巨磁阻（GMR）效应在微小磁场测量领域实现了创新性的改变，尤其在利用涡流传感器进行无损检测方面取得了很大的进展。巨磁阻传感器具有低功耗、尺寸小、高灵敏度以及频率与灵敏度的不相关性等特点；同霍尔传感器相同，巨磁阻芯片是传感器的主要组成部分，一般也容易受到环境中磁场的干扰，不适用于电磁环境复杂的环境，对复杂波形电流也不能做出准确的检测。磁通门传感器(Fluxgatecurrentsensor)，一开始主要用于弱磁场的检测，比如地磁场检测、铁矿石检测、位移检测和管道泄漏检测等方面。随着这种技术的发展，磁通-2-门传感器广泛应用于太空探测和地质勘探中。磁通门电流传感器的结构类似霍尔电流传感器，是基于检测磁路的饱和特性而设计的。磁通门电流传感器采用高磁导率的磁芯，通过磁芯的交替饱和，产生的感应电压和被测电流之间存在着一定的数量关系，从而可以得到被测电流。它实际上检测磁场的变化，通过磁与电的联系来得到被测电流。近几年，随着软磁材料的发展和电子元器件的革新，磁通门电流传感器的性能不断提高，其应用范围不断扩大，受到越来越多的关注。抗电磁干扰：由于磁通门传感器是通过测量磁通量来间接测量电流的，因此它可以抵抗电磁干扰的影响。西安内阻测试仪电流传感器设计标准
直流特性测试实验参考《测量用电流互感器检定规程》，依据图 5－1 所示实验方案 进行新型交直流传感器直流性能测试[62]。直流特性测试过程中，由于直流电流源输出直流电流为 10 A，因此采用等安匝方法施加直流电流。实验时， 升流器输出交流为 0 ， 一次交流回路断开，且受传感器内径尺寸及直流绕组匝数限制， 直流电流测量上限只是为 300A ，在 0~300A 直流电流范围内。横坐标为等效一次标准直流值大小，纵坐标为 0~300A 范围内新型交直流 电流传感器直流比例误差。其中红色曲线为 0.05 级直流电流互感器比例误差限值曲线， 黑色曲线为正行程直流比例误差曲线， 蓝色曲线为反行程直流比例误差曲线。西安内阻测试仪电流传感器设计标准在高速电力电子变换器、电机控制、电磁兼容性测试等领域，需要测量和监控高频电流。
合理的磁屏 蔽设计可抑制外界电磁干扰， 并增强一次绕组与反馈绕组绕组之间的磁耦合程度， 以加 快新型交直流电流传感器系统对一二次不平衡磁势的响应速率。考虑到本电流传感器工作于线路时，外部除了磁场干扰，电场干扰作用明显，因此需要设计合适的电屏蔽，合理的电屏蔽可以有效改善新型交直流杂散电容，以降低外部环境杂散电压耦合的影响。设计电屏蔽盒时需要注意防止由涡流效应造成短路匝[51]，因此电屏蔽盒需要增加合适间隙或隔离盖。同时应注意零磁通交直流电流检测器的输出信号与电屏蔽外壳共地，电屏蔽对低频信号的屏蔽效果不佳，因此往往设计传感器屏蔽结构时电屏蔽与磁屏蔽配合使用效果较佳。
当测量交直流电流时，环形铁芯C1处于正向激磁状态，在采样电阻RS1上将产生正比于一次交直流电流的有用低频信号VL1，包括直流分量信号Vdc及工频交流信号Vfac，同时也会产生高频无用交流分量VH1。由于环形铁芯C2激磁状态与铁芯C1完全相反，因此在采样电阻RS2上可以检测到反向的低频信号VL2及反向的无用交流分量VH2。对于环形铁芯C2而言，其与环形铁芯C1反相端支路对称，而缺少正向端电路部分，因此环形铁芯C2在振荡过程中激磁电流的平均电流与一次侧交直流电流线性关系较差，低频信号VL2为无用低频信号。根据上述分析，可以得到合成信号VR12表达式如下：VR12=VR+VR=VL1+(VH1+VH2)（3－11）磁通门电流传感器确实具有很强的抗干扰能力。这种抗干扰能力主要归功于它的激励磁场持续振荡的特性。
根据自激振荡磁通门传感器起振过程分析可知，铁芯工作在周期性正负交替饱和状态是磁调制过程的必要条件。倘若一次电流过大则导致铁芯只是工作在正向磁饱和区或只是工作在负向磁饱和区，此时铁芯单向饱和严重，磁化曲线严重畸变，无法完成电流准确测量。因此，按照一次电流磁势与自激振荡磁通门电路稳态充电电流IC所对应磁势的合成磁势大于铁芯C1饱和阈值电流Ith所对应磁势的原则，当一次电流为正向时，一次电流磁势大小满足：一NpIp+N1Ic之N1Ith化简式（2－43），可得一次电流Ip满足：Ip<N1(IC一Ith)Np同理在当一次电流为负向时，一次电流Ip满足：一N1(IC一Ith)Np（2－43）（2－44）（2－45）综合式（2－44），（2－45）可得自激振荡磁通门传感器测量一次电流Ip的范围为：一N1(IC一Ith)NpN1(IC一Ith)Np（2－46）式（2－46）中Ip表示一次电流峰值。用超导 材料制成的，在超导状态下检测外磁场变化的一种新型磁测装置，SQUID磁敏传感器。吉林普乐锐思电流传感器报价
为工作在零磁通状态，电流传感器中加入次级线圈并且此线圈必须通入一个合适的电流以保证磁芯的零磁通状态。西安内阻测试仪电流传感器设计标准
时间差型磁通门(Residence Time Difference Fluxgate RTD)原理的获得来源于实验：磁通门调峰法。调峰法实验的具体过程如下：被测磁场通过磁通门轴向分量，这时磁通门信号的输出便会发生一定的偏移。记录下磁通门输出信号在这一时刻的偏移位置，然后再将被测磁场移除。将通电线圈放置在与被测磁场相同的磁通门轴向方向上，从零增大通电线圈电流幅值直到使磁通门信号的输出重新移动到刚才记录的位置。通过通电电流的大小以及磁芯上线圈匝数，被测磁场的大小便可以计算出来。但是由于当时的频率计值等数字化器件的发展程度不高，因此磁通门调峰法实验只是作为一个实验现象来研究而未做更深入的探讨。西安内阻测试仪电流传感器设计标准