格推向市场，为蓝牙音响制造商提供了高性价比的选择。对于中低端蓝牙音响市场，至盛 ACM 芯片凭借其较低的成本，使制造商能够生产出价格亲民、功能实用的产品，满足广大普通消费者的需求，从而迅速占领市场份额。而对于高级市场，芯片通过不断提升性能与功能，以相对合理的价格优势与国际品牌竞争，为追求品质高的音乐体验且对价格敏感的消费者提供了更具性价比的解决方案，通过灵活的成本控制与价格策略，至盛 ACM 芯片在不同市场层次都具备较强的竞争力。在温度控制器应用中，至盛 ACM 芯片准确把控温度变化。江苏至盛ACM865现货

ACM8623内置了DSP（数字信号处理器）音效处理算法，包括小音量低频增强等功能，能够提升音质体验。江门自主可控至盛ACM3108

ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺，在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层，通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括：MOSFET结构：采用垂直双扩散结构（VDMOS），源极和漏极分别位于芯片两侧，沟道长度*0.3μm，实现低导通电阻（11mΩ@10V栅压）。栅极氧化层：使用ALD（原子层沉积）技术生长5nm厚Al2O3栅氧层，确保栅极漏电流<1nA，提高器件可靠性。金属互连：采用铜互连技术，线宽/线距达0.8μm/0.8μm，寄生电阻<5mΩ，寄生电感<1nH，减少信号延迟。封装方面，ACM8815采用QFN-40封装（尺寸7mm×7mm×1.2mm），底部暴露散热焊盘，通过金线键合实现芯片与引脚的电气连接。封装热阻（RθJC）*2℃/W，满足无散热器设计要求。江门自主可控至盛ACM3108