常州工控级电流传感器发展现状

磁通门传感器是一种根据电磁感应现象加以改造的变压器式的器件，只是它的变压器效应是用于对外界被测磁场进行调制。它的基本原理可以由法拉第电磁感应定律进行解释。磁通门传感器是采用某些高导磁率，低矫顽力的软磁材料（例如坡莫合金）作为磁芯，磁芯上缠绕有激励线圈和感应线圈。在激励线圈中通入交变电流，则在其产生的激励磁场的作用下，感应线圈中产生由外界环境磁场调制而成的感应电势。该电势包含了激励信号频率的各个偶次谐波分量，通过后续的各种传感器信号处理电路，利用谐波法对感应电势进行检测处理，使得该电势与外界被测磁场成正比。又因为磁通门传感器的磁芯只有工作在饱和状态下才能获得较大的信号，所以该传感器又称为磁饱和传感器。与磁通门相关的技术问世于20世纪30年代初期，首先在1931年，Thomas申请了关于磁通门的一项知识产权，接着，有关科学家们根据与磁现象相关的各种大量的实验，总结并提出磁通门技术的工作原理，且当时的实验精度达到了纳特（nT）级别。随后各国的科学家们对与磁通门相关的技术做了进一步的实验和探讨研究，从而证实了磁通门技术的实用性和可发展性，在随后的几十年里，利用该技术制造的各种仪器得到了不断的改进和完善。这些参数对于了解电路的性能、进行故障诊断和优化设计等方面都具有重要的意义。常州工控级电流传感器发展现状

配网用电流传感器多用于电能计量， 其主要性能指标为其交流计量误差[60, 61]。实验 时在全量程范围进行交流性能测试， 根据《测量用电流互感器检定规程》，所研制的 500 A 交直流电流传感器， 交流测试范围为 0~600 A，实验时直流电流源输出为 0 ，直流绕 组断开，通过调节升流器旋钮调节一次侧交流大小， 测试了正反行程 5%、20%、100% 、 120%额定电流下新型交直流传感器比差角差。红色曲线为 0.05 级交流电流互感器比差和角差误差限值曲线， 黄色曲线为反行程交流比差和角差误差曲线， 黑色曲线为正行程交流比差和角差误差曲 线。西安新能源汽车电流传感器联系方式广东深圳已打造成为全国重要的锂电池关键材料产业集群。珠海、广州、惠州等地锂电池产业蓬勃发展。

偶次谐波法进行了分析，该方法简单、有效，但是检测电路复杂，精度较低，温漂较大。因此为改善磁通门技术的现状，吉林大学程福德团队提出了时间差型磁通门，该方法有可能解决现有磁通门分辨力、测量精度难以继续提高的问题，是磁通门研究中一个值得重视的方向； g Velasco-Quesada等提出了零磁通反馈式磁通门，使磁芯工作在零磁通状态下，有效减小磁滞对测量的影响； Takahiro Kudo等给出了一种通过测量输出信号峰值位置变化的方法得到被测电流的

标准磁通门电流传感器实际与闭环霍尔电流传感器结构相似，由相同带缝隙的磁 路和用来得到零磁通的次级线圈构成。霍尔电流传感器与磁通门电流传感器主要的区别在于气隙磁场检测方式的不同：前者是通过一个霍尔元件获得电压信息进而得到被测电流；后者则是通过一个所谓的饱和电感来测量电流的。饱和电感的电感数值依赖于磁芯的磁导率，磁通密度高的时候磁芯饱和，电感值较低。低磁通密度时，电感值则较高。外部磁场的变化影响磁芯的饱和水平，进而改变磁芯导磁系数，然后影响电感值。因此，当存在外界磁场时将会改变场测量的电感值。如果饱和电感设计充分，这种改变非常明显。将磁调制器与磁积分器结合，研制用于质子同步器系统中粒子流检测的宽频电流互感器，扩展了电流测量带宽。

无锡纳吉伏公司根据参数优化设计准则，进行了铁芯选型并设计了相应电流检测电路、信号解调电路、误差控制电路及电流反馈电路，用双铁芯三绕组研制出新型交直流电流传感器，相比同类产品的三铁芯四绕组，四铁芯六绕组等结构，成本极大降低，结构也得到简化。利用比例直流叠加法，提出了新型交直流电流传感器性能测试方案。进行了交流计量性能测试、直流计量性能测试以及交直流计量性能测试，测试结果表明，其电流测量误差均小于0.05级电流互感器误差限值。说明研制的交直流传感器解决了一二次融合下高精度交直流电流测量问题，且交流测量与直流测量互不干扰，可以单独作为高精度交流电流传感器，也可作为高精度直流电流传感器，同时亦可作为抗直流互感器和交直流电流传感器的检定标准。磁通门电流传感器利用磁通门原理来测量电流，具有精度高、稳定性好、线性度好等优点。辽宁开环电流传感器生产厂家

磁通门信号淹没在强大的变压器效应感应电势之中。常州工控级电流传感器发展现状

激磁电压信号Vex在一个周波内表达式为：(|Vout,0<t<TpVex=〈|l-Vout,Tp<t<Tp+TN其中TP=t3，在正向周波内，根据在线性区及各饱和区的时间间隔表达式（2－8）、（2－12）、（2－16）可以求得，正半波时间TP满足下式：TP=t1+(t2-t1)+(t3-t2)=τ1ln(1+2Im)+(τ2-τ1)ln(1+2Ith)（2－25）IC-ImIC-Ith-βIp1其中TN=t6-t3，在负向周波内，根据在线性区及各饱和区的时间间隔表达式（2－18）、（2－20）、（2－22）可以求得，负向周波时间TN满足下式：TN=t4-t3+(t5-t4)+(t6-t5)=τ1ln(1+2Im)+(τ2-τ1)ln(1+2Ith)（2-26）IC-ImIC-Ith+βIp1激磁电压信号Vex在一个周波内平均电压Vav表达式为：Vav=Vout=Vout常州工控级电流传感器发展现状