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菏泽晶闸管模块

来源: 发布时间:2023年06月16日

晶闸管模块的介绍和特点:

三相交流一体化移相调压模块采用大规模集成电路设计,内部集三相移相触发电路、单向可控硅、RC阻容吸收回路及电源电路等于一体。可在自动或手动输入控制作用下,产生三相可改变导通角的强触发脉冲信号,再以此分别控制内部可控硅,实现三相负载电压从0 V到电网全电压的无级可调,从而调节输出给三相负载电功率。调压模块直接带动变压器等感性负载或电加热等阻性负载,可适用于小功率三相力矩电机的调速,及风机、水泵等的调速,也可应用于交流电机的缓启动。调压模块采用SMT工艺,DCB陶瓷基板,其体积小、**接线少、性能稳定、使用方便、可靠性高。  奥凯电气深受行业客户的好评,值得信赖。菏泽晶闸管模块

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可控硅模块的简要说明:

可控硅模块的出现已经历史悠久,它的出现也帮助人们解决了很多难题,凭借它的优势,使可控硅模块在电气行业中非常的受欢迎,

可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductormodule)。刚开始是在1970年出现在电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

可控硅模块的优点体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装;结构重复性好,装置的机械设计可以简化,价格比分立器件低等诸多优点,因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧,并因此得到长足发展。


菏泽晶闸管模块奥凯电气以客户至上为理念,为客户提供咨询服务。

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 现在由正高电气来和大家学习一下可控硅模块温度保护:

  可控硅模块与其它功率器件一样,工作时由于自身功耗而发热。如果不采取适当措施将这种热量散发出去,就会引起模块管芯PN结温度急剧上升。致使器件特性恶化,直至完全损坏。晶闸管的功耗主要由导通损耗、开关损耗、门极损耗三部分组成。在工频或400Hz以下频率的应用中相当主要的是导通损耗。为了确保器件长期可靠地工作,设计时散热器及其冷却方式的选择与电力半导体模块的电流电压的额定值选择同等重要,千万不可大意!散热器的常用散热方式有:自然风冷、强迫风冷、热管冷却、水冷、油冷等。考虑散热问题的总原则是:控制模块中管芯的结温Tj不超过产品数据表给定的额定结温。

晶闸管智能模块的选择

  如:某加热炉控制柜,需要控制额定电压为380V,蕞大工作电流为150A的加热炉,应使用什么规格型号的模块?

《使用说明书》中的选型计算公式:

I>K×I负载×U蕞大/U实际

K:安全系数,阻性负载K=1.5,感性负载K=2

I负载:负载流过的蕞大电流

U蕞大:负载上的蕞小电压

U实际:模块能输出的蕞大电压(三相整流模块为输入电压的1.35倍,单相整流模块为输入电压的0.9倍,其余规格均为1.0倍)

I:需要选择模块的蕞小电流,模块标称的电流必须大于该值。

1.5×150A×1.0×380V/380V=225A

应选择型号为3MTAC260的模块。 奥凯电气愿与各界朋友携手共进,共创未来!

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晶闸管智能控制模块电流规格的选取:

晶闸管智能控制模块的标称电流为模块正常工作允许通过的较大电流,考虑到晶闸管抗电流冲击能力较差,选取模块时建议您应留出裕量。

阻性负载:模块标称电流应为负载额定电流的2倍。

感性负或:模块标称电流以为负载额定心流的3倍。

使用环境要求:

(1)环境适应温度摄氏-25℃~+45℃。

(2)工作场所要求干燥、通风、无尘、无腐蚀性气体。

可以这样举例来说明这个问题:晶闸管智能模块所控制的输出功率与电网电源变压器的功率比值是一个界定影响大小的依据,电网电源变压器容量比较大,可以供给较大的电流,晶闸管智能模块的输出功率相对变压器的功率来说比较小,其影响就可以忽略不计;反之,模块控制的输出功率相对于变压器功率来说比较大,则影响就比较大。影响大的时候可以用电力电容器吸收,必要时可采用 LC 吸收。 

奥凯电气以发展求壮大,就一定会赢得更好的明天。济宁可控硅模块生产厂家

奥凯电气产品适用范围广,产品规格齐全,欢迎咨询。菏泽晶闸管模块

使用可控硅模块的**准则:

可控硅模块大家都知道,它的应用与优势让它在电气行业占着比较重要的作用,设备都有寿命的限制,所以在使用的时候一定要注意,正确的使用准则才能延长可控硅模块的寿命,下面来说说可控硅模块使用的**准则。

准则1

  为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT,直至负载电流达到≧IL。这条件必须满足,并按可能遇到的较低温度考虑。

  准则2

  要断开(切换)闸流管(或双向可控硅),负载电流必须间,使能回复至截止状态。在可能的运行温度下必须满足上述条件。

  准则3

   设计双向可控硅模块触发电路时,只要有可能,就要避开3+象限(WT2-,+)。

     准则4

  为减少杂波吸收,门极连线长度降至低。返回线直接连至MT1(或阴极)。若用硬线,用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法,选用H系列低灵敏度双向可控硅。 菏泽晶闸管模块

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